Ciao, facendo dei conti sulla dissipazione di potenza in un mosfet, considerando come elementi dissipanti la RdsON e la capacità di gate, mi risulata che MOSFET che sopportano correnti di drain e quindi potenze superiori a parità di condizioni dissipano meno potenza. Sbaglio? Cosa sto trascurando?
Grazie ciao. Ifor.
"Igor" ha scritto nel messaggio news:VH6Fd.395823$ snipped-for-privacy@news3.tin.it...
Frase un po' contorta....il MOS si scalda per R*I^2. Se il componente è fatto per correnti elevate è probabile che abbia una R minore rispetto a uno per correnti più basse (a parità di package).
La capacità di gate l'ho sempre trascurata nei conti di potenza.
Ciao Ste
"Igor" ha scritto nel messaggio news:VH6Fd.395823$ snipped-for-privacy@news3.tin.it...
la tensione massima inversa che puo' sopportare. Piu' e' alta, maggiore e' la resistenza di ON. Quindi in base alle esigenze si trovano mosfet per ogni gusto.
A pari tensione le differenze di ROn tra i vari mosfet sono quindi decisamente minori.
"PeSte" ha scritto nel messaggio news:JY6Fd.79746$ snipped-for-privacy@tornado.fastwebnet.it...
Si, il fatto che la Rds sia più bassa è per questo motivo. Quello che mi chiedo è: Se devo scegliere un mosfet per piccole potenze cosa scelgo? Io ho fatto la stima sulla potenza dissipata sulla capacità di gate e sulla Rds, ma probabilmente una capacità di gate più alta comporta transitori più lenti e alla fine, soprattutto con carichi induttivi, potenze dissipate più alte che non ho tenuto in considerazione con i miei conti...
"Igor" ha scritto nel messaggio news:ge7Fd.395907$ snipped-for-privacy@news3.tin.it...
[...]Di massima serve sapere la corrente nominale di drain che ti occorre. Se vuoi il modello purtroppo non ho abbastanza esperienza con questi transistor per poterti consigliare qualcosa al volo.
Ciao Ste
"PeSte" ha scritto nel messaggio news:wF7Fd.79831$ snipped-for-privacy@tornado.fastwebnet.it...
Ti ringrazio. Il mosfet l'ho già scelto, il circuito è già realizzato. La mia è più che altro una curiosità.
Grazie, Igor.
"Igor" ha scritto nel messaggio news:SO7Fd.396044$ snipped-for-privacy@news3.tin.it...
[...]se hai un po' di pazienza magari ti risponde qualcuno che gira qui che ne sa di MOS....
Ola Ste
Il giorno Wed, 12 Jan 2005 10:33:27 GMT, "pimpa" ha scritto:
Concordo, proprio per questo si usano gli IGBT al di sopra di una certa tensione di lavoro. I mos cominciano a scaldare troppo.
ciao Stefano
Beh, se lavora in switching devi sommare alle perdite per rdson quelle per commutazione, ovvero per quanto ne so devi analizzare l'area per la quale si sovrappongono la I e la V di drain durante apertura e chiusura... Ipotizza di affettare lungo l'asse del tempo quest'area (più sono le fette, più il calcolo è preciso); fai V*I per t, sommi tutte le energie parziali, ottieni un'energia totale in joule, che moltiplicata per la frequenza di switching ti dovrebbe dare approssimativamente la p dissipata per commutazione....
Ciao OlMirko
"SB" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...
chiedo informazioni. Mi servono dei IGBT da 400-500V e 6-8A.
Il tutto per un driver di impulsi che lavora a 10V ma genera un FlyBack da
350V circa. L'impulso che deve gestire e' di circa 100 microsecondi max, con dutycicle di 1/5 quindi rimane off per i 4/5 del tempo. Il fronte di discesa dev'essere ripidissimo, importante e' quindi il tempo di turn-OFF del IGBT, dev'essere limitato ed inferiore ad un Mosfet.Sai darmi qualche sigla di IGBT che migliori le prestazioni dei Mos e che sia reperibile? Se infatti il tempo di turn-OFF e' superiore mi deriva un minore flyback, che mi genera minore sensibilità nel circuito.
Il giorno Wed, 12 Jan 2005 14:06:38 GMT, "pimpa" ha scritto:
Gli IGBT sono roba grossa, forse quelli più adatti al tuo uso potrebbero essere questi e sono anche logic level drive:
14C40L 370-430Vce(clamped) 14Acon una commutazione tOFF di 8µSec
td(off) Turn - off delay time: min typ max 3.7 6 8.3 µSec VGE=5V, RG=1K ohm, L=1mH, VCE=300V
leggiti bene il datasheet e le verie curve
ciao Stefano
"SB" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...
no, no ci siamo o forse non ci siamo capiti.
Io cerco dei componenti sull'ordine di alcune decine di nSec per delle applicazioni di tipo switching. Quello che mi hai indicato forse e' per il driver di carichi "pesanti" ma non e' questo il mio utilizzo.
Tnx.
Il giorno Wed, 12 Jan 2005 16:27:48 GMT, "pimpa" ha scritto:
Avevo capito che dovessi gestire impulsi di 100 µSec, questo ce la può fare, è un IGBT molto veloce. (rispetto alla media degli IGBT)
Altrimenti meglio lavorare con i MOSFET che hanno tempi di commutazione molto più rapidi.
Gli IGBT si usano per appilicazioni con potenze elevate e tensioni elevate, dove i MOSFET hanno una alta RdsON e scaldano.
Anche il fatto che gli IGBT siano +lenti non è del tutto uno svantaggio perchè con fronti meno squadrati irradiano meno armoniche e quindi danno meno problemi di compatibilità elettromagnetica.
ciao Stefano
"SB" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...
ok ma nel mio caso, un metal-detector PulseInduction, e' fondamentale che il fronte di discesa turnOFF sia verticale in quanto il campionamento viene letto dopo 8-10 uSec e quindi cercavo una valida alternativa ai mosfet. Ho quindi bisogno di un FlyBack il piu' elevato possibile per non perdere segnale utile e questo lo ottengo solo se e' veramente ripido, un po come applicare un gradino ad una bobina e leggere l'impulso generato immediatamente dopo il fronte di discesa.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.