Flipflop mit 2 Feldeffekttransistoren

In einem alten Schulbuch (Physik) hier ist ein Bild von einer einfachen

Dann gibt es eine Aufgabe, eine Flipflop-Schaltung mit zwei Feldeffekttransistoren zu entwerfen. Also quasi die npn-Transistoren sollten durch FETs "ersetzt" werden

Kollektor (C), Basis (B), Emitter (E) beim npn-Transistor bzw. Drain (D), Gate (G), Source (S) beim FET.

Ich bin aber nicht sicher, ob man in der obigen Schaltung (aus dem Bild) einfach ganz naiv die npn-Transistoren durch FET ersetzen kann?!

C --> D B --> G E --> S

und E braucht, um zu leiten, der FET aber eine Steuer*spannung* zwischen G und S.

Der NPN wird durch den Basisvorwiderstand spannungsgesteuert. Knackpunkt ist eher: welcher Fet ? Selbstleitender JFet eher nicht. N Kanal Mosfet passt hingegen.

MfG JRD

Rafael Deliano schrieb:

Im Buch wird ein Metall-Oxid-Silicium-Feldeffekt-Transistor beschrieben, also ein MOS-FET.

Stephan Gerlach schrieb:

nur durch den Basisstrom begrenzt. Viel Spass bei der Dimensionierung.

Immer, wenn ein neues Bauteil auf den Markt kommt, werden erst mal alle Schaltungen auf dieses umgedichtet, ob das sinnvoll ist oder nicht.

einen Doppelbasistransistor enthalten, notfalls eine Thyristor-Tetrode. Dual-Gate-Mosfet hab ich auch noch voll miterlebt.

Habt ihr noch weitere Schadensmeldungen?

JFet ist Mist, da er eine Sperrspannung in entgegengesetzte Richtung braucht. Das wird also nicht einfach. e-Mosfet ist einfacher, da wird ein Spannungsteiler pro Fet reichen, je nach Spannung reicht auch ein Draht.

p und n FETs erweitern.

digital verwendbar sind.

Oder habe ich da was falsch in Erinnerung?

DoDi

Zu JFets/enhancement vermerkt Siliconix: "not possible". ( vgl. via google Siliconix "An Introduction to Fets" ) MOS gibt es enhancement und depletion.

Aber N durchaus bei Reichelt zu haben.

MfG JRD

Ja, klar, aber der Vorteil der geringen Speisespannung und geringen Verlustleistung ist dann weg.

Auch wurde die E130L mit ihrer extremen Steilheit oft als Modulator in kleinen Radaranlagen verwendet.

werden. Die MOSFETS und die steilen Pentoden werden/wurden durchaus etwa

Am 24.07.2021 um 14:12 schrieb Rolf Bombach:

Bernd

Bernd Laengerich schrieb:

Rolf Bombach schrieb:

Hab' nochmal ganz genau nachgeguckt: Das ist (wie schon geschrieben) ein Metall-Oxid-Silicium-Feldeffekt-Transistor, kurs MOS-FET.

Source, Drain und Gate. An S sollte ein Minuspol angeschlossen sein, an G und D jeweils ein Pluspol, damit der Transistor durchsteuert und damit leitet.

Ob der Bau einer Flipflop-Schaltung damit sinnvoll ist, mag ich nicht beurteilen.

Stephan Gerlach schrieb:

bei Gatespannungen von 1-6 V leitend. Modernste Typen eventuell darunter, aber die Skala geht eh mit den depletion-Typen im Negativen noch weiter. Letztere