Wir haben hier gerade einen 500W-Buck-Wandler mit über 96% Wirkungsgrad aufgebaut. Beim Einschalten des Highside-FETs gabs ne kurze Überspannung von 10V aufgrund Reverse-Recovery der Body-Diode des Low-Side-FETs. Gate-Widerstand von 10 auf 22Ohm erhöht -> Überspannung weg, FET kühler, Wirkungsgrad noch besser. Schaltzeit liegt bei ca. 20ns.
Es gibt viele Gründe und Fälle, bei denen ein Gatewiderstand Vorteile bringt, insbesondere bei HV-FETs. Die modernen Typen sind da sonst so übel schnell (>100V pro ns), dass man sonst die Spec der Bootstrap-Treiber verletzt und sich viele andere Dreckeffekte einhandelt.
Weiterhin sind Gate-Vorwiderstände bei Hochtemperatur-Designs häufig eine der wenigen Möglichkeiten, Verlustleistung aus den Treibern rauszuverlagern. Bei dicken FETs muss man teilweise Treiberleistungen im Wattbereich abführen. Das kann bei 100°C kaum ein integrierter Treiber.
Weiterer Grund: Reproduzierbarkeit. Der Treiberinnenwiderstand geht über Chargenstreuung und Temperatur gerne mal Faktor 3-4. Ich möchte aber, dass alle produzierten Geräte bei allen Temperaturen ein vergleichbares Verhalten haben.
usw. usw.
Michael