Rolf_Bombach schrieb:
Wie sind dann Si-Transistoren konstruiert, die eine Vce(sat) von 150mV haben?
Falk
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vor 15 Jahren
Spannungsabfall bei Parallelschalten von Dioden
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vor 15 Jahren
Falk Willberg schrieb:
C-E vertauscht. Na, man kann auch die Wafer sehr dünn schleifen, so wie es Zetex anbietet.
- Henry
- Henry
-- www.ehydra.dyndns.info
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vor 15 Jahren
"Rolf_Bombach" schrieb
Wo denn?
Ich nenne mal...
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Die sprechen alle von 0.6 bis 0.8 V um nur mal ein paar Zufallsfunde zu nennen. Außedem kann man diesen Wert selbst sehr einfach nachmessen, eine
1N4001 hat wohl jeder zur Hand. ;-)vg
Peter
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vor 15 Jahren
Peter Rachow schrieb:
Wie wärs damit:
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Den Bandabstand? Kann man, aber nicht so wie du dir das denkst.
Gruß Dieter
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vor 15 Jahren
Dioden haben einen negativen Temperaturkoeffizient. Das heisst, wegen Unsymmetrien erwärmt sich anfangs die eine Diode stärker als die andere. Dadurch sinkt ihr Spannungsabfall, sie zieht mehr Strom als die andere, und wird noch wärmer. Am Ende verhält sich die Schaltung ähnlich wie wenn nur eine Diode da wäre.
Stefan
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vor 15 Jahren
"Dieter Wiedmann" schrieb
[....]YEP.
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vor 15 Jahren
Dieter Wiedmann schrieb:
Bei der 1N4001 ist der aber schlecht zu messen. Bei der 1N4151 oder so ist das einfacher. Ich schätze aber ebenfalls auf etwa 0.8mm Abstand zwischen dem gelben und dem braunen Band. Bis zum grünen ist es das doppelte.
-- mfg Rolf Bombach