Mosfet in parallelo

Come nei transistor bipolari, devi mettere una resistenza di controreazione locale in serie al source per evitare sbilanciamenti. Prima di fare ciò, però, devi selezionare i mosfet in maniera che abbiano una Vgs(off) simile tra loro. A parità di Vgs le correnti di drain devono essere poco diverse.

(...) Ciò accade perché i mosfet, al contrario dei BJT, hanno una notevole dispersione statistica della tensione di soglia fra diversi esemplari dello stesso modello.

Hai qualche dettaglio in piu' riguardo lo shunt usato e l'op ? Anche riguardo la controreazione locale che adotterai ?

Come misuri la potenza ci metterai un microcotrollore ?

Giulia

"LAB" ha scritto nel messaggio news:ju6de5$s22$ snipped-for-privacy@speranza.aioe.org...

Come nei transistor bipolari, devi mettere una resistenza di controreazione locale in serie al source per evitare sbilanciamenti. Prima di fare ciò, però, devi selezionare i mosfet in maniera che abbiano una Vgs(off) simile tra loro. A parità di Vgs le correnti di drain devono essere poco diverse.

Ho capito, Grazie, evidentemente nei casi precedenti ho avuto allora molta fortuna. E' probabile allora e forse più facile che adotterò la soluzione di un carico resistivo e farò lavorare uno o 2 soli mos in PWM per il pilotaggio del carico, non ho infatti strumenti e n° di mos tali da effettuare eventuali selezioni. Stefano.

Al momento, visto che non potevo salire in potenza ho utilizzato come shunt una resistenza da 0,1 ohm, lo shunt definitivo è comunque pronto e consiste in 2 spezzoni da 15 mm di lunghezza e 1,2 di diametro di materiale apposito per shunt (prelevati da un altro circuito di potenza), mi danno una caduta di 100 mV a 20A che il 358 rileva benissimo. Per la misure di potenza, corrente, Wh e Ah userò uno di questi che funziona perfettamente e costa molto poco:

Per il log delle curve di scarica userò un tester con apposita funzione su PC. Il tutto deve servire per simulare la scarica di batterie di bicicletta e testarne l'efficienza, ci sarà anche un microcontrollore che servirà per simulare le condizioni di uso delle batterie e renderle quanto più reali possibili, si parla di tensioni fra 24 e 48V e di correnti fra 5 e 30 A.

Il 18/07/2012 17.07, Tittopower ha scritto:

potresti usare dei bjt, che sono meno nervosi dei mos. Tanto, devi dissipare V*I, che sia mos o bjt non ti cambiano le prestazioni

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]

Sono partito scartando i bjt poichè li avrei dovuti acquistre mentre disponevo di 18 mos adatti allo scopo, effettivamente visto come si evolvono i test una decina di bei 3772 sarebbero anche più affidabili in quanto a dissipazione.

Il 18/07/2012 22.50, Tittopower ha scritto:

qualche anno mi fu chiesto di realizzare un prototipo per dimmerare dei led da 18A. Poiché il cliente voleva fare le prove di lì a due giorni optai per la soluzione lineare (su millefori e quintali di alluminio). Scelsi anch'io il mosfet perché a magazzino avevo solo quelli e non c'era tempo per fare arrivare dei bjt.

Ricordo che ci volle un po' di pazienza per stabilizzare la retroazione, a causa del "nervosismo" del mos...risolsi con un integratore nell'anello di retroazione. Ma io retroazionavo un solo mos.

Secondo me i mos in parallelo vanno bene solo quando lì usi in commutazione. In saturazione sono difficili da gestire.

Se ti può essere utile come spunto ti recupero lo schema del driver da 18A.

Ciao Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]

"Tittopower" ha scritto nel messaggio news:5006ac7b$0$13275$ snipped-for-privacy@reader2.news.tin.it...

Certo, i mosfet sono tranquillamente parallelabili ma solo quando lavorano on/off. L'indicazione "easy to parallel" presente sui datasheet dice soltanto che la Rds è a coefficiente positivo con la temperatura, pertanto se uno del parallelo per un qualche motivo lavora più degli altri scalda di più, aumenta la sua Rds e inizia a far lavorare anche gli altri. Nell'uso lineare invece è estremamente difficile metterli in parallelo sia a causa della variabilità della Vgs on fra le singole unità sia a causa della ripidezza della caratteristica di conduzione in funzione della Vgs. In ogni caso i mosfet non sono generalmente i componenti più indicati per essere utilizzati in zona lineare.

Le jeudi 19 juillet 2012 06:49:26 UTC+2, bip a =E9crit=A0:

e=20

In questi ultimi anni, =E8 venuto fuori infatti che molti mosfet recenti ot= timizzati per fuzionare in regime on/off mostravano effetti simili al secon= d breakdown dei bipolari se utilizzati in regime lineare. In letteratura, credo che sia chiamato "Spirito effect".

