Se si xchè?
2)Per le porte Pmos è necessario che il SOURCE sia sempre a potenziale maggiore che il DRAIN?
Se si xché?
3)In caso non fosse NECESSARIO xchè nel'invertitore Cmos si ha invece tale configurazione?
Se per esempio invece della configurazione (invertitore Cmos)
V(+)
|
S (Pmos)
D
|
D
(Nmos)
S
|
massa
se si invertisse uno od entrambe i transistor cosa si otterrebbe?
4)Per distinguere un un Nmos/Pmos a svuotamento o ad arricchimento basta guardare il potenziale del rispettivo gate? E quindi se ho un Nmos con gate positivo so che è ad arricchimento mentre se è negativo è a svuotamento (per il Pmos l'inverso)?
I mosfet possono essere usati anche come resistenze di carico (a svuotamento/arricchimento)
Nel mio libro ci sono 2 schemi che raffigurano un Nmos
V(+)
|
D
(Pmos)
S
|
Utilizzato come resistenza di carico
ad arricchimento se il gate è cortocircuitato con il DRAIN
o a svuotamento se il gate è cortocircuitato con il SOURCE.
5)Se invece che V(+) avessi avuto (V-) come avrei dovuto cortocircuitare il gate per ottenere una resistenza a svuotamento/arricchimento(se è possibile questa configurazione)?
6) Per ottenere una resistenza da un Pmos la V deve essere positiva o negativa?
7)In entrambi i casi(se possibili) con che cosa deve essere cortocircuitato il gate per ottenere
un carico ad arricchimento/svuotamento?
Grazie di cuore.