Freeliner XP Notebookproblem

Vor ca. zwei Wochen hatte ich mein Problem bereits ausführlich geschildert. Zur besseren Vorstellung habe ich nun ein Bild des "abgerauchten" IC (der oben in der Mitte) hochgeladen:

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Hier zur VOllständigkeit halber nochmal die Beschreibung meines Problems:

In meinem Notebook, ein "Peacock Freeliner XP 2400++" (soweit ich weiß baugleich zum Gericom Blockbuster) hat sich im laufenden Betrieb, wobei zeitgleich der leere Akku geladen wurde, ein IC verabschiedet. Ich gehe mal davon aus, dass dies durch einen Überstrom verursacht wurde. Nun lässt sich das Notebook weder mit dem Netzteil, noch mit dem Akku anschalten. Nun würde ich gerne das kaputte Bauteil austauschen. Nur lässt sich jetzt leider nicht mehr entziffern um was für ein Bauteil es sich handelt und wofür es gut ist. Da sich direkt neben dem defekten IC ein Bauteil mit identischer Gehäuseform und einer gleichen Anzahl an Pads befindet liegt die Vermutung nahe, dass es sich um exakt den selben Bauteiltyp handelt, aber davon kann man natürlich nicht ausgehen. Das defekte Bauteil befindet sich direkt in der Mitte unter Tastatur und ist unter einer schwarzen Schutfolie versteckt. Es ist mit der Bauteilnummerierung PQ34 versehen und befindet sich neben dem oben beschriebenen Bauteil mit der Bezeichnung 4435/L31AA/BEK und der Bauteilnummerierung PQ32, soweit ich das richtig entzifern konnte. Weiß vielleicht jemand, welche Bezeichnung das durchgebrannte IC trägt bzw. welche Funktion dieses hat. Meine Vermutung ist, dass dieses irgendwie mit der Spannungsversorgung zu tun hat, evtl. regelt dieses den Ladevorgang für den Akku??

Mittlerweile haben waren wir ja soweit, dass es sich bei dem danebenliegenden Bauteil um einen SI4435 handeln könnte, also einen P-Kanal MOSFET 8A in DY-Variante oder 9A bei BDY-Variante.

Vielen Dank,

Jan Faber

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Jan Faber
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Hi Jan,

Jan Faber schrieb:

Passt auch von der Pinbelegung her, die d=FCnne Gate-Leiterbahn und die fetten Drain und Source-Bahnen legen das sehr nahe.

Wenn sonst keiner eine Idee hat bzw. nachsehen will/kann:

Ich an Deiner Stelle w=FCrde mal die Spannung (und auch Polarit=E4ten) an Gate, Source und Drain am guten und am defekten FET messen. Sind die Spannungen im selben Bereich (mit Oszilloskop gucken beim Einschalten usw. wenn sonst nix messbar ist), dann w=FCrde ich den=20 defekten gegen einen SI4435 austauschen. Sind die Spanungen so, dass ein N-FET passen k=F6nnte, nimmst Du halt einen von der Werten her passenden N-Typ.

Ich wei=DF, das ist etwas riskant, aber defekt ist der L=E4ppi ja schon.

HTH Wolfgang

--=20 From-address is Spam trap Use: wolfgang (dot) mahringer (at) sbg (dot) at

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Wolfgang Mahringer

Hallo Jan,

eher weniger. In SO8 gibt es zu viel verschiedenes unter der Sonne.

Da die Source-Anschlüsse auf den gleichen Potential liegen, müsste es schon ergiebig werden, einmal durchzumessen, wo denn diese breite Leiterbahnen hingehen. Die Diode sieht auch nicht mehr gesund aus. Möglicherweise ist das ein N-Fet und eine Freilaufdiode aus einem Buck-Regler, der ein wenig mit 2 Ladevorgängen überfordert war.

Viel Spaß beim Suchen

Marte

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Marte Schwarz

Hallo nochmal, habe jetzt mal das komplette Mainboard ausgebaut und auf der Rückseite tatsächlich noch einen defekten IC entdeckt, vermutlich der IC von O2 Micro, wie Thomas Zepf schon meinte. Leider kann ich nur noch so halb das OZ erkennen. Weiß jemand welches Bauteil an der Stelle verbaut wurde? Ich schätze mal, dass es sich dabei um den Intelligent Charger (OZ862) handelt, der so wie das ausgebrannte Bauteil 10 Anschlusspads besitzt. Liege ich da richtig? Sobald ich was neues weiß, werde ich es hier posten.

