Chiarimento MOSFET

"Mcippaedo" ha scritto nel messaggio news:4902fe8e$0$14489$ snipped-for-privacy@news.tiscali.it...

capacità di gate ? mk

Un bel giorno, "marcick" ebbe l'ardire di profferire:

Mi sembra che stia parlando della R di drain però... Se non è così effettivamente la capacità di gate è la spiegazione.

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"Due di Picche" ha scritto nel messaggio news:gdv0mp$c1g$ snipped-for-privacy@tdi.cu.mi.it...

vero ... una capacità parassita ci sarà anche sul drain però. A quella frequenza bastano 10pF per osservare un fronte poco ripido. mk

Due di Picche ha scritto:

Si, sto parlando della resistenza di drain. Vi inserisco l'immagine di una simulazione:

dove in rosso è indicata la tensione di gate (in realtà per le due configurazioni è leggerissimamente diversa) in verde la tensione ai capi di R quando questa vale 200Ohm ed in blu la tensione ai capi di R quando vale 10KOhm.

La differenza nel fronte di discesa è evidente! Quello che mi chiedo è: a cosa è dovuta? Quale è l'espressione formale che mi evidenzia questo comportamento?

Di seguito vi inserisco il banale schema fatto in fidocad. Grazie per i chiarimenti.

[FIDOCAD ] MC 140 65 0 0 410 MC 155 40 1 0 080 MC 125 65 0 0 080 MC 155 80 0 0 040 MC 120 65 2 0 000 LI 120 65 125 65 LI 135 65 140 65 LI 155 50 155 55 LI 155 75 155 80 LI 155 35 155 40 LI 95 65 100 65 LI 100 65 100 60 LI 100 60 105 60 LI 105 60 105 65 LI 105 65 110 65 TY 125 55 5 3 0 0 0 * 1KOhm LI 170 55 155 55 TY 100 70 5 3 0 0 0 * PWM In TY 100 75 5 3 0 0 0 * 0V-5V TY 100 80 5 3 0 0 0 * 20KHz TY 160 65 5 3 0 0 0 * Logic TY 160 70 5 3 0 0 0 * Level TY 160 75 5 3 0 0 0 * NMOS MC 185 55 0 0 020 MC 155 30 3 0 010 TY 160 25 5 3 0 0 0 * 12V LI 155 30 155 35 LI 185 55 170 55 LI 185 35 155 35 MC 185 35 0 0 010 TY 160 40 5 3 0 0 0 * R TY 190 40 5 3 0 0 0 * Vout

Mcippaedo ha scritto:

Dipende da come usi il mosfet a seconda di dove prendi il segnale di uscita, quello che viene messo a valle viene visto come una capacita che è influenzata in carica e scarica da R

. Ho montato un banale

Come prima cosa devi considerare che stai facendo lavorare il tuo mosfet in saturazione per farlo funzionare in PWM. Se leggi qualsiasi datasheet dei vari mosfet, su quasi tutti, c'è scritto che per mandarlo in saturazione devi dare al gate una tensione di almeno 10 Volt, tu invece lo piloti con soli 5 Volt in quanto il Pic quello ti può dare. A questo punto tu non lo stai facendo commutare in saturazione, ma lo stai mandando in conduzione. Come ti hanno detto anche gli altri amici, i mosfet hanno una malefica capacità di gate che comunque ti complica le cose quando decidi di mandarlo in saturazione e nel caso tuo oltretutto ad una frequenza di 20 Khz. Per questo problema esistono dei driver per poter pilotare correttamente i mosfet, questo driver lo devi inserire tra l'uscita del Pic ed il Gate del Mosfet. Al posto della resistenza di 1k, mi permetto di suggerirtene una da 6,8 Ohm tanto per prevenire delle eventuali autooscillazioni. In pratica la malefica capacità di gate ti si mangia parecchia corrente da parte di chi lo deve pilotare, tanto per fare un esempio anche 0,5 Amper. Questi integrati driver riescono ad erogare anche 1,5 Amper in uscita e pertanto il mosfet si rallegra non poco ad essere pilotato con tanta buona corrente. Capisco che a sentir dire che un mosfet debba essere pilotato con tanta corrente pur essendo un dispositivo ad alta impedenza, possa suonare strano, però in pratica è proprio così, almeno se lo usi in PWM. In fine c'è anche da dire che la capacità di gate, come deve essere caricata, deve essere poi anche scaricata ed è per questo che i driver usano il metodo Totem-Pole. Se tu mettessi, per esempio, al posto del suo driver un transistor, sicuramente potresti pilotarlo bene nel momento della carica, però invece non riusciresti a scaricarla altrettanto bene. In pratica dovresti costruirti uno stadio pilota con dei transistor a simmetria complementare, non a caso hanno inventato questi bei driver da 1,5 Amper a circa 1,5¤ + iva che ti risolvono presto e bene tutto il problema del corretto pilotaggio. Ultimamente ne acquistai un pò su RS (MC 34131) e mi tolsi alla grande tutti i problemi! Per quel poco che ne so, se dovessi avere ancora bisogno, sempre a disposizione. Un caro saluto. claudio.

La nomenclatura dei mos e` venuta male: la zona di saturazione di un mos non corrisponde a quella con lo stesso nome per i bipolari :(. Un mos in saturazione (di velocita` sottointeso) si comporta circa come un bjt in zona lineare. Quella in cui e` un buon interruttore chiuso si chiama zona ohmica.

Mi pare avesse detto che usava un mos logic level, fatto per accendersi completamente con una tensione gate source di 5V

Si`, per un buon pilotaggio, con accensioni e spegnimenti veloci questa e` la soluzione (oppure un driverino con due bjt o due mos piccoli)

Si`, corretto.

E dato che ci sono di queste correnti impulsive, meglio mettere i condensatori di bypass dell'alimentazione vicini al driver. (e il simbolo di ampere e` A :))

Gia`, anche perche' il mos non e` pilotato in tensione ma in carica. E la capacita` di ingresso vede anche la capacita` gate drain moltiplicata per effetto miller.

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Franco

Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)

Ciao E' la capacita' di collettore del tuo mos ..che e' un collettore, anche se si chiama diversamente. Se tu,al posto del mos (logic level e quindi pilotato bene come tensione...meno bene perr via del K sul gate)mettessi un transistor di potenza con 10 K avresti le stesse cose !!! Un mosfet che deve andare in saturazione con 10 K sul drain, fa morire dal ridere!!! :- ) Abbi pazienza,.... ma basterebbe un piccolo transistor !!! Per un mos ,100 ohm sono gia' troppi per giustificarne l'uso, secondo me !! Sara' anche perche' quei pochi mos che ho nel cassetto... me li tengo d'acconto !!!

Ciao Giorgio

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