Hallo,
ich habe hier in einem Buch eine Schaltung eines PMOS-Inverters (ich hoffe, soweit erkennbar):
-12 V = U_B --------o----------- | +---------o | | | | | | [--+ | T1 | | | [->-----o GND | | |____| [--+ G | o------------o Q | | [--+ T2 | I o | [->--o--o GND | | | |_______| [----+ G
Ferner:
Widerstand:
leitend sperrend T1 100k 1M T2 1-2k 10M
H=-1V, L=-11V
Das Buch sagt nun, dass Q auf -1V liegen wuerde, wenn T2 leitend waere (also wenn I=-11V). Warum -1V und nicht (fast) 0V? Denn da T1 ja auch leitend ist, ergaebe sich doch ein Spannungsteiler mit R2/R1=1/100, also Q=U_B/100=-0.1V. Ausserdem wird geschrieben, die Verlustleistung waere bei H-Pegel am Ausgang 6mW. Wie kommt dieser Wert zustande? Der Reihenwiderstand der beiden Transistoren betraegt doch immer mind. 1M, also P=U^2/R=0.1 mW?
Wie wird eigentlich der hohe Widerstandswert des Pull-Up-pFET T1 erreicht? Dickere Oxid-Schicht?
Vielen Dank,
Norbert Stuhrmann