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Schaltzeit bei Mos-FET

Hallo, ich hätte eine Frage zum Schalten von Mos-Fet.

Wie kann ich da die Schaltzeit (&damit die grössten Verluste?) abschätzen?

In den Datenblättern zu den Fets gibt es Angaben für Cin & versch. Ladungen (Qth,Qgs,Qtotal,...).

Wenn ich jetzt mal angenommen einen Logik-Level-Fet habe & den mit einem HC-Gatter & Widerstand ansteuere.

Rechne ich dann mit dem Gatevorwiderstand & dem Cin eine RC-Ladekurve bis ich die Treshholdspg. erreiche? Oder rechne ich mit dem Strom bis ich die Ladung (welche Qtotal) eingebracht habe???

Wäre nett wenn mir da jemand auf die Sprünge helfen könnte!

/Koarl

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Karl Kalchgruber
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"Karl Kalchgruber" schrieb im Newsbeitrag news:45ce18bb$0$28520$ snipped-for-privacy@aconews.univie.ac.at...

Schlimmer. So bald die Spannung am Drain beim Abschalten steigt, schlaegt das kapazitiv zurueck auf das Gate, und weil dieses ueber den R von einer 'harten' Spannungsquelle getrennt ist, bleibt das Gate erst mal auf diesem Pegel und die Abschaltzeit wird noch laenger.

Ein R an einem schlaffen Gatterausgang ist also das uebelste, was du zum Umschalten eines MOSFETs tun kannst.

Aber als Abschaetzung der Verluste reicht R*C*Uds*Ids.

Genauer bekommst du es, in dem du dir mit Spice den Umschaltvorgang anguckst.

--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
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MaWin

MaWin schrieb:

Aha, oje...

Ähm, was für Verluste sind das jetzt, nur die fürs schalten? Wie kommt man auf diese Abschaetzung?

Mal schauen wo ich ein Spice-Modell herbekomm...

/Koarl

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Karl Kalchgruber

"Karl Kalchgruber" schrieb im Newsbeitrag news:45ce20f1$0$12384$ snipped-for-privacy@aconews.univie.ac.at...

Das ist das Rechteck zwischen voller Spannung und vollem Strom ueber die RC-Zeitkonstante der Gateansteuerung, und damit eine obere Abschaetung der Schaltverluste.

Eingeschaltet (voller Strom, nur geringe Spannung) sind die Verluste geringer (aber die Zeit dauert laenger).

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MaWin

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