"Joerg" schrieb im Newsbeitrag news:qRvvh.274$ snipped-for-privacy@newssvr14.news.prodigy.net... | > Aber warum nehmt ihr nicht gleich 1mOhm Typen? Gibts doch. Zu meinen Zeiten gabs die leider noch nicht und ich mußte mit 7mOhm | > auskommen. | | | Ich hatte Jens gerade den Link zum IRF1324 Datenblatt gegeben. Der | schafft 1mOhm. Das Problem ist, dass diese Dinger nicht ganz einfach zu | beschaffen sind und Ihr wollt das Faesschen Gerstenkaltschale doch | sicher noch diesen Sommer reinzischen. | | 4-5mOhm bekommt man dagegen ueberall und wenn man mit TO-220 zufrieden | ist, sogar deutlich unter $1/Stueck. Setzt man sich eben einen kleinen | Wald davon auf die Leiterplatte und meist kann man sie huebsch | anschrauben und dann satt verdrahten. Auf Kupferschiene oder so. | | Wenn ich jetzt Zeit haette, waere ich uebermorgen schon am Loeten.
Klaro.
Und du bleibst schön bei deiner Briefmarke. Nicht schon wieder ablenken lassen!!
Leiterbahnkupfer verzweifelt, die Leiterbahnen sich
Kondensatoren braucht man doch nur sekundaer, da fliesst nicht viel. Anschluesse muss man eben ordentlich machen. Mein erstes berufliches Projekt enthielt ein 5V/100A Netzteil und es flossen gut 75A. Da wurde nichts heiss und mehr als zwei, drei Millivolt haben wir nirgends verloren. Ein Drehmomentschluessel sollte aber schon in der Werkzeugkiste sein.
"Joerg" schrieb im Newsbeitrag news:Q3wvh.283$ snipped-for-privacy@newssvr14.news.prodigy.net...
| Aber, aber. Wo bleibt der Sportsgeist?
Der Geist geht ins Bett. Der Sport bleibt draußen.
| | | > Hatte mit meiner Hochleistungs-Ladungspumpe vor 10 Jahren schon zu wenig Kunden. Man lernt dazu. | >
| > Wenn man dann sogar über den Spannungsabfall zwischen MOSFET-Anschluß und Leiterbahnkupfer verzweifelt, die Leiterbahnen sich | > langsam schrumpeln, OS-CONs einfach schmelzen, usw., nee nee. | > Aber hier wirds eher Kupferwasserrohr. | >
| | Kondensatoren braucht man doch nur sekundaer, da fliesst nicht viel. | Anschluesse muss man eben ordentlich machen. Mein erstes berufliches | Projekt enthielt ein 5V/100A Netzteil und es flossen gut 75A. Da wurde | nichts heiss und mehr als zwei, drei Millivolt haben wir nirgends | verloren. Ein Drehmomentschluessel sollte aber schon in der | Werkzeugkiste sein.
Wir begnügten uns mit 2x105um Kupfer und ließen gut sein. Ausgezogene OSCONs mit Epoxid an Kühlkörper geklebt und den mit den damaligen CPU-Lüftern durchgequirlt. Die MOSFETs waren einfach noch nicht reif und der Preis mußte handbar bleiben. Wenn die Übertemperaturabschaltung aktiv wurde, machte das Elektroauto kleine Sprünge... *lol*
|> Ich hatte Jens gerade den Link zum IRF1324 Datenblatt gegeben. Der |> schafft 1mOhm. Das Problem ist, dass diese Dinger nicht ganz einfach zu
Fairchild sollte man nicht vergessen, nur weil sie noch TTL-Chips machen ;-) Der FDMS8660S hat 2.4mOhm@10VGS@25A und auch nur 4nF. Bei Zimmertemperatur sind sogar weniger als 2mOhm. Und jetzt kommt das Beste: Digikey hat noch 2000 davon für 2$ das Stück und sogar bleifrei...