Grüße, Jan

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Jan Faber

Sorry, habe mich vertan, das Teil besitzt 20 Anschlusspads

Liege ich da richtig?

Habe jetzt mal durchgemessen, wie die MOSFETS verbunden sind: Beide MOSFETS (siehe Foto), also sowohl der defekte, als auch der noch gut aussehende (der offensichtlich ein SI4435 ist) liegen mit dem Source-Anschluss auf Masse. Der Drain-Anschluss des (scheinbar) noch funktionierenden MOSFET ist mit +Ub verbunden. Der Drain-Anschluss des defekten MOSFET ist mit Source kurzgeschlossen, was aber sehr wahrscheinlich daran liegt, dass er defekt ist. Habt Ihr neue Vorschläge?

Grüße, Jan

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Jan Faber

Am 21 Oct 2004 08:37:19 -0700 hat Jan Faber geschrieben:

Sicher. Den defekten erstmal auslöten und dann nochmal messen, wo Drain/Source hingeht.

--
Martin
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Martin Lenz

Hallo Jan,

Jetzt hast Du's. Ein P-FET mit Source an Masse und Drain gegen + UB ist eine Diode sonst recht wenig. Ich fürchte, Du solltest noch einmal die Messung wiederholen und ggfs auch mal die Diodenstrecke ausmessen. IMHO müsste da sonst ein N-Fet rein, womit die Bezeichnung nicht mehr passt.

Ja, mach den Schrott schon mal raus und schau, was sich dann noch herausmessen lässt.

Marte

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Marte Schwarz

Habe nun den defekten MOSFET rausgelötet und nochmal nachgemessen. Der Drain des P-MOSFET ist mit +Ub verbunden. Der Source-Anschluss ist bei beiden ja gleich und liegt nun nicht mehr auf Masse. Dass das vorher der Fall war, lag daran, dass der defekte MOSFET einen Kurzschluss verurscht hat. Der Drain des defekten MOSFET ist dann mit der Masse verbunden. Also war das defekte Bauteil dann vermutlich ein N-FET oder wie?

Grüße, Jan

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Jan Faber

Hallo Jan, | > Jetzt hast Du's. Ein P-FET mit Source an Masse und Drain gegen + UB ist eine | > Diode sonst recht wenig. Ich fürchte, Du solltest noch einmal die Messung | > wiederholen und ggfs auch mal die Diodenstrecke ausmessen. IMHO müsste da | > sonst ein N-Fet rein, womit die Bezeichnung nicht mehr passt. | >

| | Habe nun den defekten MOSFET rausgelötet und nochmal nachgemessen. Der | Drain des P-MOSFET ist mit +Ub verbunden. Der Source-Anschluss ist bei | beiden ja gleich und liegt nun nicht mehr auf Masse. Dass das vorher | der Fall war, lag daran, dass der defekte MOSFET einen Kurzschluss | verurscht hat. Der Drain des defekten MOSFET ist dann mit der Masse | verbunden. | Also war das defekte Bauteil dann vermutlich ein N-FET oder wie?

hast Du die Drain-Source-Strecke mal durchgemessen, wie Marte schon schrieb? Ein Drain eines p-FET an + Ub klingt irgendwie falsch, es sei denn, das Potential an der Source sei standardmäßig höher. Wen dann der Drain des anderen nach GND geht, dann ist das wieder nicht so trefflich, weil evtl das Potential noch von einem weiteren (defekten) Bauteil (der Diode z.B.?) gegen Masse gezogen wird. Irgendwie ist das noch Stochern im trüben Wasser. Die Sorte Leiterbahn sollte man doch verfolgen können, wo sie hin geht (ggfs über die nächsten paar Komponenten weiter. Mach doch mal ein bischen ne Schaltplanskizze, dann kommt man vielleicht weiter.

Martin

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Martin Schönegg

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