Salve a tutti, sto cercando informazioni su come sono fatte le capacit=E0 all'interno dei cellulari. Ovviamente lo scopo principale =E8 avere il massimo valore di capacit=E0 con un minimo impiego di spazio.
Mi sono informato su internet e ho trovato tante notizie interessanti, ma non esattamente quello che mi interessa. Come noto, in una capacit=E0 fatta da due semplici piatti affacciati, il valore della capacit=E0 =E8 direttamente proporzionale a l'area dei piatti e alla permittivit=E0 relativa, e inversamente proporzionale alla distanza dai piatti.
Ho cercato di capire quanto sia la distanza dai piatti utilizzata oggigiorno, ma non ho trovato nulla. Ovviamente conviene che sia minima, ma se =E8 troppo piccola si abbassa la tensione di break down, oltre ai problemi dovuti alla instabilit=E0 fisica.
Inoltre, per aumentare la capacit=E0 si interpone un dielettrico tra le due piastre. Possibilit=E0 sono porcellane (epsilon_r =3D 30=3D. acqua distillata (epsilon_r =3D 80), ma ho visto che esistono materiali detti "titanate" che arrivano fino a epsilon_r =3D 10000!! Questi ultimi hanno il problema di un effetto piezoelettrico, ma non ho capito quale sia il lato negativo in ci=F2...
Ho letto che oggigiorno nei cellulari si usa come dielettrico il "tantalum", ma non ho trovato il valore di epsilon_r
Ho visto che esistono capacit=E0 che hanno al loro interno pi=F9 strati di dielettrico: ma non converrebbe utilizzare soltanto un tipo, quello con la permitivit=E0 dielettrica maggiore??
Rispondendo a queste perplessit=E0 o indicandomi materiale da utilizzare per documentarmi mi fareste davvero un ENORME favore.
Grazie a tutti