Ancora su BJT... mistero :)

Il /27 nov 2005/, *Enrico* ha scritto:

Hai posto R1=R2=Ra, R3=R4=Rb e C1=C2=C Se sì il d% (teorico) è del 50% (però devi tenere conto delle tolleranze di R e di C) e il periodo vale: T=1,4RbC

No, non hai capito... in questo secondo "esperimento" ho generato l'onda quadra simmetrica (non al 50% ma poco ci mancava) col 555.

Dal pin3 di uscita tramite una resistenza da 10K ho polarizzato la base di un BC141 caricato sul collettore da una R da 1K. Successivamente ho provato pure a scendere con le resistenze e sono arrivato ad 1K in base e 560 ohm sul collettore... calcolando che il BC141 aveva un hfe di 80 lavorava in saturazione molto spinta.

Ora... non capisco come possa entrare in base un'onda quadra simmetrica ed uscire di collettore un'onda sempre bella squadrata ma non più simmetrica! In pratica è come se il bjt restasse in saturazione oltre il tempo per cui è pilotato dal segnale di base! Può dipendere dalla saturazione troppo spinta? Forse introduce un ritardo ad aprirsi nel momento in cui il segnale in base va a zero?.. Il fatto è che se metto la R di base di valore alto, sufficente a saturare il transistor in DC, quando applico il segnale ad onda quadra ottengo in uscita una forma d'onda simile alla carica di un condensatore (presumo dipenda dalle capacità parassite del componente).

Spiegazioni?

Grazie,

Enrico.

"Enrico" ha scritto nel messaggio news:438a3493$0$16218$ snipped-for-privacy@reader3.news.tin.it...

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Come hai intuito il bjt e' in saturazione e per spegnerlo devi togliere i portatori in eccesso dalla base. Un metodo rapido per farlo e' aggiungere un condensatore in parallelo alla resistenza da 1kohm (condensatore di speed-up).

Saluti

"GG" ha scritto nel messaggio news:GX4jf.26420$ snipped-for-privacy@tornado.fastwebnet.it...

Ah, ma quindi che vuol dire è una questione di capacità parassite che restando cariche gli ritardano lo spegnimento? Oppure è un'altro effetto?

Non ci crederai ma ci avevo pensato ad un qualcosa del genere, solo che non ho provato perchè ho anche pensato che certamente mi sarei ritrovato delle forme d'onda strane in uscita :) Mo provo ;-)

ciao e grazie,

Enrico.

"Enrico" ha scritto nel messaggio news:438e2c2d$0$13261$ snipped-for-privacy@reader2.news.tin.it...

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Mmm direi di no. Non e' una questione di capacita' parassite. Ha senso parlare di capacita' parassite di giunzione soltanto quando queste sono in interdizione. In questo caso hai un eccesso di portatori che mandano in saturazione la giunzione. Questi portatori vanno eliminati per portare la giunzione in interdizione.

Per vederla da un punto di vista molto pratico (chiedo scusa delle approssimazioni che faro' e delle semplificazioni), hai una certa quantita' di portatori Q (carica) da fornire alla giunzione BE. Risolvendo la maglia composta dall'uscita del 555, dalla resistenza di base Rb e dalla giunzione BE, all'accensione si ha:

Vout-Rb*Ib-VBE=0 Ib=(Vout-VBE)/Rb=(5-0,7)/1000=4,3mA

Allo spegnimento la tensione in uscita dal 555 si puo' assumere nulla e si ha: Ib=-VBE/Rb=0,7/1000=0,7mA

La corrente di spegnimento e' 1/6 di quella di accensione e per muovere la stessa quantita' di carica dalla giunzione BE occorrera' un tempo 6 volte superiore. La situazione peggiora se la saturazione del transistor e' molto spinta.

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Mi sono dimenticato di chiederti a che tensione alimenti il 555. Se e' alimentato ad una tensione superiore a 5V, e' meglio che aggiungi un diodo in parallelo alla giunzione BE del transistor con l'anodo collegato all'emettitore ed il catodo collegato alla base.

Saluti

Anche per una giunzione polarizzata in diretta ha senso parlare di capacita` (differenziale). Quando cambi la tensione diretta ai capi della giunzione (di poco, essendo una giunzione polarizzata in diretta), cambia in modo drastico la quantita` di carica immagazzinata, e si puo` definire una capacita` differenziale come C=dQ/dV

Questa capacita` mi pare si chiami capacita` di diffusione, ed e` molto piu` grande di quella in polarizzazione inversa, capacita` di transizione che e` data da una cosa che assomiglia di piu` a un condensatore normale.

Ciao Serve solo la classica R da qualche k,o meno, fra base ed emitter !!!! Troppo banale ???

Ciao Giorgio

"giorgiomontaguti" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...

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Si', si puo' provare anche con quella. In laboratorio ho visto che in alcuni casi non e' sufficiente a garantire la simmetria dei tempi di accensione e spegnimento. In quei casi e' utile il condensatore di speed-up. Poi come elettronica minimale 1 condensatore o 1 resistenza sono soluzioni abbastanza simili :-))))

Saluti

"Franco" ha scritto nel messaggio news:438ff64b$2 snipped-for-privacy@x-privat.org...

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Azz... E' vero! Me ne ero scordato!!! :-((( Non ti sfugge nulla!! :-))) Meno male, cosi' le castronerie elettroniche non vinceranno.

Saluti

Ciao Un conto e' un transistor che non si interdice ,un conto e' la velocita' di commutazione !! Se il tuo transistor non si interdice perche' gli arriva una tensione sulla base....ci vuole una R da base a massa, se invece serve invelocire la commutazione, si mette il solito C di speed up.

Ciao Giorgio

"giorgiomontaguti" ha scritto nel messaggio

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Sono d'accordo (anche se in realta' velocita' di commutazione e interdizione del transistor sono due facce della stessa medaglia) ma il ragionamento non funziona sempre. Ad esempio se si considera il caso di un'uscita duale (+10V e -10V per esempio) per alimentare la base del transistor con emettitore collegato a massa. In questo caso la resistenza base emettitore non serve (e manco serve la capacita' di speed-up ;-)))) ). Nel caso particolare del post, se l'uscita e' a 5V, scegliendo una resistenza base-emettitore tale da garantire un tempo di spegnimento simile a quello di accensione si andrebbe a lavorare con tensioni "critiche".

Vout-Rb*Ib-VBE=0 Ib=(Vout-VBE)/Rb=(5-0,7)/1000=4,3mA

Allo spegnimento la tensione in uscita dal 555 si puo' assumere nulla e si ha: Ib=-VBE/Rb=0,7/1000=-0,7mA

La resistenza di spegnimento (per garantire gli stessi ritardi di commutazione) dovra' essere tale da verificare la seguente condizione: Ib=-VBE/(Rb//RBE)=-4,3mA

Quindi: (Rb//RBE)=-VBE/Ib=-0,7/-4,3m=162,8ohm

Ora supponiamo di scollegare la base del transistor e verifichiamo la tensione in uscita dal siffatto partitore: V=Vout*RBE/(Rb+RBE)=5*194,5/(1000+194,5)=0,813V

Siamo molto vicini alla tensione di polarizzazione diretta della giunzione base emettitore. Si puo' aumentare la resistenza di base del transistor per evitare la saturazione profonda, ma piu' di tanto non si puo' fare. In questi casi una capacita'di speed-up non guasta.

Ho detto qualche boiata tremenda? ;-))) Aspetto le tirate di orecchio di qualche guru dell'elettronica (che so Franco o Giorgio, dei quali apprezzo sempre il contributo estremamente positivo che portano alle discussioni).

Saluti