Il giorno Wed, 18 Jul 2012 14:30:49 +0200, "Tittopower" ha scritto:

E' il problema del coefficiente termico negativo della Vgsth che prevale sul coefficiente posotivo della RDS,

Ne abbiamo parlato tempo fa:

-- ciao Stefano

Ringrazio e rispondo in un unico post:

@PeSte Sono arrivato alle tue stesse conclusioni riguardo all'utilizzo in zona lineare, mi stupisce solo come già detto che con mos di alcuni anni fa tipo irfz44 non mi si era evidenziato il problema in utilizzo similare. Se mi vuoi inviare il tuo schema sarebbe ben gradito. tittopowerATalice.it, grazie.

@bip: bè me ne sono reso conto bene con alcune prove quanto sia vero, mi sono fermato al 4° mos andato. Nei variatori da modellismo si usano dai 5 ai 12 o più mos in parallelo pilotati in gate con tensioni pwm intorno ai 20V e frequenze sopra i 5-10 khz ed in effetti problemi mai avuti, si gestiscono una cinquantina di A anche senza radiatori sui to220.

@Darwin: io ho utilizzato mos recenti e sicuramente ottimizzati per lo switching in quanto provenienti da centraline CC-trifase per motori brushless. Per curiosità ho provato 2 IRFP044 che dovrebbero essere piuttosto datati ma il risultato è analogo.

@SB: grazie anche a te, anche questo mi è nuovo.

SOLUZIONE: al momento sono in attesa di alcuni componenti mancanti, la via più semplice sembrerebbe quella di utilizzare i mos in lineare con una 0,1/20W sui source visto che tutto il resto del circuito funziona bene pilotando linearmente i mos. Qualora questa soluzione non desse i risultati passerò al carico resistivo pilotato in PWM. Intanto ho comunque capito che una aletta da 120x65x400 con 4 ventole da 120 mm forse non è sufficiente allo scopo di dissipare 1000W per cui devo considerare un sistema raffreddato ad acqua.

Il 19/07/2012 17.02, Tittopower ha scritto:

ok per lo schema. Tieni presente che devo ripescarlo in lavori di quattro anni fa...ti chiedo un po' di pazienza...se fra qualche giorno non mi senti ricordamelo (il mio indirizzo è valido, tolto il CANCELLAMI)

Riguardo al mosfet ci terrei solo ad un appunto accademico sulla terminologia. Quando lo si usa in ON/OFF (dove con ON è la condizione un cui si conteggia la Rdson e la dissipazione è RI^2) lo si usa tra interdizione e zona lineare.

La saturazione (di canale) è quando lavora "a corrente costante" e dissipa come V*I (mi par di ricordare si chiami pich-off il punto in cui il canale è strozzato, ma sono passati 20anni da che li ho studiati a scuola...)

Rispetto al bjt le terminologie sono scambiate.

I ragionamenti fatti finora, ovviamente valgono.

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]

Il giorno mercoled=EC 18 luglio 2012 14:30:49 UTC+2, Tittopower ha scritto:

vedi se trovi questo articolo che ho in un libro:

"Parallel Operation of Power Mosfets (TA 84-5)"

c'e' il paragrafo:=20 Current Sharing During Linear Operation

Il titolo del libro ? L'articolo e' pluricitato , ma non riesco a trovarlo in originale.

Giulia

.

ora sono a casa e il libro e' in laboratorio. E' una raccolta di articoli d= ella Siliconix. Ricordo comunque che si parla di come scegliere la Rs da mettere in seria = ad ogni S con Rs>>1/gm. Ricordo anche che mette i mosfet disposti in cerchio per minimizzare le dif= ferenze di T.

Anche io non trovo l'articolo, ma nel frattempo mi è venuta una idea: Scartato ormai il metodo del parallelo puro con pilotaggio lineare e non disponendo al momento di resistori di compensazione da applicare al source, potrei applicare ad ogni source quelli che avevo acquistato come puro carico resistivo. Sono 10 resistenze da 100W 15 ohm che potrei mettere su ogni source e verificare se con pilotaggio lineare si verificano gli stessi scompensi. Idea balorda ?

Il giorno venerd=EC 20 luglio 2012 20:22:25 UTC+2, Tittopower ha scritto: ..........

si; ricordo le prove che il tizio aveva fatto e uveva usato Rs tra 1 e 3 oh= m con grande variazione di prestazioni. Lunedi se mi ricordo vi scansiono il bell'articolo.=20

Oggi ho provato la configurazione Switching + mos + resitenza, 2 sezioni, non mi pare ci siano problemi di sbilanciamento. Ogni mos in prova pilotava 4 resistenze da 15 ohm 100W in parallelo, tensione 32V corrente 4A ogni ramo, i mos arrivavano a 45° senza alcun radiatore, le resistenze senza raffreddamento a 85-90° per cui direi che ci siamo...basta solo moltiplicare le sezioni.