steinalte FETs mit modernen ersetzen

T.Krüger schrieb:

Bei welcher Temperatur?

BF545 hat laut Datenblatt schonmal ein Fünftel des Leckstroms vom BF245. Aber immer noch mit sehr starken Toleranzen behaftet (typisch 0.5 pA, maximal 1 nA (!) - bei 25°C). Und steigend mit der Temperatur.

Bessere gängige JFETs sind mir auf die Schnelle nicht bekannt. Jörg?

Tilmann

T.Krüger schrieb:

Klingt auf den ersten Blick danach, als solltest du nach einem MOSFET suchen. Schau einmal, ob du bei Vishay, On Semi oder Faichild was findest.

Robert

Ob die gerade gängig sind oder besonders wenig Leckstrom haben kann ich nicht sagen, existieren zumindest als Einzelstücke/Kleinmengen in meinem Regal:

doppelte: Siliconix 2n5564 Siliconix E430 Toshiba 2sk389 abgekündigt, aber wohl noch zu bekommen (Segor?)

einzelne: Toshiba 2SK369 (Segor)

mpf102 soll angeblich Moto's Negativ-Auswahl gewesen sein.

Generell streut bei JFETs die 'eingebaute' Gatevorspannung recht stark. Wenn man etwas symmetrisches will, kommt man selten ohne Selektion aus, ober man nimmt gleich einen Doppeltransistor.

Gruß, Gerhard

T.Krüger schrieb:

Hallo,

bei

Als "Messmethode" für 50pA kann man einen Opamp mit MOSFET und minimalem Eingangsstrom verwenden der als Integrator beschaltet wird mit einem hochwertigen Kondensator (z.B. Styroflex oder Glimmer). Den Eingangsstrom kann man dann bestimmen aus dem Spannungsanstieg am Integratorausgang. So habe ich jedenfalls schon den Sperrstrom von Picoampere-Dioden oder auch FETS gemessen und die Ergebnisse haben gut mit den Daten im Datenblatt überingestimmt. Man kann natürlich nicht auf

Bernd Mayer

Hallo Tilmann,

Die gaengigen JFETs sind in die Jahre gekommen und neues wuesste ich auch nicht. Doppeltransistor schon gar nicht. Der Markt ist nicht mehr sehr gross. Hersteller von Spezialmessgeraeten selektieren sich oft die Rosinen heraus. Bei so kleinen Stroemen fallen Ausseneinfluesse ins Gewicht. Ich denke mal nicht, dass das z.B. ohne Einkapselung funktioniert, wenn ein Braunkohlekraftwerk naeher als 50km ist. Bei uns reicht vermutlich das Vorbeifahren eines Schulbusses mit der ueblichen Russfahne.

Wie Robert schrieb, ist eine Suche unter den MOSFETs aussichtsreicher.

-20Vgs ist allerdings bei den meisten hart am roten Bereich.

MOSFETs mit Leckstroemen unter 50pA zu finden ist nicht einfach. Das geht fast nur wenn man welche ohne ESD Dioden nimmt, also zum Beispiel SD210. Die sind aber nicht unbedingt leicht beschaffbar und auch nicht ganz billig.

Als JFET habe ich ganz gerne den J201 genommen, der ist (war?) relativ billig und gut erhaeltlich, Igss typisch ist 2pA. Allerdings wird Igss nur auf 100pA max in der Produktion getestet. Streng genommen kommt man also um Messen nicht herum.

Gruss

Klaus

Jawoll.

Die meisten jfets sind aber wesentlich besser. Die meisten Leute brauchen das nicht, darum wird es nicht gemessen. Die kleinen Ströme führen zu gigantischen Zeitkonstanten & wenn ein Transistor 10 sec auf dem Wafertester liegt kann er nicht mehr billig sein. Bob Peace

Gerhard

Gerhard Hoffmann schrieb:

...

Nur damit sich keiner totsucht: der Typ (ist wirklich einer!) heißt Pease!

HTH

Reinhard

Hallo Reinhard,

Und er antwortet normalerweise auf Emails.

Joerg schrieb: [Robert Pease]

Hoffentlich lebt er noch lange.

Gruß Dieter

Ja. Und zwar MOSFET _ohne_ Gateschutzdioden.

Es gibt auch OPV mit gezüchteten extrem geringen Leckströmen. Burr&Brown?

Robert Hoffmann schrieb:

Peinlich, peinlich, da hab ich mich ja voll blamiert jetzt! Ich hätte einmal stillschweigend angenommen, daß ein MOSFET einen geringen Gate-Leckstrom hat als ein JFET.

Gehe schon in Deckung.

Robert

"T.Krüger" schrieb im Newsbeitrag news:4603f523$0$15950$ snipped-for-privacy@newsspool4.arcor-online.net...

Hallo,

Du kannst ja mal hier vorbeischauen. Da gibt es Fets mit 1pA, auch Duals.

Allerdings mit moderner hat das nichts zu tun. Das sind eben Fets für Spezialanwendungen. Sicher kein Massenmarkt und daher oft "single source" und teuer.

Werden die als Schalter benutzt oder als erste Verstärkerstufe? Falls du nur Schalter suchst dann eventuell MAX326,327,328,329.

Also Duals nimmt man nur wenn man eine Differenzeingangsstufe bauen will. Die sind nicht dafür gedacht Platz zu sparen, sondern das sind "von Hand" auf Vgs selektierte Pärchen in ein Gehäuse verpackt. Dadurch haben sie auch immer ungefähr die gleiche Temperatur womit die Temperaturdrift klein bleibt.

Ach ja und von dem Tipp MOSFETs ohne Schutzdioden zu verwenden, kann ich nur abraten. Im Gegesatz zu JFets gehen die schon bei einmaliger Überspannung kaputt (Stichwort ESD).

Gruß Helmut

. Ja, OPA128: 75 fA max; DIFET-Eingänge (fA: femto-Ampere!) Es gibt da über 10 weitere Low-Bias in meinem Datenbuch.

MOSFET ohne Gateschutzdioden kenne ich von Gasspürgeräten her, wo der Widerstand einer Flamme gemessen wird.

Robert Hoffmann schrieb:

Neumodisches Zeuch, solid state Krempel halt. DF703 kommt locker unter 3fA Gitterstrom. Hat jahrzehntelang in Vakuummetern funktioniert. Und ist auch nicht viel grösser als ein bedrahteter Transistor.

Hallo Rolf,

Die gibt es aber wahrscheinlich nicht mehr aus laufender Produktion. Es sei denn, eine Firma wie Svetlana haette das uebernommen.

Joerg schrieb:

Mußte einfach mal schauen., ob diese Elektrometerröhre noch zu bekommen ist. Hier das Ergebnis:

Viel Vergnügen beim Konstruieren ;-)

mfg hdw

T.Krüger schrieb:

Bei welchem Drainstrom? Hohe Spannungen und hoher Strom führen bei N-Fet zu hohem Gatestrom :-(. AoE empfiehlt P-Fet ohne zu sagen woher man den nehmen soll.

Modern ist das Problem. Früher [tm] hätte noch jemand eine dual Fet-Kaskode in der Schublade gehabt, NDF9401ff. Da wär man unter ca 5pA geblieben.

Dieter Wiedmann schrieb:

Gebt ihm doch einen Zellaktivator :-)

Butzo