Hallo zusammen,
ich verwende einen (MOS)FET - in diesem Fall P-Kanal - als Schalter. Welche Bedeutung hat in diesem Fall der Gate-Widerstand? Ich habe mir bereits zahlreiche Beispielschaltungen angesehen. Einige sehen einen Gate-Widerstand im Bereich von 1k bis 10k vor - andere nicht. Bisher konnte ich weder einen Zusammenhang erkennen noch anderswo eine Erkl=E4rung finden.
Vielen Dank f=FCr eine kurze R=FCckmeldung.
Gru=DF
Mark
Es gibt Konstellationen in denen der MosFET durch die Gate- Drain Kapazität eine negative Impedanz an dem Gate erzeugt. Damit fängt der parasitäre Schwingkreis aus Zuleitungsindukti- vität und den verschiedenen Kapazitäten an zu schwingen. Das bedämpft man nun mit den Gate Widerständen. Es gibt Ingenieure die diese Angstwiderstände weg lassen weil der Treiber nah genug am Gate sitzt und hoffentlich genug dämpft. Aber ganz genau vorhersagen kann man das Verhalten nicht und deswegen findet man oft kleine Gate Vorwiderstände.
Das erscheint mir viel zu viel. Üblich sind wenige Ohm bis vielleicht
10 Ohm. Man möchte ja den MosFET sehr schnell umschalten und der Widerstand verhindert dies weil er mit der Gate-Source Kapazität ja ein RC-Glied bildet. Schaltet man nicht oft und muss man auch nicht auf die Verluste beim Umschalten rücksicht nehmen, kann man natürlich auch sehr große Gate-Widerstände verwenden. Dann macht der Einsatz von Gate-Treibern aber gar keinen Sinn mehr und man kann gleich irgendwelche Logik-Gatter missbrauchen.Viele Grüße, Martin L.
Mark Neugebauer schrieb:
Handelt es sich um einen Serien- oder Parallelwiderstand?
Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der Gr=F6=DFenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme zu vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET langsamer schaltet (der Gatewiderstand bildet mit den meist recht hohen Kapazit=E4ten der Gate/Source-Kapazit=E4t sowie der Millerkapazit=E4t einen Tiefpass). Dies f=FChrt allerdings zu erh=F6hten Schaltverlusten, vor allem bei hohen Schaltfrequenzen.
Bisweilen sieht man auch Widerst=E4nde im Bereich einige Kiloohm zwischen Gate und Source. Diese haben die Aufgabe, das Gate stets auf einen definierten Pegel zu legen, auch wenn die Ansteuerung deaktiviert bzw. hochohmig ist. Beispielsweise wenn ein Transistor zur Ansteuerung eines P-Kanal-MOSFETs verwendet wird.
Gru=DF Thorsten
Thorsten Wahn schrieb:
Ein weiterer nicht zu vernachlässigender Aspekt ist der, dass die treibende Stufe nicht überlastet werden darf. Zum Umschaltzeitpunkt fliesst ein nahezu beliegig grosser Strom zur Umladung in die GS-Kapazität, der durch ebendiesen Vorwiderstand begrenzt wird.
Gruss Udo
Fuer den FET gelten oft ebenfalls Grenzen. Man will ja nicht peu a peu das Gate abrauchen lassen.
Hallo zusammen,
vielen Dank f=FCr die Infos. Ich habe zu dem Thema erg=E4nzend noch folgendes gefunden:
Gru=DF
Mark
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