BJT npn

Intendevo utilizzare un transistor npn BD439 in funzionamento on-off per controllare un carico da circa 1.5 A, ma tuttavia zenza riuscire a portarlo adeguatamente in saturazione, neppure polarizzando fortemente la base. Dai fogli tecnici si evince che tale componente dovrebbe essere in grado di sopportare una corrente di collettore pari a 4A.La corrente di base minima necesaria a saturare il transistor =E8 stata calcolata tenendo conto dei valori minimi di hfe riportati nei datasheet, ma in ogni caso nn =E8 stato ottenuto il funzionamento atteso. Con un alimentazione di 12 V si misura una tensione Vce di circa 4V, e il componente raggiunge temperature elevate ( non viene raggiunto la stato di saturazione e il transistor lavora dunque in sona lineare). Qualcuno =E8 in grado di comprendere la causa di tale problema? Grazie mille per la disponibilit=E0.

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marco_85
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Il 30 Lug 2005, 02:08, "marco_85" ha scritto:

Dal datasheet leggo HFE min=20.. Quindi con 150 Ohm dovresti raggiungere la saturazione.... a meno che tu non abbia sbagliato la piedinatura ;) La res. dissipa circa 1W.

Ciao

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Angela

"marco_85" ha scritto: Intendevo utilizzare un transistor npn BD439 in funzionamento on-off per controllare un carico da circa 1.5 A, ma tuttavia zenza riuscire a portarlo adeguatamente in saturazione, neppure polarizzando fortemente la base. Dai fogli tecnici si evince che tale componente dovrebbe essere in grado di sopportare una corrente di collettore pari a 4A.La corrente di base minima necesaria a saturare il transistor è stata calcolata tenendo conto dei valori minimi di hfe riportati nei datasheet, ma in ogni caso nn è stato ottenuto il funzionamento atteso. Con un alimentazione di 12 V si misura una tensione Vce di circa 4V, e il componente raggiunge temperature elevate ( non viene raggiunto la stato di saturazione e il transistor lavora dunque in sona lineare). Qualcuno è in grado di comprendere la causa di tale problema? Grazie mille per la disponibilità.

Quando il Vce e' piccolo, in regime di saturazione, il beta del transistor si abbassa, quindi bisogna aumentare la corrente di base usando una resistenza di base abbastanza piccola, diciamo circa 10 volte minore di quella che calcoleresti usando il valore del beta del transistor in zona attiva. Ciao

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Giorgio Bibbiani
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Giorgio Bibbiani

Un bel giorno, "marco_85" ebbe l'ardire di profferire:

Hai dato on'occhiata al datasheet?

VCE(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 2A, IB = 0.2A

0.8 V

Come vedi usano una corrente di base che è solo 1/10 di quella di collettore. Prova a ricalcolare la tua Ib considerandola come se dovesse essere da 0.4A

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Due di Picche

Capisco... in ogni caso la perdita energetica sul resistore di base sarebbe eccessiva... Probabilmente dovr=F2 utilizzare un' altra tipologia di transistore... un mosfet. Grazie a tutti per l'attenzione.

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marco_85

Ciao Non offenderti per la banalita' della risposta, ma hai messo una R tale da limitare la corrente a 1.5 A ?? Ossia hai misurato la corrente ?? Abbi pazienza !!!!

Comunque un NMOS con RDSon di 50 mOhm , certamente ti risolve il problema

Ciao Giorgio

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giorgiomontaguti

Se ti riferisci alla corrente di collettore, non sono riuscito a misuararla poich=E8 il bjt manifesta una Vce di circa 4 V. Di conseguenza la corrente =E8 decisamente inferiore al valore atteso. Oltretutto in tali condizioni la temperatura del componente tende a salire; ovviamente non adotto alcun dissipatore, poich=E8 nelle condizioni di funzionamento volute non servirebbe.

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marco_85

Ciao Comincia a mettere una R tale che, se il transistor va in saturazione, la corrente sia circa 1.5 A e vedi cosa succede !!! Se non limiti con una R , la corrente va all'infinito, e quindi il Vce puo' benissimo andare a 4 V e fondere !!!!!!

Ciao Giorgio

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giorgiomontaguti

Pestando alacremente sulla tastiera "marco_85" ebbe l'ardire di profferire:

Magari un darlington aiuterebbe.

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Due di Picche

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