ma c'è una differenza?

Si`, ma cambia di poco. E se invece i due transistori li metti in serie?

Bisogna vedere in che condizioni. Ho provato a fare un po' di conti (quasi sul retro di una busta) sulle distorsioni. Come dici da qualche altra parte, tutto quello che c'e` attorno e` ben piu` importante dello stadio elementare di amplificazione. Ma giusto per fare un confronto ho comparato un source comune con un emettitore comune, stesso circuito, stessa corrente di polarizzazione.

Se si lavora a pari segnale di ingresso, il fet e` decisamente piu` lineare (come e` ovvio da subito). Pero` le cose cambiano se al posto di considerare lo stesso segnale di ingresso, si considera lo stesso segnale in uscita (stessa dinamica). Nelle prove che ho fatto ho considerato un segnale di uscita che desse una distorsione dell'ordine del 10%.

In questo caso il mos continua a distorcere dun pochino di meno, e solo di seconda armonica, mentre il bipolare distorce un po' di piu` e

Pero` c'e` una differenza fondamentale: il mos amplifica molto di meno del bjt, e ha bisogno di un segnale di ingresso piu` ampio. Oppure, vedendolo da un altro punto di vista, si puo` abbassare il guadagno dello stato a bjt introducendo una retroazione locale, e in questo caso il bjt amplifica almeno quanto il mos (o anche abbastanza di piu`, dipende da quanta retroazione c'e`), ma e` *molto* piu` lineare (almeno un ordine di grandezza).

Sul coefficiente di temperatura positivo non ci farei troppo affidamento. Dipende dalla tensione di lavoro del mos e dal punto di funzionamento. La Vth del mos diminuisce all'aumentare della temperatura, bisogna vedere fra questo fenomeno e il calo della mobilita` quale prevale, e la risposta cambia con le condizioni di lavoro e del mos.

- La J per cosa sta? FidoCadJ: un editor multipiattaforma FidoCadJ: storia delle versioni FidoCadJ, disegnare schemi elettrici su MacOSX Il migliore Freeware Mac segnalato dai lettori

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Il giorno Sat, 22 Nov 2008 23:16:51 -0800, Franco ha scritto:

I mosfet usati nel campo audio di solito si comportano così, con il non trascurabile vantaggio di poterli anche mettere in parallelo, volendo.

Prendi ad esempio questa applicazione audio:

con il mos IRFI4019H usato nello stadio finale:

guardando a pag.3 fig.4 la RDS(on) passa da 0.5 @ -50C° fino a 2.5 @ 150C°, (sono valori normalizzati) direi che il coefficiente di temperatura è senz'altro positivo, e neanche di poco.

-- ciao Stefano

SB ha scritto:

l non

grazie al coeff positivo della RDSon, ma solo se lavorano on_off.

che e' un classe D !

come finali potresti usare indifferentemente mos, bjt, valvole, rele'... tanto lavorano on_off e poi ci pensa la retroazione.

@ 150C=C2=B0,

=A8 senz'altro

a pag 2 dice anche che:

=CE=94VGS(th)/=CE=94TJ Gate Threshold Voltage Coefficient -11 mV/=C2=B0C

quindi in un finale lineare avrai un mos che si prende tutta la Ibias e=20 si scalda, gli altri restano freddi e senza bias.

saluti

I mos sono sempre mos, mica lo sanno se sono usati in audio o come soprammobili :). E in audio sono usati in linearita` (almeno in questo thread si parlava di quello). E tipicamente i mos in parallelo in qualunque circuito (analogico o switching) possono fare casino se non si sa come metterli in parallelo. Un mio giovane collega una volta ne aveva fatti esplodere una dozzina (a rate, non tutti insieme), per averli messi in parallelo. Poi era venuto a chiedere come fare :)

Questa e` una applicazione switching, e non ci sono mos in parallelo

senz'altro

Vero ma non c'entra. Stiamo parlando di stadi di amplificazione lineare, non di interruttori. E se guardi la variazione di Vgsth vedi che sono

-11mV/K (anche se mi pare parecchio).

L'effetto di questa variazione la vedi in figura 1 e 2. La seconda curva dal basso (Vgs=5.5V) rappresenta la tipica condizioni di linearita`. Se guardi la corrente a 25 C (sul portatile usa non ho il pallino dei gradi :() e` dalle parti di 200mA, mentre a 150 C sale a 3A. Stessa cosa capita per la condizione Vgs=6V. La stessa informazione viene data dalla figura 3.

PS: se basandoti sulla figura 4 decidi di mettere in parallelo dei mos in commutazione, aspettati brutti comportamenti ed eventuali esplosioni, se il layout e lo schema non e` quello corretto :)

Non sapevo come differenziare il nome dall'originale e con ben poca fantasia ho aggiunto una J per indicare che il mio programma =E8 scritto in Java ed =E8 quindi completamente multipiattaforma.