--
Georg Acher, acher@in.tum.de
http://www.lrr.in.tum.de/~acher
"Oh no, not again !" The bowl of petunias
Das ist ganz ordentlich. Oliver hatte eine Miniaturversion fuer zulaessig erklaert, wo man nicht unbedingt wenige Milli-Ohm braucht. Ich wuerde wahrscheinlich eher doch die Vollversion bauen, nur so zum Sport. Ausserdem kann man dann beim Stromverbrauch der Steuerung ein wenig mehr herumsplentern, ohne das es zu sehr beim Wirkungsgrad ins Konto schlaegt.
Siehst du den Trafo so kritisch? Die Leistung ist ja mittlerweile eher gering, sollte sich da nicht was fertiges modifizieren und einsetzen lassen?
Lutz
--
Mit unseren Sensoren ist der Administrator informiert, bevor es Probleme im
Serverraum gibt: preiswerte Monitoring Hard- und Software-kostenloses Plugin
auch für Nagios - Nachricht per e-mail,SMS und SNMP: http://www.messpc.de
Kostenloser SNMP-Monitor für Windows: http://www.snmpview.de
Kaum, denn die Primaerwicklung hat nur sehr wenige Windungen. Jedes Milli-Ohm ist kritisch und sie sollte eine Mittenanzapfung besitzen. Da etwas passendes zu finden, ist unwahrscheinlich und dauert sicher laenger als das Auseinandernehmen und Neuwickeln. Netztrafokerne sind angesichts der etwas hoeheren Frequenz eh nicht so der Hit.
"Oliver Bartels" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@4ax.com...
Nein, sie ist bei MOSFET zur Taktfrequenz linear.
Zwar steigt auch die Gatekapazitaet mit der MOSFET-Leistungsfaehigkeit, aber nicht linear, denn gerade hier ist ja die Werbeaussage jedes neuen MOSFETs. Wennn ihr was geeignetes nehmen wuerdet, wie IRF6635, der 180A gekuehlt vertraegt, wuerdet ihr niedrige Gate-Ladungswerte kennenlernen. Keine Ahnung, warum man den Chip nennt, und ihr macht noch dutzende an schlechteren Alternativvorschlaegen, und ja: Farnell hat ihn, nur bekomm ich keine dicken Kabel drangeloetet, und 35u Platine ist mir bei 50A zu duenn. Leider gibts den Chip in keinem anderen gehaeuse, und IRF2804 ist deutlich schlechter, Farnell hat ihn nicht, und die einzigen die hier rumliegen, IRF3205, sind sozusagen alte Garde, damit sollte man das Projekt erst gar nicht anfangen.
Diese Vermutung ist falsch wenn UT = Ugt = Threshold des MOSFETs sein soll. Ich hatte die Treiberleistung bereits ausgerechnet, und selbst mit deinem ungeeigneten MOSFET hast du nur 0.7 Watt ausgerechnet.
Eben.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Du bist schon selber drauf gekommen. Ein kleineres RDS_on, wie für große Ströme benötigt, bedingt letzlich einen größeren Kanalquerschnitt und damit eine größere Gatefläche.
Es mag sein, dass die Technologie die Gatekapazität herunterbringt, es mag auch sein, dass die Werbung das dann als Werbeaussage so rüberbringt, dass es bei Hersteller X viel besser sei, aber grundsätzlich beisst die Maus an der Stelle keinen Faden ab.
Nein, das vewexelst Du:
Ut ist die allgemeine Temperaturspannung, die sich zusammensetzt aus Ut = k T / e
1/2 k T ist die innere Energie, die temperaturbedingt in einem Freiheitsgrad steckt. Durch Teilung mit der Elementarladung sieht man ganz allgemein, für welche Spannung z.B. an PN Übergängen sie in Zusammenhang mit einem Elektron (das ja gerade durch die Temperatur kinetisch aktiv ist) mikroskopisch gesehen gut ist.
