Igss bei JFET und MOSFET (war steinalte FETs mit modernen ersetzen)

Hallo!

Komme erst jetzt dazu nachzufragen.

Habe einmal eine (sicher nicht repräsentative) Auswahl von Kleinsignal-FETs durchgeschaut:

Ein paar Werte für Igss MOSFETs: BS170 10nA bei 15V BSS89 100nA bei 20V BS108 10nA bei 15V ZVN2110 20nA bei 20V BSS123 10nA bei 20V

JFETs: BF245 5nA bei 20V BF246 5nA bei 15V IFN147 1nA bei 30V J201 0.1nA bei 20V

2SK369 1nA bei 30V

Genommen habe ich dabei immer die Typical-Werte bei Raumtemperatur.

Der Leckstrom hat allgemein betrachtet eine aufbaubedingte Komponente und eine durch das Material. Liege ich richtig in der Interpretation der Daten, dass bei JFETs der Stromanteil durch Material dominiert und bei MOSFETs der aufbaubedingte?

Robert

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Robert Hoffmann
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