Loeten von MSOP mit Masseflaeche drunter

Hallo Joerg, da kann ich noch einen drauflegen.

Hab ich als Kind gern gesehen: Tammy, das Mädchen vom Hausboot

X-No-Archive: Yes

begin quoting, Joerg schrieb:

Was nimmt der auch seinen Hintern von dem Reifen weg ...

Gruß aus Bremen Ralf

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R60: Substantive werden groß geschrieben. Grammatische Schreibweisen:
adressiert Appell asynchron Atmosphäre Autor bißchen Ellipse Emission
gesamt hältst Immission interessiert korreliert korrigiert Laie
nämlich offiziell parallel reell Satellit Standard Stegreif voraus

Schoen!

Damals hatte ich am liebsten Bonanza gesehen. Und jetzt wohne ich nur einige zig Meilen von der Ponderosa entfernt, die naechste Abfahrt heisst Ponderosa Road und unsere High School auf dem Berg gegenueber heisst Ponderosa High. Habe auch mal im Kaminzimmer der Cartwrights gestanden, wirklich imposant, aber das ist ja nun nicht mehr :-(

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Gruesse, Joerg

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Joerg schrieb:

Ich weiß ja, dass Du Deine FETs immer volle Kanne ansteuerst. In meinen bisherigen Designs bin ich noch nie ohne zusätzliche Gate-Vorwiderstände ausgekommen. Damit wird das ganze dann schnell viel definierter und EMV-technisch beherrschbarer. Ein MOSFET RDSon (auch der vom Gate-Treiber) geht über die Temperatur nämlich locker Faktor 3, hinzu kommen die Fertigungstoleranzen. Wie will man da in Serie die EMV-Eigenschaften garantieren? Wenn Du in Deinem Design schon mit normalen Silizium-Dioden arbeiten musst, statt mit Schottkys, verbietet sich eine zu kurze Schaltzeit sowieso, da sonst das Reverse Recovery ein riesen Theater macht. Das Recovery-Verhalten wird bei hohen Temperaturen zunehmend langsamer und erzeugt da dann locker mal die 3fache Verlustleistung im FET wie bei Raumtemperatur.

Mir ist es ein Rätsel, wie Du Deine Designs immer mit so hart angesteuerten FETs EMV-technisch hinbekommst.

Das andere Problem: Da heutzutage alles

Ja, so ist das bei höheren Spannungen halt. Und wenn Du zu schnell schaltest, dann schießt Dir bei harten Dioden, die kein Soft-Recovery können, das hohe di/dt das Gate über den Miller gerade wieder auf. Und da kann man fast gar nichts dagegen tun, außer langsamer zu schalten und eine Miller-Killer-Kapazität an der Basis zu spendieren.

Michael

Helmut Sennewald schrieb:

Gehe mit, sagt mir auch noch was :-)

Subbaaaaa, Danke!

Butzo

Ja, immer voll Bleifuss :-)

Das geht nur ueber gutes Layout. Was fuer mich manchmal ein Problem darstellt weil ich das nicht selbst mache. Mein Layouter ist aelteres Semester, hat daher gut Ahnung, wir arbeiten schon lange zusammen und er weiss wie ich das gern haette. Ich hoffe nur, dass der nicht so bald in Rente geht. Wenn Kunden das Layout selbst machen, entwerfe ich schonmal ein Teil-Layout oder skizziere das rasch auf. Ein Prosit dem Flachbett-Scanner mit Papiereinzug.

Wird wohl etwas in der Art der MURS320 von ON Semi werden, liegt bei

20-30nsec. Ist mit 13c auch nicht gar so teuer.

Beim letzten hatten die Jungs im EMV Labor gedacht der Analyzer sei kaputt, so ruhig war das. Dabei lief die Pruefung nach DO-160, eine Ecke strenger als Klasse B. Zwei weitere sind in der Pipeline.

Nun ja, in diesem sitzt schon noch ein Angstwiderstand im Gate drin. Habe aber vor, da mit dem ueblichen 0.1ohm Kurzschluss hinzukommen oder was immer von den Stromsensoren an Werten uebrig ist. Leider steht ja beim Treiber nichts dazu im Datenblatt.

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Gruesse, Joerg

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Ich weiss nicht ob das im deutschen Fernsehen lief, ich hatte Gilligan's Island als Kid nur in Englisch gesehen:

Als wir nach Amerika umzogen und die ersten paar Wochen in einem Apartment wohnten, stellte ich freudig fest, dass das dort im Kabel-TV wieder zu sehen war. Da zweifelte meine Frau daran, ob ich jemals aus dem Kindesalter rausgekommen bin ...