Das Prinzip ist z.B. bei einem Diodenübergang einfach verständlich: Durch die allgegenwertige Temperatur werden Ladungsträger mit kT auf die andere Seite der Sperrschicht getrieben (Energie kT), diese bauen aber ein Potential auf (die Atomkerne kommen ja nicht mit), das letztlich die Übertrittswahrscheinlichkeit weiterer Ladungsträger reduziert. Die Änderung ist also von dem abhängig, was schon da ist => Exponentialfunktion, damit letztlich die Ursache der allseits beliebten Diodengleichung.
Natürlich ist diesem Potential von außen ein anderes entgegengesetzt, die Diode ist ohne externe Spannung (und ohne Lichteinfall) ja spannungslos.
Nur: Im Halbleiter wären da IMHO schon Strukturen denkbar, die mit dem Potential aus thermodynamischer Sicht Schindluder treiben, bitte bedenke, dass CCD's als Ladungsschieber existieren, und die sind unseren MOSFETS nicht unähnlich. Letzeres gilt insbesondere, wenn Fluktuationen durch das Rauschen hinzukommen.
Der zweite Hauptsatz sagt aber nun, dass auf diese Art und Weise bei einheitlicher Temperatur des Gesamtsystems keine Leistung zu gewinnen sein darf.
Insofern halte ich es für möglich, dass hier eine fundamentale Grenze reinspielt, bisher sind so ziemlich alle auf die Nase gefallen, die derart niedrige Spannungen hochsetzen wollten, selbst bei niedrigen Leistungen, auch wenn es kaum grundlegende Untersuchungen dazu gibt.
Ut liegt bei 293K (20 Grad C) bei ca. 25mV.
Nun sind 0,6V selbstverständlich deutlich höher, deshalb sage ich ja auch ganz klar nicht, dass eine Umsetzung auf 30V hier grundsätzlich unmöglich ist, es würde mich aber nicht wundern, wenn hier bereits eine Wirkungsgradeinschränkung greift.
"MaWin" schrieb im Newsbeitrag news:epn4rn$6tt$ snipped-for-privacy@online.de... | "Oliver Bartels" schrieb im Newsbeitrag | news: snipped-for-privacy@4ax.com... | >
| > - Die Treiberleistung dürfte zum zu schaltenden Eingangstrom | > durchaus proportional sein (egal ob MOSFET oder Bipolar, | > da Wechselspannung). | | Nein, sie ist bei MOSFET zur Taktfrequenz linear.
Und abhängig vom Drain-Strom!
| | > - Die Verluste steigen mit dem zu schaltenden Strom. | | Zwar steigt auch die Gatekapazitaet mit der MOSFET-Leistungsfaehigkeit, | aber nicht linear, denn gerade hier ist ja die Werbeaussage jedes neuen | MOSFETs. Wennn ihr was geeignetes nehmen wuerdet, wie IRF6635, der 180A | gekuehlt vertraegt, wuerdet ihr niedrige Gate-Ladungswerte kennenlernen. | Keine Ahnung, warum man den Chip nennt, und ihr macht noch dutzende an | schlechteren Alternativvorschlaegen, und ja: Farnell hat ihn, nur bekomm | ich keine dicken Kabel drangeloetet, und 35u Platine ist mir bei 50A zu | duenn. Leider gibts den Chip in keinem anderen gehaeuse, und IRF2804 ist | deutlich schlechter, Farnell hat ihn nicht, und die einzigen die hier | rumliegen, IRF3205, sind sozusagen alte Garde, damit sollte man das | Projekt erst gar nicht anfangen.
Was willst du denn? Das Gehäuse eignet sich ideal zur Wärmeableitung und hat sicherlich ne niedrigere Induktivität als TO220.
Hab hier sogar einen rumliegen. Übrigens, NUR wegen dem Gehäuse.
"Oliver Bartels" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@4ax.com...
