Hallo,
gibbs eigentlich einen vernuenftigen Grund, die sowieso benoetigte Diode zwischen Ausgang und GND auszulagern? Warum ist die nicht auf dem Chip?
Ich layoute schon eine Weile rum, eben diese Diode (SMB) unterzubringen, einfach kein Platz mehr. Platinengroesse ist _fest_, und einlagig.
Gert
"Gert" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@4ax.com...
Sie darf aus elektrischen Gründen nicht auf dasselbe Substrat. Und wie in einem Hybrid-IC oder beim uA78S40 ein Diodenkristall extra daneben dazuzubonden, verringert den yield der Produktion.
-- Manfred Winterhoff
"MaWin" :
Ausserdem kann man mehr thermische Leistung auf die Art vernichten ;-). Der OP könnte aber auf nen andren Chip (mit Synchrongleichrichter = FET im Chip anstelle der Diode) umschwenken, verbessert auch den Wirkungsgrad...
M.
Wieso das denn?
Marcel
Am 13.10.2010 01:22, schrieb MaWin:
Im Backend ja, dafür steigt aber der Frontendyield...
Grüße
Eric.
"Marcel Müller" schrieb im Newsbeitrag news:4cb5790b$0$6978$ snipped-for-privacy@newsspool4.arcor-online.net...
Weil sonst die Kathode der Diode immer intern mit GND des IC verbunden wäre, und das hilft nicht weiter, schliesslich müssen leistungsfähige Dioden vertikal im Chip sitzen.
-- Manfred Winterhoff
OK, also eher ein Fertigungsproblem im Zusammenhang mit n-Substrat.
Marcel
Hab mich mal umgesehen. Der AOZ1021 scheint das zu sein, was ich mir vorstelle.
Danke an alle.
Gert
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