Per riavvicinarmi alla discussione originale, mi chiedevo anche come si comportasse un circuito pi=F9 o meno controreazionato quando viene portato in saturazione...

- mmm... ma certo. ..Però, che pazienza, scrivere a mano tutti quei codici. Con la penna... Uno diventa vecchio. Facendo lo schiavetto. Cottimista, tipo. Ecco perché i programmatori hanno quell'aria stanca. E vengon qui sul newsgroup tutti mosci. Chissà allora i programmi di centinaia di megabyte o un sistema operativo di gigabyte... bisogna vivere per secoli. E poi dopo, a controllarli tutti... o ti fidi... o se no... Se ti fidi, è un terno al cottimo.

- E' una questione esistenziale? Be', un trigger ci sta proprio incollato, alla saturazione. Ho quest'idea, no, un po' forzata e poetica se vogliamo, che il trigger di schmitt sia un po' il reciproco di un anello di controreazione (non so se tu parlavi di un anello, io comunque penso all'anello). Praticamente, nel trigger hai un'accelerazione del guadagno... mentre l'anello di controreazione frena e rallenta. Cosa c'entra 'sto discorso?... Niente, credo, ma un po' volevo dirlo -*_ uniposta(at)yahoo.it -*_ uniposta(at)gmail.com

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Darwin:

Io invece, con un po' di pratica, ho imparato a differenziare i somari violenti come il tuo interlocutore. Dammi un'occhiata all'alimentatore telefonico, anziché giustificarti con un minus habens multa volentem.

Il giorno Sun, 23 Nov 2008 09:21:33 -0800, Franco ha scritto:

parecchio).

Quindi l'effetto della Vgsth a coefficiente termico negativo prevale sulla RDS(on) a coefficiente positivo.

Mi stai distruggendo il mito dei power MOS :-)

Non lo faccio abitualmente, ma mi è capitato.

Dovevo riparare urgentemente un azionamento in CC (non ricordo + la marca) in cui il MOS del pwm era crepato, probabilmente per un assorbimento eccessivo del motore. (l'elettrovalvola proporzionale che comandava si era incrostata)

Ho risolto mettendo un secondo MOS direttamente sopra il primo, su un suo dissipatore fissato con la stessa vite del TO220 di sotto e coprendo il tutto con del silicone, confidando nel coefficiente termico positivo del 'pacchetto'.

Sono 2 stagioni che va, e non credo nemmeno che tengano pulita la valvola, nonostante le raccomandazioni.

-- ciao Stefano

- Apperò, sempre peggio. La coscienza è un optional... L'intelligenza (e la sensibilità) va be', si sapeva -*_ uniposta(at)yahoo.it -*_ uniposta(at)gmail.com

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No, la rDS(on) serve quando usi il mos come interruttore: in quelle condizioni la tensione di soglia non conta perche' comunque si va in overdrive pesante. Invece la variazione della soglia e` importante nelle applicazioni lineari.

Una resistenza da 10 ohm almeno su ciascun gate, per prevenire autoscillazioni porta sempre bene :)

Il giorno Mon, 24 Nov 2008 08:45:07 -0800, Franco ha scritto:

Terrò presente per il futuro, grazie comunque.

-- ciao Stefano

La regola la conosco, ma vorrei capire come nascono queste autooscillazioni. Si tratta della capacit=E0 di gate che risuona a certe frequenze con le induttanze parassite che ci stanno attorno ed il mosfet fornisce un guadagno sufficiente per fare in modo che le oscillazioni non si smorzino? In che applicazioni di solito si notano queste autooscillazioni? Per ora, la resistenza l'ho sempre messa, e quindi non le ho mai osservate in pratica.

Darwin:

Guarda che Franco stava parlando solo di riti apotropaici. :D

Ci sono tre casi studiati di questo genere, due riguardano i dispositivi in parallelo, e uno il dispositivo singolo.

Il problema generale e` che si hanno dispositivi con banda passante molto ampia e transconduttanza elevata (puo` essere di svariati siemens). Metti due dispositivi di questo genere, con ingresso capacitivo collegati con induttanze varie che si accoppiano fra di loro, e la probabilita` di fare un oscillatore e` decisamente alta. Sono stati studiati da Severns tanti anni fa, e pubblicato su un libro della siliconix, mospower application handbook che ovviamente e` a

L'oscillatore a dispositivo singolo invece credo sia essenzialmente uno hartley, perche' e` abbastanza sensibile a cosa capita sul source.

Ho visto qualche anno fa finire un'era: sul banco un singolo IGBT (non un mos) collegato ad un alimentatore con dei fili lunghi mezzo metro e opportunamente polarizzato, quando e` arrivato ad assorbire un paio di ampere si e` messo ad autoscillare a 7MHz circa defungendo subito dopo. Gli IGBT sono diventati veloci da patire potenzialmente un cattivo layout.

Thanks