Ciao a tutti,
sto facendo un po' di esercizi...
Ne ho uno che parla di resistenze integrate. Né sullo script né nel libro ho però trovato qualcosa.
Potreste darmi un concetto da cercare, un link o una formula?
Qui sotto trascrivo l'esercizio per darvi un'idea di cosa mi serve.
Saluti Boiler
Testo originale: ==========
Dovete sviluppare una resistenza integrata per utilizzo ad alta temperatura su substrato di silicio. La resistenza deve diventare intrinseca solo motlo al di sopra di 500 K, quindi a 500 K la densità di elettroni intrinseca non dece superare il 10% della concentrazione totale. La lunghezza è determinata dalla tecnica di processo: 1.3 um. n_i (300 K) = 10^10 cm^-3
Domande:
a) quanto bisogna dotare
b) trovare la posizione del livello di Fermi rispetto alla metà del band-gap a 300 K e a 500 K.
c) la resistenza a 500 K deve essere 100 k ohm. Trovare la sezione. Mobilità dei portatori di carica: mu_n = 570 cm^2/Vs mu_p = 170 cm^2/Vs