fast al posto di uno schottky

ciao!

devo decidere se posso utilizzare un MR760 (6A 1000V Silicon Rectifier) al posto di uno schottky da 8A

ne devo piazzare 2 sull'uscita di un lineare per proteggerlo da extra-tensioni dovute a carichi induttivi (sul datasheet consigliano per questa funzione degli schottky da 8A appunto)

volevo sapere se, secondo voi, lo scambio è troppo azzardato o meno... io ho considerato che mr760 è si da "solo" 6A ma qui non lo uso come rettificatore e lui può reggere fino a 400A per surges non ripetitivi l'unico dubbio forse è la velocità di intervento

voi che dite?

grazie

-ice-

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ice
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Lo schottky =E8 l'ideale. Comunque un MR760 fa sempre qualcosa. Voglio dire che =E8 sicuramente meglio di niente. Secondo me, puoi metterlo senza problemi.

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tuse.m

Certo che e' meglio di niente, anzi forse e' anche meglio dello Schottky che, pur se piu' veloce, mi sembra sopporti troppa poca tensione rispetto ai picchi che potrebbero esserci.

Ciao Celso

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Celsius

ora non ho sotto mano un datasheet di uno schottky da 8A ma credo che anche lui sappia reggere picchi di potenza non ripetitivi di decine di ampere... ma come fai notare tu un diodo rectifier è certamente più tosto in questo senso

mi chiedo anche perchè:

- sul datasheet insistano per questo schottky... è il datasheet dell'OPA549 (un op amp di potenza da 8A continui e 10 di spunto) ed è di casa texas (non i primi sprovveduti, insomma... ho sempre trovato ottimi i componenti texas oltre ai loro DS e le loro AN)

- indicano come valore dello schottky 8A o superiore... ma 8A perchè l'op-amp può dare 8A??? non sapevo che le extra-tensioni generate da un carico potessero portare correnti dell'ordine di quelle assorbite...

- che differenze ci sono fra schottky-diode e rectifier-diode a livello di giunzione pn... lo schottky è più drogato? usano una metallizzazione diversa per creare i contatti? (sul DS dell'mr760 c'è un grafico che relaziona la potenza da dissipare con la lunghezza dei terminali)

grazie!!!

-ice-

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ice

ice ha scritto:

Prendi il caso di un carico induttivo, in cui scorrono 8A. Nel momento in cui apri il circuito, l'induttore tenderà a conservare l'energia accumulata nel campo magnetico, che equivale a dire che tenderà a conservare la corrente che lo attraversava. Per fare questo si formerà ai suoi capi una ddp anche elevata, necessaria a continuare a far scorrere nell'induttore la corrente di 8A. Se il circuito in cui si chiude questa corrente è formato dal diodo, esso dovrà essere in grado di sopportarla fino a che l'energia accumulata non verrà dissipata in calore.

Più la resistenza è bassa, maggiore sarà la durata del transitorio (dopotutto tau = L/R :) )

Ciao

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Francesco Sacchi

diversa

la

Semplice: una giunzione Schottky NON =E8 una giunzione PN, ma =E8 una giunzione metallo/semiconduttore. La rapidit=E0 del dispositivo =E8 dovuto al fatto che gli attori principali della conduzione di corrente in polarizzazione diretta sono i portatori maggioritari, a differenza del caso di una giunzione PN, in cui si iniettano dei portatori minoritari che poi si ricombinano. Non sono la panacea di tutti i mali (ma questo lo sai) perch=E9 sopportano una tensione inversa non elevatissima e perch=E9 la loro corrente di saturazione inversa tende ad essere un po' pi=F9 grande di quella di una giunzione PN al silicio.

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Darwin

Vedi le caratteristiche:

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Spok65

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