da come ho capito sui libri,
il BJT riesce a gestire ingenti quantita' di corrente e produce guadagni elevati in amplificazione ma ha una bassa impedenza di ingresso.
il MOS-FET riesce a gestire elevate correnti(ma meno del BJT) con il vantaggio di una impedenza di ingresso elevata ma un amplificazione a Source(l'equivalente dell'emettitore per il BJT) comune inferiore al BJT in Emettitore comune.
e siccome il Sedra-Smith non tratta gli IGBT, mi sono documentato in rete.
Ovvero ho capito che un IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), e' un incrocio tra BJT e MOS-FET, cioe' riesce ad avere un altissima impedenza di ingresso e contemporaneamente gestire le elevate correnti sul collettore come per i BJT.
e' giusto ?