Am 29.09.2011 18:11, schrieb Heiko Nocon:
Ich verstand ihn so, dass er den FET mit einem NPN/PNP-Pärchen treiben wollte, was natürlich völliger Quatsch ist.
Dafür kriegst Du Bipolar aber nicht mehr schnell aus, zumindest nicht mit einem µC Port-Pin. Da brauchts noch Schaltung außenrum. Aber mit µC-Portpin und BS170 sollte man schon gut unter 100ns hinbekommen können. Insbesondere der Threshold-Bereich wird sehr schnell durchfahren. Was die LED draus macht, ist ne andere Sache.
Gerade so einen kleinen FET kann man extrem schnell schalten (und zwar EIN und AUS), da kommst Du mit Bipolar nie hin. Mit dem BS170 kommt man halt nur wenige 100mA weit. Ein BSS138 schafft bei 5V schon weit über einem Ampere. Da kommst Du mit einem Bipolaren bei nur 20mA Basisstrom aber nie hin.
Wenn man die Basis eines FETs mit einem Tau von 50nsec umlädt, ist man maximal 20nsec im Threshold-Bereich. Die Drain-Flanke ist also steiler als die Gate-Flanke.
Wie kommst Du da drauf? Moderne FETs schaffen das locker, sogar der olle BSS138. Wichtig ist halt immer, dass der Gate-Treiber auch schnell ist, aber das Problem hast Du bei Bipolar genauso.
und dann >100nsec nicht mehr zu. Was bringt ein schnelles Einschalten, wenn man eh nur langsam ausschalten kann?