1. Home
  2. Electronics (German)
  3. Verpolschutz aus FAQ

Verpolschutz aus FAQ

Hallo zusammen, habe gerade die FAQ abgegrast und die Schaltung zum Verpolungsschutz gefunden.

|---------| A (+) ---Sich-+---| |----- +5V K | | LDO | K +-|>|-+ | | U | | | (-)GND --+---------| |------ GND |---------|

Kurz meine Specs: Akku: NiMH, 5 Zellen, also nominal 6V. (bzw. im Bereich 5,3V - 7,25V )

LDO: Habe die Kondensatoren nicht eingezeichnet...

Die nachfolgende Schaltung zieht maximal etwa 600mA.

Was für ne Diode ( oder Dioden )nehm ich denn da am besten? Und wie ist das mit der Polyfuse, die ist ja etwa nach 0,5s am auslösen, bis dahin bekommt der Akku ja alles ab. Macht das denn nichts?

Und nun zu der Schaltung mit dem MOSFET:

(+) --------+-------- + D |G S (-) --+--NMOSFET--+-- - +----|

Reply to
Daniel Tschetmotor
Loading thread data ...

Daniel Tschetmotor schrieb:

Spannungsabfall an der Sicherung nicht vergessen!

Kommt auf die Sicherung und den Akku an, man Innenwiderstand.

Nein.

[...]

Wenn du GND beim Akku definierst schon, muss man doch aber nicht.

Gruß Dieter

Reply to
Dieter Wiedmann

Dieter Wiedmann schrieb:

Häh, was soll das denn für eine Antwort sein???? Weißt du da Bescheid?

- Im Datenblatt des Herstellers( GP ) findet sich nix darüber, aber NiMH Akkus sollten einen Innenwiderstand von etwa 200-300mOhm pro Zelle haben.

Warum?

Vielen Dank fürs Antworten! Daniel

Reply to
Daniel Tschetmotor

"Daniel Tschetmotor" schrieb im Newsbeitrag news:cvktm2$l34$02$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Na, die Diode muss eine groessere Impulsenergie aushalten, als die Sicherung. Also moeglichst dicke Diode, moeglichst superflinke Sicherung, und daher moeglichst kleine Kondenstaoren hinter der Sicherung in der Schaltung.

Am Anfang ja, dann leitet der MOSFET und ueberbrueckt die Diode, also sehr niedriger Spannungsabfall.

--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Reply to
MaWin

MaWin schrieb:

Habe ne Sicherung mit ner ansprechzeit von 0,2s, die Polyfuse spricht ab

1,5A an. Danach kommt ein C mit 0,1µF und dann der LDO. Kann ich da ne 1N5400 nehmen oder brauch ich was schhnelleres?
Reply to
Daniel Tschetmotor

"Daniel Tschetmotor" schrieb im Newsbeitrag news:cvmn0u$3ce$04$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Also was jetzt, Sicherung oder Polyfuse ? Ansprechzeit ist nicht alles, Energie in Joule ist relevant, die steht sowohl bei der Sicherung dabei, als auch bei der Diode (nicht jeder, aber einige Hersteller machen das), und der Wert der Diode sollte halt ausreichend groesser sein. Eine Polyfuse begrenz den Strom in der Kurzschluss-Phase maehr als die Sicherung, dafuer brennt die superflinke Sichewrung schneller durch. Am Besten Kennwerte protokollieren.

--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Reply to
MaWin

Daniel Tschetmotor schrieb:

Er weiß Bescheid und damit Du auch Bescheid weißt, sagt er "man Innenwiderstand". Das ist aus der UNIX-Welt entlehnt und bedeutet, daß Du sprichwörtlich "das Manual zum Innenwiderstand" lesen sollst. Unter UNIX zeigt der Befehl "man " das Handbuch zum jeweiligen Befehl an.

Nun alles klar?

Ciao...Bert

Reply to
Bert Braun, DD5XL

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.