guten Abend,
zur Zeit ist dort ein BUZ11 drin. Funktioniert einwandfrei, statt 500 mV fallen nur noch etwa 25 mV ab. Was mir nun noch fehlt, ist die Theorie.
Quadranten bei eingeschaltetem Transistor, immer nur die Diodenstrecke bei Ugs=0.
guten Abend,
zur Zeit ist dort ein BUZ11 drin. Funktioniert einwandfrei, statt 500 mV fallen nur noch etwa 25 mV ab. Was mir nun noch fehlt, ist die Theorie.
Quadranten bei eingeschaltetem Transistor, immer nur die Diodenstrecke bei Ugs=0.
Was sollte denn mehr rein also in dem BUZ11 Datenblatt?
"Rueckwaerts" ist da nur die parasitaetre (fette) Diodenstrecke, deren Eigenschaften im Datenblatt stehen. Diese spielt jedoch keine Rolle, wenn man den FET ueber genuegen Vgs leitend haelt. Dann ist es egal, wie herum der Strom durch diesen FET fliesst. Rdson ist Rdson und der ist ja ebenfalls angegeben, allerdings bei diesem FET nur bei 10V Gatespannung im Maximalwert garantiert.
Bei Vgs=0V hast Du nur die Diodenstrecke und diverse Kapazitaeten.
Am Wed, 25 Feb 2015 12:05:16 -0800 schrieb Joerg:
Das wird explizit aber nirgends garantiert, diese Kurve gilt lt.
entsprechende Aussagen?
Nicht ganz, Du musst zwei Kurven ueberlagern. Die aus Figure 5 und die aus Figure 12. Aber wenn gut durchgesteuert, kommt die Diode eh so gut wie nicht.
Ja, am besten mal ueber Synchronous Rectifier einlesen, Die funktionieren alle so. Sitze gerade an einem solchen Design.
Sagen wir mal so, wenn an einen durchgeschalteten BUZ11 mehr als 0,6V abfallen, dann hat man ein anderes Problem. ;-))
Marcel
Ja, in Deutschland heisst das dann GAU :-)
Am Wed, 25 Feb 2015 13:10:54 -0800 schrieb Joerg:
Das ist schon mal ein Hinweis, dem ich nachgehen werde.
Danke.
"Andreas Graebe" schrieb im Newsbeitrag news:mcl3f0$tqj$ snipped-for-privacy@news.albasani.net...
Nach dem physikalischen Prinzip arbeitet ein FET vollsymmetrisch. Bei JFETs steht das oft genug im Datenblatt "D und S vertauschbar",
auf Grund des Spannungsabfalls am Bahnwiderstand ergibt.
v 1A v -1A | | | 0.1V | -0.1V
+10V --|I +10V --|I NMOSFET |S |S 0V 0Vmittleren Widerstand und damit das Durchschaltverhalten. Vielleicht von
Bahnwiderstand in rechten Fall wird sogar durch die bei vertikalen MOSFET parallel geschaltete intrinsische Diode wieder korrigiert, ist also geringer als gezeigt.
MaWin schrieb:
Ist 0.099R nicht besser als 0.1R? Rechts ist doch etwas besser durchgesteuert?
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