Dann war da natuerlich noch Gunsmoke:

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Gruesse, Joerg

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Hallo Jörg,

Naja, klingelnde Dioden, schwingende Sperrschichtkapazitäten und Wicklungskapazitäten von Schaltreglerdrosseln kriegt man eigenlicht nicht weglayoutet.

Ich meine, ich habe letztes Jahr mal eine MURSxxxx vermessen und mit etlichen anderen Dioden verglichen. Die war zwar sehr soft aber unglaublich langsam im Vergleich zu moderneren Typen (z.B. Stealth-Dioden von Fairchild). Damals meinte ich auch einen Trend zu sehen, dass 600V-Dioden vom Recovery-Verhalten gutmütiger sind als 300V-Dioden. Bei 100°C waren übrigens alle Dioden nur noch ca. 1/3 so schnell wie bei

25°C. Das wird auch nie spezifiziert.

Ich hätte so ne Leiterplatte von Dir gerne mal aufm Schreibtisch zum untersuchen.

Und wenn was drin stehen würde, hätte der Wert trotzdem riesige Toleranzen. Wie gesagt ist das ganze extrem temperaturabhängig. Moderen Gate-Treiber haben MOSFETs und Bipolare parallel, weil damit irgendwie der Miller-Bereich besser durchfahren wird. Da kannste dann eine RDSon-Angabe eh vergessen.

Michael

Nein, die nicht, doch bis auf die Drossel produziert das bei gescheitem Layout kein EMV. Bei den Drosseln muss man dann fein aufpassen. Was die Marketingleute "geschirmt" nennen muss nicht viel heissen. Da muss man untersuchen wieviel des magnetischen Kreises aus Epoxydharz besteht. Minisonden (Stueck Loop mit 1-2mm Durchmesser am Ende eines Koax) koennen in dieser Hinsicht viel Ueberzeugungsarbeit beim Kunden leisten. "Oh, stimmt, diese Drossel sollten wir doch nicht nehmen".

Huch? Wie schnell waren denn die anderen? Da waere ich fuer eine Tip dankbar.

Interessant, das hatte ich noch nicht.

Ja, leider spezifizieren die nur bis zum Abwinken Leckstrom ueber die Temperatur, was kaum jemand so dringend braucht.

Taete ich gern, aber dann gibt's dicken Zoff. Wenn Du Werkzeug mit an Bord nimmst, koenntest Du hoechstens beim Flug eine ausbauen, gaebe aber richtig dicken Zoff ;-)

Hint: Ganz heisse Traces zwischen zwei Ground Planes oder wenigstens zwischen eine GND und eine moeglichst gut abgeblockte Power Plane packen. Geht sogar wenn die Power Plane geteilt ist recht gut. Verbliebene Loops mit SMT Ferriten brechen. Dann noch einen kleinen Tiefpass gleich am Abgang der die scharfen Ecken des Ripple wegpoliert.

Der LM5112 ist in dieser Hinsicht interessant und ich hatte ueberlegt einen zwischen PWM Chip und FET zu packen. Gibt es aber nur in diesen aetzenden Winz-Gehaeusen und der macht einem teilweise die Rechnung zum Current Mode Control kaputt. Prop Delay, Temperaturtoleranz selbigens usw.

BTW, wenn jemand eine richtig fette SEPIC Doppeldrossel von der Stange weiss waere ich fuer Tips auch dankbar. So einige zig uH pro Wicklung und um die 10A. Bedrahtet waere sogar besser, weil zu schwere SMT Teile bei harten Landungen und so mitsamt Pads abreissen koennen. Bisher fand ich nur Coilcraft MSD1278, aber das geht fuer solche Stroeme nur bis

10uH, weshalb der Wandler mit einigen hundert kHz laufen muss und damit die Umschaltverluste schmerzen.

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Gruesse, Joerg

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Hallo Jörg,

Da wir hier im Automotive-Bereich auch Kostendruck haben, wird meistens was von der Stange eingesetzt. Da landet man häufig bei Coilcraft, weil die das nach AECQ-200 freigeben. Die angeblich geschirmten Drosseln strahlen dann doch noch so viel ab, dass eine Leuchtdiode an eine zweite Drossel angelötet, leuchtet, wenn man sie in die Nähe des laufenden Wandlers hält.

