Allora seguo; ne ho preso uno commerciale ma oltre i 200 W con cui l'ho testato penso che sublimerebbe; resta in piedi l'idea di ampliare quello di NE a una trentina di MOSFET, per ora mi sono arenato sui subcircuiti SPICE ma non dispero.
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volta che ho fatto sesso. E' stato meraviglioso,
nell'uso come carico fittizio in DC oppure a bassa frequenza, le perdite di commutazione sono trascurabili, visto che il componente lavora in DC o quasi DC,per cui vanno bene i semiconduttori che assicurano una bassa R di conduzione a parita di corrente
Ciao, quasi tutti i MOSFET di potenza (eccetto LDMOS per RF e altre esecuzioni particolari) sono realizzati con microcelle in parallelo (vedi Hexfet) e questo fa si' che funzionino bene in switching, ma non altrettanto bene in regime lineare, a causa del rischio di formazione di hotspot. Conviene controllare sempre bene i diagrammi di SOA, sperando che quanto pubblicato sia affidabile. Per quanto ho potuto vedere, gli IGBT presentano delle SOA molto piu' generose dei MOS e in effetti nelle applicazioni pratiche tollerano di piu' i maltrattamenti: vedi ad esempio cosa combinano certi figuri coi Tesla DRSSTC! L'applicazione e' switching, ma ci sono pur sempre i fronti di commutazione e gli IGBT vengono usati ben oltre le frequenze per cui sono costruiti... Anche per gli IGBT comunque conviene controllare bene i diagrammi SOA, spesso pero' se ne trovano di praticamente ideali (dissipazione piena senza limiti di tempo in tutto il range di VCE o quasi).
I problemi comunque compaiono solo a tensioni medio-alte, da svariate decine fino alle centinaia di V. Sempre alle tensioni medio alte, i vecchi BJT si comportano in genere malissimo: da evitare per alimentatori lineari e carichi.
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