FET "verpolt"

Feb 25, 2015 8 Replies

guten Abend,


zur Zeit ist dort ein BUZ11 drin. Funktioniert einwandfrei, statt 500 mV fallen nur noch etwa 25 mV ab. Was mir nun noch fehlt, ist die Theorie.



Quadranten bei eingeschaltetem Transistor, immer nur die Diodenstrecke bei Ugs=0.


mfG Andreas

Was sollte denn mehr rein also in dem BUZ11 Datenblatt?

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"Rueckwaerts" ist da nur die parasitaetre (fette) Diodenstrecke, deren Eigenschaften im Datenblatt stehen. Diese spielt jedoch keine Rolle, wenn man den FET ueber genuegen Vgs leitend haelt. Dann ist es egal, wie herum der Strom durch diesen FET fliesst. Rdson ist Rdson und der ist ja ebenfalls angegeben, allerdings bei diesem FET nur bei 10V Gatespannung im Maximalwert garantiert.

Bei Vgs=0V hast Du nur die Diodenstrecke und diverse Kapazitaeten.

Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/

Am Wed, 25 Feb 2015 12:05:16 -0800 schrieb Joerg:

Das wird explizit aber nirgends garantiert, diese Kurve gilt lt.

entsprechende Aussagen?

mfG Andreas

Nicht ganz, Du musst zwei Kurven ueberlagern. Die aus Figure 5 und die aus Figure 12. Aber wenn gut durchgesteuert, kommt die Diode eh so gut wie nicht.

Ja, am besten mal ueber Synchronous Rectifier einlesen, Die funktionieren alle so. Sitze gerade an einem solchen Design.

Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/

Sagen wir mal so, wenn an einen durchgeschalteten BUZ11 mehr als 0,6V abfallen, dann hat man ein anderes Problem. ;-))

Marcel

Ja, in Deutschland heisst das dann GAU :-)

Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/

Am Wed, 25 Feb 2015 13:10:54 -0800 schrieb Joerg:

Das ist schon mal ein Hinweis, dem ich nachgehen werde.

Danke.

mfG Andreas

"Andreas Graebe" schrieb im Newsbeitrag news:mcl3f0$tqj$ snipped-for-privacy@news.albasani.net...

Nach dem physikalischen Prinzip arbeitet ein FET vollsymmetrisch. Bei JFETs steht das oft genug im Datenblatt "D und S vertauschbar",

auf Grund des Spannungsabfalls am Bahnwiderstand ergibt.

v 1A v -1A | | | 0.1V | -0.1V

+10V --|I +10V --|I NMOSFET |S |S 0V 0V

mittleren Widerstand und damit das Durchschaltverhalten. Vielleicht von

Bahnwiderstand in rechten Fall wird sogar durch die bei vertikalen MOSFET parallel geschaltete intrinsische Diode wieder korrigiert, ist also geringer als gezeigt.

MaWin, Manfred Winterhoff, mawin at gmx dot net

MaWin schrieb:

Ist 0.099R nicht besser als 0.1R? Rechts ist doch etwas besser durchgesteuert?

mfg Rolf Bombach

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