Hab gerade nachgeschaut. Vermessen habe ich die MUR1560. Die war locker Faktor 3 langsamer als alle anderen und Soft Recovery konnte sie auch nicht. Ansonsten sind die Steahlt von Fairchild, die EPH/EPX von IRF(Vishay) ganz gut. Von ROHM haben wir auch schöne Muster bekommen. Waren aber alles Dioden im 8-30A-Bereich.

Mein erstes Projekt nach dem Studium in einer anderen Firma war die Entwicklung von 150W Schaltnetzteilen für Hubschrauber-Avionic (ohne Betreuung eines erfahrenen Ings). Versorgt aus 28VDC. Da habe ich viel Angstbauteile reingesetzt und das ganze etwas mit dem Oszi optimiert (mehr Equipment hatten die nicht). Dann gings zur EMV-Messung, die wir auf Anhieb bestanden haben. Als ich dann den Chef anrief meinte der, ich wolle ihn vera...n. Das war auch alles nach DO160 und scheinbar problemlos.

Hier im Automotive-Bereich war es noch nie so einfach. Die wollen in allen Radio-Bändern Ruhe haben, damit das Autoradio gut funktioniert. Außerdem sind Blechgehäuse und Abschirmung nie gern gesehen. Die Leiterplattengeometrie widerspricht häufig einem guten Layout und kosten darf es auch nichts. Ringkerne durfte ich noch nie einsetzen. Und dann wars bisher immer ne Quälerei.

Naja, das mit zwischen den Power Planes fahren geht ja erst bei 6lagig vernünftig, wenn doppelseitig bestückt wird. Diesen Luxus kann man sich hier eigentlich fast nie leisten. Die ersten Oberwellen der Schaltfrequenz bekommt man grundsätzlich nur durch dicke Filter weg, die kosten Geld und Platz und sind deshalb nicht gewollte. Außerdem koppeln die Leistungsdrosseln (auch geschirmte) häufig in die Filterdrosseln ein. Das widerspricht dann Deinem Tipp, das nahe zusammenzusetzen. Bei der Ausrichtung des Kerns ist man auch nicht frei, da fast alle SMD-Drosseln stehende Kerne haben, was die gegenseitige Kopplung nicht gerade positiv beeinflusst.

Warum das? Mit welchen Schaltfrequenzen arbeitest Du, dass das Probleme macht?

Ich kenne auch nur die. Die Wicklungen Resonieren auch schön miteinander und waren auch durch Ferrite nicht zu bändigen. Aber Ferrite wirken unter 20MHz eh kaum und bei mir lagen die meisten Probleme bisher immer bei 1-20MHz. Darüber wars meistens ruhig.

Michael

Helmut Sennewald schrieb:

s/simulieren/schwurbeln

Horst-D.Winzler schrieb:

Großes Fettnäpfchen!

Dieter Wiedmann schrieb:

Nachdem Dir Markus G. als Schwurbler abhanden gekommen ist, muss jetzt Jörg dran glauben?

Michael

Das war jetzt aber unfair.

Gegenüber Markus G.

:)

Michael Rübig schrieb:

Doppelfehler.

Gruß Dieter

"Axel Schwenke" schrieb

Der rettet momentan die Welt vor 'global warming', indem er die Solarkonstante verändert und damit das Ozonloch schliesst oder so ähnlich, hab's nicht ganz exakt verstanden:

Rüdiger Klenner schrieb:

Bei dem hat der Bindl-Grosch-Effekt schon voll zugeschlagen, bei Joerg wirds nicht mehr lange dauern.

Gruß Dieter

R=FCdiger Klenner schrieb:

Er rettet die Welt auf einer Sahnetorte mit Pausentaste und einem Wahlro=DF= =2E Wo hast du da Verst=E4ndigungsprobleme?

BTW "hab`s" >

--=20 mfg hdw

In article , "Horst-D.Winzler" writes: |> |> BTW "hab`s" >

Eigentor.

Hab's = Zusammenziehung aus "habe es", d.h. klassische Verwendung des Apostrophs zur Signalisierung einer Auslassung.

Keinesfalls die fälschliche Abtrennung des Genitiv-, Plural- oder beliebigen S.

Übrigens schreibt man den Apostroph auch so ' und nicht so `, letzteres nennt man Akzent.

Rainer