Oliver, ich hatte schon mal geschrieben, das wir von der Grenze noch unendlich weit weg sind, und du selbst weisst es:
wir basteln dir hier kein Perpetuum Mobile.
Bei der du meintest, das nicht mal 70% gehen, erinnere dich an deine Aussagen am Anfang des Threads, obwohl ich ja wohl inzwischen ausreichend vorgerechnet habe, das 70% nicht wirklich unrealistisch sind.
Die 90% sind ja nur durch Jens ins Gespraech gekommen, da wuerd ich den Aufbau auch gerne sehen :-)
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
"MaWin" schrieb im Newsbeitrag news:epn8r8$egl$ snipped-for-privacy@online.de... | Die 90% sind ja nur durch Jens ins Gespraech gekommen, da wuerd ich | den Aufbau auch gerne sehen :-)
Am Ende wird eh höchstens nur einer übrig bleiben, der diese durchaus interessante Sache mal umsetzt. Naja, vielleicht findet sich ein zweiter, damit es nicht ganz so langweilig wird...
Vorher sollte man aber mal Belastungsdiagramme der Brennstoffzelle sehen und ne ordentliche Patentrecherche bzw. Google-Recherche machen. Eventuell ist das alles schon abgeklärt. Wäre nicht die erste Entwicklung, die (völlig) sinnlos passiert.
Als Diplomarbeit im Bartelsstall wäre das doch auch interessant. Er hat ja so ein Netzteil. Oder muß das auch erstmal entwickelt werden? Irgendwo hatte ich noch ne kräftige Stromzange...
Dürfen denn auch "Beobachter" zur Bratwurstfeier kommen? Achso München, das wären ja schlappe 600km.
Hab ich auch schon gesehen, wie sieht das eigentlich mit der Total-Gate-Charge aus, ist die nicht maßgebend? Da wäre der mit 180nC nicht so gut, ausserdem benötigt der 10V zum Ansteuern. Ansonsten gäbe es noch die IRF66xx Reihe, zB IRF6635 mit 1.8mOhm @4.5V und nur 47nC Total-Gate-Charge. Kannst nur nicht vernünftig löten... Aber ich denke man hat genügend Auswahl, daran wird es nicht scheitern.
Ich kenne mich mit den Kernmaterialien nicht so aus, hab mal bei Kaschke vorbeigeschaut. Da ich vermutlich einseitig mit Strom belaste, müsste man wohl einen Luftspalt mit einplanen. Soll geregelt werden. Ich probier das halt einfach mal mit einem 2006 Kern aus, kann man ja immer noch ändern.
PS: die volle 30W tue ich mir nicht an, so ehrgeizig bin ich nu wieder auch nicht ;-) (ok, hatte mich etwas verplappert) Mir geht es ja eigentlich nur darum zu zeigen, dass >90% möglich sind.
"Henry Kiefer" schrieb im Newsbeitrag news:45bf299e$0$27620$ snipped-for-privacy@newsspool2.arcor-online.net...
Du kannst ja meinen umsetzen, MOSFET und Steuer-IC hab ich genannt, Schaltung steht im Datenblatt/AppNote zum IC, Dieter hat sekundaer geklaert, Kern berechnet Schmidt-Walter, bleibt der Aufbau, bei dem ich jeden erschiessen wuerde, der mehr als 1cm Draht zwischen MOSFET, Eingangskondensator und Kern legt, gluecklicherweise eignet sich die Topologie aber fuer so kurze Leitungen, Hochstrom geht von + direkt in den Kern, vom Kern direkt an Drain, von Source direkt an - und zwischen + und - muessen die Eingangskondensatoren, das alles geht per Draht (Zuleitung bzw. Spule) ohne Platine, wenn denn der MOSFET ein direktes anloeten des Drahtes erlauben wuerde. Tut der 6635 nicht, daher spar ich mir den Aufbau, vergleichbare in D2PAK hab ich nicht gesehen. Was mir fehlt, ist der Kondensator, der am Eingang die Zuleitungsinduktivitaet ausgleicht und 50A liefern kann, und die Frage, ob man die SG3525-Ausgaenge mit MC33151 o.ae. verstaerken sollte.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
"Jens Dierks" schrieb im Newsbeitrag news:45bf2c60$0$22187$ snipped-for-privacy@news.freenet.de...
