Transistor Schaltzeiten

"Kai Sommer" schrieb im Newsbeitrag news:dhc6pr$sm2$04$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Sicher. Je hoeher die Frequenz wird, um so weniger folgt ihr der Ausgang des Transistors, um so weniger hat er sie verstaerkt, bis hin zu keiner Verstaerkung mehr (also genau so viel raus wie rein), das nennt man dann die Transitfrequenz im Datenblatt des Transistors. So weit geht man inder Praxis natuerlich nicht, einfache Modelle werden nur bis einige hundert Hertz eingesetzt, Leistungstransistoren mit Kilohertzbereich sind schon was besonderes, aber kleine gehen bis in die Radiofrequenzen und moderne schaffen mehrere Gigahertz. Letztlich haengt es von der Elektronenbeweglichkeit im Halbleiter ab, bei Gallium-Arsenid besser als bei Germanium besser als bei Silizium, aber die Kapazitaeten (die Groesse nahe nebeneinanderliegender Flaechen) spielen auch eine grosse Rolle.

Kleiner, allgemeiner Tip am Rande, da Du offensichtlich am Lernen bist:

Schau Dir mal SwitcherCad(1) von Linear an.

Da kannst Du Deine Grundschaltungen bis in alle Ewigkeiten simulieren und lernst so viel besser und effizienter. (Zumindest war es bei mir so; nur ein Mausklick und schon sieht man die Auswirkungen von veränderten Parametern, an allen möglichen und unmöglichen Stellen Ströme 'messen' oder mal eben eine Kurvenschar in Abhängigkeit der Temperatur zeichnen usw.).

Kai Sommer schrieb:

Hallo,

mal ganz vereinfacht ausgedr=FCckt wenn die Periodendauer der=20 Eingangsfrequenz kleiner wird als die Summe der Einschaltzeit und der=20 Aussschaltzeit des Transistors kann man keine grossartige Verst=E4rkung=20 erwarten. Allerdings spielt da das Problem der S=E4ttigung mit, wenn man den=20 Transistor im Schaltbetrieb bis in die S=E4ttigung bringt wird die=20 Ausschaltzeit dadurch besonders lang. Vermeidet man die S=E4ttigung gehen= =20 auch h=F6here Frequenzen. Wenn einigermassen linear verst=E4rkt werden so= ll=20 um wenig Oberwellen zu bekommen mu=DF die S=E4ttigung eh vermieden werden= =2E

Bye