Moin, ich bin gerade dabei, einen Kurzschlussschutz in meinen µC Dimmer zu bauen. Dabei dachte ich mir, einfach eine Polyfuse zwischen Source und
0V zu schalten, sodass dann die Gate/Source Spannung absinkt und der Fet sperrt. +12V | | Lampe 20W | |D AVR PWM o-----G IRLZ34 |S | | R/Polyfuse??? | | 0VDoch was passiert dann? Es fließt ja kein Strom mehr durch die Polyfuse, sodass sie abkühlt und der Fet wieder durchsteuert. Dh doch, dass er dann wieder voll belastet wird und dieser Überlastschutz sinnlos ist. Wäre es besser, wenn man die Polyfuse zwischen 12V und Lampe baut oder ist meine Überlegung mit dem Überlasteten FET bei Polyfuse zwischen 0V und Source falsch. Dann gibt es natürlich auch noch die Möglichkeit einen normalen Widerstand zwischen S und 0V zu schalten. Der Effekt mit der Spannung zwischen G und S wäre natürlich ähnlich. Nur verbrät mir ein Widerstand zu viel Leistung. Ich würde den FET aus Platzgründen nämlich auch gerne ohne Kühlkörper benutzen, was die Belastungsgrenze natürlich auch wieder sinken lässt.
Was meint ihr, was ist die beste Lösung?
ciao, Arne