Ich habe mal ein paar Bücher zum Thema Fotowiderstände befragt (vor langer Zeit). Du hast recht, ich hatte es damals verdammt schwer vernünftige Information zu bekommen, zumal viele Bücher alt waren und sich widersprochen haben. Scheint halt so das der Fotowiderstand sogut wie nicht mehr verwendet wird.Wurden wohl alle mit der Zeit durch Fotodioden ersetzt.
Die Kammstruktur ist dazu da um die ausgenutze Fläche (= Empfindlichkeit) bei mögllichst geringer Länge (=geringer Widerstand, schnellere Ansprechdauer) der HL-Bahn zu maximieren. Der spezifische Widerstand von dem HL Material ist nämlich sehr hoch, so das die Länge klein, die Breite groß gemacht wird. Außerdem sind Fotowiderstände verdammt langsam was wohl an der Ladungsträgerbeweglichkeit im HL Material liegt. Außerdem hilft die geringe Länge die Ladungsträgerlebensdauer in grenzen zu halten (d.h. die Ladungsträger sollen fix von einem Anschluss zum anderen kommen), so mein ichs mal gelesen zu haben. Aber wie gesagt die Bücher haben sich da teilweise selbst widersprochen.
Wenn du ne gute Quelle, Buch, Diss. oder sonst was zum Thema Fotowiderstand findest, am besten noch was neueres, dann wäre ich dir sehr Dankbar wenn du dass posten könntest. Bevor ich herausfinden wollte wie ein FE genau funktioniert, ja da war meine Welt noch in Ordnung, bzw. mein Glauben an die Institutionen und an die publizierte Wissensgesellschaft ;)
mfg Moritz. schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@z14g2000cwz.googlegroups.com... Ich schreib zur zeit an einer Facharbeit über diese beiden Sensoren bzw Widerstände. Leider ist es echt schwer vernünftiges Material im Internet zu finden also falls ihr paar nützliche links habt immer her damit, vorallem für den Betauungssenor.
Aber eine konkrete Frage hät ich noch. Wie ist ein LDR genau aufgebaut? Ich meine von den Materialien her. Auf welchem Material liegt der Halbleiter und wieso ist der in Kammform aufgebracht?