prąd bramki

Użytkownik "Maksymilian Dutka" <maxdutka@_usun_gmail.com> napisał w wiadomości news:hngi03$cvu$ snipped-for-privacy@nemesis.news.neostrada.pl...

To pytanie jest poprawne?

Z reguły driver nie jest w stanie dać więcej. Doprowadzenie tak na oko z 10A może nawet 100A wytrzyma. Pytanie czy uda Ci się wygenerować taki sygnał sterujący.

podejrzewam, że nie ubijesz tranzystora prądem bramki i dlatego nie jest podany... znaczy, ograniczy Cię moc strat, a nie prąd bramki.

W dniu 2010-03-13 18:54, Desoft pisze:

Jakoś nie miałem większej styczności z tranzystorami IGBT, ale że zbyt duży prąd bramki w MOSFET-ach, potrafi je załatwić więc pytam.

Jeżeli tak jest, to dziękuję za odpowiedź.

Dziękuję, wolałem zapytać na wszelki wypadek.

Raczej niemożliwe. Też spotkałem się z dawaniem szeregowo z bramką małego rezystora. Ale to do ograniczenia prądu drivera, coby jego nie uszkodzić i do wyeliminowania wzbudzenia - pojemność bramki, indukcyjność doprowadzeń. To w bramce. Zbyt szybkie załączenie tranzystora może spowodować że napięcie na nim jeszcze się utrzymuje a prąd już narasta (ale przy zbyt wolnym załączaniu jest to groźniejsze) ale w tym przypadku to źle dobrany tranzystor - przekraczamy jego częstotliwość graniczną. Generalnie to nie zbyt duży prąd bramki uszkadza tranzystor tylko zbyt szybkie włączenie, wyłączenie obciążenia tranzystora w połączeniu z indukcyjnością, pojemnością.

Użytkownik Desoft napisał:

Poplątałeś trzy kwestie.

Jak przekroczymy częstotliwość graniczną tranzystora to faktycznie moc chwilowa na złączu może przekraczać dopuszczalną - jeśli będziemy to czynić odpowiednio często (nie dość że strome impulsy to i częstość duża) to nawet pracując na obciążenie czysto rezystancyjne tranzystor IGBT nie będzie miał lekko. Druga kwestia - praca na obciążenie pojemnością zewnętrzną. Tu niewiele możemy poradzić, prąd już jest a napięcie się utrzymuje bo zewnętrzna pojemność zgromadziła spory ładunek. Pozostaje dokładnie policzyć czy tak się da czy większy tranzystor trzeba dać. I przypadek trzeci - praca na obciążenie indukcyjne. Tu jest o tyle łatwo że prąd klucza chce zmaleć do zera a indukcyjność ciągnie go dalej forsując wzrost napięcia - zwykle dołożenie diody w odpowiednim miejscu rozwiązuje sprawę.

Użytkownik ""Dariusz K. Ładziak"" snipped-for-privacy@ladzk.pol.pl> napisał w wiadomości news:hngub0$s2k$ snipped-for-privacy@atlantis.news.neostrada.pl...

Poplątałeś trzy kwestie.

Jak przekroczymy częstotliwość graniczną tranzystora to faktycznie moc chwilowa na złączu może przekraczać dopuszczalną Druga kwestia - praca na obciążenie pojemnością zewnętrzną. I przypadek trzeci - praca na obciążenie indukcyjne.

Wszystko to od strony obciążenia. Pytanie brzmi czy prąd bramki może uszkodzić tranzystor.