Dann solltest du den Kern besser berechnen, das Volumen traegt schliesslich zu den Verlusten bei, und du musst Ummagnetisierungs- verluste und Drahtverluste gegeneinander angleichen.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Keine Ahnung wie man die Ummagnetisierungsverluste genau berechnet, da vertraue ich einfach mal auf Joergs Erfahrung. Zumindest geht das 2006 Material bis 300kHz ohne stärker werdenden Verlusten, wenn ich das richtig beurteile. Wie hoch eventuelle permanente Verluste sind, kann ich nicht herauslesen. Naja, bis jetzt habe ich noch etwas Spielraum an uneingeplanten Verlusten...
"MaWin" schrieb im Newsbeitrag news:epndaj$mqe$ snipped-for-privacy@online.de... | "Henry Kiefer" schrieb im Newsbeitrag | news:45bf299e$0$27620$ snipped-for-privacy@newsspool2.arcor-online.net... | > "MaWin" schrieb im Newsbeitrag news:epn8r8$egl$ snipped-for-privacy@online.de... | > | Die 90% sind ja nur durch Jens ins Gespraech gekommen, da wuerd ich | > | den Aufbau auch gerne sehen :-) | >
| > Am Ende wird eh höchstens nur einer übrig bleiben | | Du kannst ja meinen umsetzen, MOSFET und Steuer-IC hab ich genannt, | Schaltung steht im Datenblatt/AppNote zum IC, Dieter hat sekundaer | geklaert, Kern berechnet Schmidt-Walter, bleibt der Aufbau, bei | dem ich jeden erschiessen wuerde, der mehr als 1cm Draht zwischen | MOSFET, Eingangskondensator und Kern legt, gluecklicherweise eignet | sich die Topologie aber fuer so kurze Leitungen, Hochstrom geht | von + direkt in den Kern, vom Kern direkt an Drain, von Source direkt | an - und zwischen + und - muessen die Eingangskondensatoren, das alles | geht per Draht (Zuleitung bzw. Spule) ohne Platine, wenn denn der MOSFET | ein direktes anloeten des Drahtes erlauben wuerde. Tut der 6635 nicht, | daher spar ich mir den Aufbau, vergleichbare in D2PAK hab ich nicht | gesehen. | Was mir fehlt, ist der Kondensator, der am Eingang die | Zuleitungsinduktivitaet ausgleicht und 50A liefern kann, und die Frage, | ob man die SG3525-Ausgaenge mit MC33151 o.ae. verstaerken sollte.
Nee, laß mal gut sein. Ich habe nicht genug Zeit bzw. interessantere Sachen. Außer jemand bezahlt mir die Entwicklung??
Außerdem habe ich mir bereits einige Haare beim Entwickeln meiner damaligen Hochleistungs-Ladungspumpe vergrau(l)t. Das Patent will auch keiner.
Der SG3525 ist recht schwach am Ausgang. Hatte mal 4 leistungsstarke MOSFET parallel an den Ausgängen. Da hat er schon rumgekotzt bei einigen 10kHz. Der wird dann einfach glühend heiß, da ein MOSFET eigentlich die gesamte Gate-Leistung reflektiert -> also alles im Treiber verbraten wird. Macht man Widerstände dazwischen, wird der Treiber noch langsamer... Das bringts also auch nicht so recht.
Ich würde den ICL7667 bzw. seine Verwandten nehmen und davor einen schnuckeligen kleinen Microcontroller, der dann auch die gesamte Überwachung macht.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.