Inversbetrieb MOSFET

Jan 10, 2005 7 Replies
C

Hallo Newsgroup,



für ein Miniprojekt stelle ich gerade Überlegungen an, einen Stützkondensator per MOSFET an eine Versorgungs- spannung zu schalten. Die Natur eines solchen Stützkondensators ist es natürlich, daß er nicht nur geladen, sondern auch wieder entladen wird. Genügt nun das einfache Anschalten mit einem MOSFET? Also z.B. Konsensatorplus nach Versorgung-Plus, Kondensatorminus an den Drain des N-Kanal-MOSFET's, den Source auf Versorgung-Minus. Daß irgendwann die Inversdiode leitet, ist mir soweit bewußt, mir geht es vor allem um einen weiterhin niedrigen Bahnwiderstand...



Grüße



Christian


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U

"Christian Rötzer" schrieb:

Wirst vermutlich einen Ripple in Höhe der Dioden-Vorwärtsspannung auf der Leitung finden

Gruss Udo

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T

Christian Rötzer schrieb:

Wenn der FET "eingeschaltet" ist, kann man den Kanal in erster Näherung als einen Widerstand betrachten - unabhängig von der Stromrichtung (solange die Spannung an ihm klein bleibt).

Dipl.-Ing. Tilmann Reh Autometer GmbH Siegen - Elektronik nach Maß. http://www.autometer.de
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O

Physikalisch ist dem MOSFET selber die Stromrichtung egal, weswegen sie auch in Analogschaltern und Transfergates eingesetzt werden.

Nachdem Dir die fertigungsbedingte Inversdiode bewußt ist und Du sie in Deiner Schaltung für tolerierbar hälst, sehe ich grundsätzlich kein Problem.

Gruß Oliver

Oliver Bartels + Erding, Germany + obartels@bartels.de http://www.bartels.de + Phone: +49-8122-9729-0 Fax: -10
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C

So... ich hab's jetzt mal nachgemessen: Es stimmt. Der niedrige Bahnwiderstand bleibt auch in Gegenrichtung erhalten. Das funktioniert halt nur bis zur Schwellspannung der Reversediode, die aber in dieser reinen Schaltanwendung nicht erreicht wird.

Nochmals Danke

Christian

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O

Es gibt soetwas wie einen Substratsteuereffekt (Body-Effekt, Spannung zwischen Source und Substrat), der natürlich bei einer *zwangsweisen Verbindung* des Substrats mit Pin S (daher auch die Diode) greift und typabhängig bei Anliegen einer Spannung zwischen der jeweiligen Source und dem Substrat die V_th etwas anhebt.

Das ändert aber nichts an der grundsätzlichen Symmetrie eines Mosfets.

Gruß Oliver

Oliver Bartels + Erding, Germany + obartels@bartels.de http://www.bartels.de + Phone: +49-8122-9729-0 Fax: -10
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W

Oliver Bartels schrieb in der newsgroup de.sci.electronics:

Ich glaubte mal festgestellt zu haben, daß die Gate-Spannung zum Durchschalten unterschiedlich ist je nachdem wie herum der MOSFET beschaltet wird.

Winfried Büchsenschütz

Immer auf dem aktuellen Stand mit den Newsgroups von freenet.de: http://newsgroups.freenet.de
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W

Oliver Bartels schrieb in der newsgroup de.sci.electronics:

Jau, deswegen hatte ich es auch ausprobiert... allerdings war bei meiner Schaltung (Tiefentladeschutz eines Akkus) die Gate-Spannung begrenzt, bei der max. möglichen Gate-Spannung war der FET noch nicht durchgeschaltet. Hintergrund war, daß ich die integrierte Diode mitbenutzen wollte, bei der schließlich notwendigen Polarität des FETs mußte dann halt noch ne Schottkydiode drüber.

Winfried Büchsenschütz

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