Paranoide Schutzbeschaltung am FET - Praxis

Kurzum, das ist in der Form eher selten. Nur bei Umgebungen, wo man mit kurzen Spannungsspitzen rechnen muss.

schnell ansteuern will, sollte man allerdings auch negative

einzuhalten.

OK.

ein Vielfaches der Verlustleistung eines als Schalter genutzten FETs. Die Auslegung ist also je nach Gegebenheiten Sensibel.

Marcel

Timm Reinisch schrieb:

Transzorber-Dioden sein sollen. Ich hatte bislang Zener-Dioden im Verdacht, langsamer als "normale" Dioden zu sein.

die am Gate. Und dann kommt es doch noch drauf an, was am Eingang und

und bipolare Transistoren (und fertige IC), mit diskreten FETs in den verschiedenen Varianten hatte ich noch fast nichts zu tun, das soll sich

DoDi

Vorratsdatenspeicherung gegen Terrorismus.

Edzard Egberts :

Ack. Wozu z.B. soll die Z-Diode am Gate dienen? Ist die Zuleitung so lang und

selbst wenn sie nur eine Betriebsspannung von 12V hat?

besten nix weiter an als die Treiberschaltung (und ev. noch ne Ferritperle

der auf der anderen Leiterplattenseite ne GND-Plane sieht. Das ist Schutz genug.

M.

Hallo zusamen,

Active clamping nennt sich das im Neudeutsch. Bevor der FET durch zu hohe DS-Spannung durchbricht, macht amn den leiber durchs Gate auf und

macht man aber lieber mit ein bisschen mehr als nur D1 hin zu werfen.

schlauer ausgelegt. Wenn man im Snubberkreis richtig Leistung abfangen

Da habe ich keine Werte gesehen.

In der Regel ist da die Schaltzeit der Dioden gar nicht so spannend. Die sind eigentlich immer schneller als der FET.

Halbleiter sind das einstellige bis wenige zweistellige Volt. Andererseits soll das Gate sehr schnell umgeladen werden. Da kann es schon mal passieren, dass die Leitung zum Gate sich daran erinnert, induktiv zu sein und nach Beendigung der Solladung noch ein bisschen Strom weiter zu treiben. Wenn aber wenige mm vor dem Gate ein Gatetreiber sitzt, der saubere Signale ausgibt, dann ist D2 sicher

schnell genug aufmachen kann. Aber auch hier muss man hinschauen, ob die Induktionsspannung nur durch das Abschalten von T1 kommen kann, oder ggfs weitere Quellen ins Spiel kommen, die in Deinem Ausschnitt gar nicht zu sehen sind.

Selten. Selbst bei einem einfachen Relais, will man das oft nicht wirklich haben, weil mit Freilaufdioden die Abfallzeit und ggfs auch der

keine schnellen Schalter ;-)

GND liegt doch an Source.

???

Das war/ist ein Thema bei bipolartransistoren, falls Du die Schottkydioden von Basis zum Kollektor meintest. Das ist eine ganz andere Baustelle, die FET nicht betrifft.

So sieht mir das aus.

Du bist auf dem besten Weg dazu. Mach weiter so.

Marte

Timm Reinisch schrieb:

parallel. Einmal D1, offensichtlich. Dann die Serienschaltung von D2 und D3. Sowie die simulierte Leistungs-Z-Diode aus D3 und T1. Letztere nehmen Leute, die D1 sparen wollen. Beides zusammen ist je nach Dimensionierung

Marte Schwarz schrieb:

negativer Gate-Source Spannung die Schaltzeiten verbessern kann. Wenn

Schutzdioden am Gate durchaus verstehen.

z.B. 3V ausreichen, den FET einzuschalten, die Ansteuerung aber mit 5V

Abschalten.

DoDi

Matthias Weingart schrieb:

der FET dann sicher sperrt - das klingt durchaus empfehlenswert.

Der andere Widerstand soll beim Umschahlten Stromspitzen vom steuernden

Transistoren mit kapazitiver Last killen, ist mir selbst mal bei einem

von der Frequenz ab. Wenn es nur um gelegentliches Schalten einer Pumpe,

Verlagerung des Gefahrenpotentials?

Ansteuerung des FET vorgesehen, als Schutz des Ausgangspins. Gibt es

DoDi

Am 30.04.2015 um 12:10 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Holger

Hallo Hans-Peter,

Du schriebst am Thu, 30 Apr 2015 11:53:36 +0200:

er

hen? Wenn

, da wird

relativ langsame Diffusion und Rekombination wieder abbaut oder durch einen

genden

ausgeschalteten Zustand nur durch ein "eingebautes" Sperrfeld am Stromtransport gehindert. Wird das Sperrfeld durch die Gatespannung abgebaut, sind sie sofort zur Leitung da (deswegen sind FETs so schnell)

im

sich hier im wesentlichen nur der kapazitive Anteil aus der Gateladung

in-

inear

der

Sieghard Schicktanz schrieb:

Monolithikum eine Logikfamilie aus der Ordnung der TTL, die 74nn

Ein 2N2222 ist ebenfalls ziemlich fix, warum? Tip: Siehe Prozess 19. Und ja, Sperrstrom ist dann nicht so dolle.

Hallo Rolf,

Du schriebst am Sat, 02 May 2015 23:31:36 +0200:

ter-

Widerstand im High-Zweig, der da auch den Ausgangsstrom begrenzt. Low-seits

Es gibt (gab?) ja auch Hf-Transistoren mit recht "ausgefuchsten"

(Heute kriegt man ja solche Informationen nicht mehr, und auch damals waren das eher die lange etablierten Verfahren, die in den Vorlesungen

Sieghard Schicktanz schrieb:

durchzuschalten. In der Ausgangsstufe gibt es einen Kollektorwiderstand,

an, insbesondere dort, wo die Transistoren durch Schottky-geclampte ersetzt wurden. Da muss man nicht lange suchen.

Prozess 19 verwendet mehr oder weniger reichliche Golddotierung.

Am 16.05.2015 20:29, schrieb Rolf Bombach:

Hallo Rolf,

Du schriebst am Sat, 16 May 2015 20:29:56 +0200:

n?

sstrom

er zu

ert"?

ir auch

acharbeiten

ch

Das ist aber auch keine richtige Basisschaltung, sondern eher eine

unmittelbar dahinterliegenden Transistors in _Durchlassrichtung_ der

w-

d.

igkeit der

gegeben.

Alle anderen Transistoren in einer TTL-Schaltung arbeiten in Kollektor- oder Emitterschaltung. Eine echte Basisschaltung gibt's da nirgends.

Sieghard Schicktanz schrieb:

Bei Eingang auf Low fliessen 1 mA aus dem Eingang raus, das ist

eigentlich zu schaltende Kollektorstrom Null ist. In diesem

.....

Nie was anderes behauptet, ich weiss jetzt auch nicht mehr, wer das Stichwort Basisschaltung eingeworfen hatte :-]

Hallo Rolf,

Du schriebst am Mon, 18 May 2015 20:07:38 +0200:

Wird jedenfalls immer so dargestellt.

Der "Kollektorstrom" ist dann recht gut 0, und er wird allenfalls noch

ne