Moin !
Ich habe noch ein bisserl weitergesucht und bin irgendwann über einen Beitrag von Winfield Hill gestossen. Er hat dort eine Schaltung gepostet, die dem recht nahe kommt was ich suche ...
Hier die Schaltung (am besten im Notepad betrachten): _____________________________________________________________________ | | | ,-- R1 2.2k --+---|
Dominik Schmidt schrieb:
Nö. NR richtig einstellen.
Scheint so. Eigentlich ist alles klar.
So wie dargestellt dürfte die funzen.
Nö. Schalter kann entfallen, extra Stromversorgung. 12 oder 15 Volt-Steckernetzteil dürfte reichen. (genaue Spannung unkritisch)
Nö. Q2-Q6.
Dürften gehen. Kostenvergleich?
2N4401 sollte auch mit etwas gebräuchlichem ersetzt werden.Ja. S.O.
Das ist schön.
Könnte (wärmetechnisch) günstiger sein.
Etwas knapp, dürfte angestaubtes Wissen jedoch sauberpusten. Hochstromanwendungen sind nicht ohne...
-- Thomas
Das Problem ist die Verlustleistung. Bei 25V und 25A hat man schon 625W die verbraten werden müssen. Das heisst um die 100W pro Transistor (wenn man die Leistung an den Widerständen vernachlässigt) - viel zu viel. Wenn du noch mehr Zellen haben willst wird es noch schlimmer: 45V
Die Lösungen die ich sehe:
Hallo,
Dominik Schmidt schrieb:
Kleiner Tipp noch:
Die Symmetriesierung von Q3-Q6 ist nicht ganz ohne, insbesondere dann, wenn die Transistoren nicht gut thermisch gekoppelt sind oder von unterschiedlichen Herstellern oder Chargen stammen. Also aufpassen!
25A würde ich durch die 4 Transistoren nicht schicken wollen. Da würde ich lieber 8 nehmen. (Emitterwiederstände entsprechend größer) Das Symmetriesierungsproblem ist wirklich nicht zu unterschätzen, da die Transistoren einen positiven Rückkopplungskoeffizienten haben (wärmer -> mehr Strom). Wenn man das vermeiden will, muss man MOSFETs nehmen. Bei denen ist es andersrum.Deshalb würde ich auch dringend empfehlen, statt R2 zu /jedem/ Emitterwiderstand einen Widerstand zu legen. Dann kompensieren sich die Symmetrieprobleme zumindest bei der Regelung. Der Wert sollte so bemessen sein, dass an -In eine Impedanz von ca. 3kOhm rauskommt. Also bei 4 Endtransistoren rund 12k.
Wir habe eine ähnliche Anwendung mit 2N3055 im Einsatz, allerdings für bis zu 600A und natürlich mit wesentlich mehr Transistoren (knapp 200) und auch größeren Emitterwiderständen, das macht die Sache stabiler.
Das sind ganz schöne Mistdinger. Wenn man genug davon nimmt, aber OK. (2N3055 ist je nach Hersteller auch zuweilen durchwachsen.)
Wo man bei 45V auf jeden Fall noch aufpassen sollte, ist die Second-Breakdown Geschichte. Die meisten Transistoren haben nämlich ein Problem mit länger anhaltenden Gleichströmen bei hohem U(CE). Näheres verrät das Datenblatt. Da ist üblicherweise eine Grafik drin, die aufzeigt, welche Werte von U und I gleichzeitig erlaubt sind. Manchmal sogar für verschiedenen Zeitdauern (hier nicht relevant). Eingeschränkt wird das zum einen durch die P(tot)-Hyperbel und zum anderen durch den Second Breakdown - üblicherweise eine Gerade der Form I = a - b U.
Geht, aber größere Temperaturunterschiede vermeiden (s.o.). Als Kompensationstrick kann man Q2 doppelt ausprägen - für jeden Kühltunnel einen - und diese überkreuzt mit den Endstufen verkabeln. Das dürfte ziemlich stabil werden. Wie gesagt, ich würde sowieso ein paar Endtransistoren mehr nehmen. Dann passt das ja gut.
Marcel
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