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Suche "robusten" Dual-OpAmp

Hallo NG!

Hat jemand von Euch zufällig einen Tip für folgendes Problem? Ich habe hier einen Prüfstand für Impuls-Hochspannungskondensatoren, in dem ein kleiner Verstärker für Meßzwecke seinen Dienst tut bzw. tun sollte. Zuerst hatte ich einen TL082 (CMOS-Technik) verbaut, der hat aber reproduzierbar bei jedem Stoß offensichtlich auf Grund der elektrischen und/oder magnetischen Streufelder und/oder auf Grund von Pontetialverschiebungen im Aufbau die Hofe hochgerissen. Die ersten paar Mal mit SEU-Latch-Up, danach dann auch mit SEL-Latch-Up. Als Ersatz kam ein NE55532 (Biplor-Technik). Der war zwar deutlich robuster, ist mit steigenden Ladespannungen und damit steigenden Stoßströmen auch irgendwann ausgestiegen - bei Werten, die im Vergleich zu den geplanten Werten immer noch "Kindergarten" sind. An einer verbesserten Abschirmung und evtl. ein paar strategisch günstig plazierten Z-Dioden arbeiten wir noch, aber dennoch schon mal die Frage: Kennt Ihr Dual-OpAmps, die von Haus aus unempfindlicher gegen Spannungsspitzen an den Pins sind?

TIA,

Sebastian

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Sebastian Suchanek
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Sebastian Suchanek schrieb:

vieleicht doch lieber Transil Dioden ? , aber dennoch schon mal die Frage:

Vieleicht einfach diskret aufbauen. Oder sogar mit Röhren? Ja, kein Scheiß, in Stahlwerken waren Meßverstärker mit Röhren noch bis Mitte der 90'er Jahre in Betrieb, denn die haben nur rote Backen gekriegt und gut war. Ich weiß nich ob das jetzt urban legend ist, aber angeblich sollen die Mig29 auch noch mit Röhren geflogen sein.

Andreas

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Andreas Ruetten

Sebastian Suchanek schrieb:

TL082 ist bipolar mit JFET-Eingängen und einklich durchaus robust.

Also solltet Ihr erstmal klären, was /genau/ den Ausfall ausgelöst hat. Solange nur Vermutungen im Raum stehen, ist jeder Versuch einer Lösung ein Experiment mit offenem Ausgang.

Kein IC mag Spannungen außerhalb seiner Spezifikationen. Sorge durch geeignete Schutzbeschaltung dafür, daß die störenden und gefährlichen Spannungsspitzen gar nicht erst bis zum IC kommen - und daß auch die zulässigen Ströme an den Eingängen nicht überschritten werden können.

Tilmann

--
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Tilmann Reh

JFet ?

Hatte der nicht interne Diode von +Pin auf -Pin damits ihm die empfindlichen, rauscharmen Bipolartransistoren nicht schlachtet ?

Bei invertierender Beschaltung und bipolarer Versorgung d.h. echtem GND ist das auch recht wirksam, aber Eingangswiderstand ist niederohmig, entspricht R1:

---R1----+-----R2------+ | | +-+--|- \ | K A | \__|__ A K | / +-+--|+ / | GND

MfG JRD

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Rafael Deliano

Die Diode ziehen kaum Leckstrom, da ja ca. 0V Spannung anliegt, insofern auch für MOS-OPs sinnvoll. Ihre Kapazität kann allerdings stören.

In dem Zusammenhang ist auch relevant: Burr-Brown AN-064 "Diode-Connected FET Protects Op Amps"

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MfG JRD

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Rafael Deliano

Tilmann Reh schrieb:

JFET stimmt schon, aber die sind generell sehr latch-up empfindlich bei geringsten negativen Eingangsströmen, die schnell mal fliessen, wenn man unter einige 100mV unter Vee runter geht. Normalerweise himmelts die (LF356er Reihe ist da berüchtigt), wenn die negative Speisespannung bei split supply zu spät kommt resp. von der positiven "auf links gezogen" wird. Diode allein am Eingang gegen minus reicht da IMHO nicht, allenfalls Schottky, ev nochmals Widerstand zw. Diode und Eingang.

--
mfg Rolf Bombach
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Rolf_Bombach

Das stimmt und das duerfte zwei Gruende haben:

  1. Sie hatten noch genuegend Lagerbestaende. Die Sowjets hatten vermutlich weniger Geld zum Rausschmeissen wie die Amis, was das Militaer betraf.
  2. Roehren sind NEMP-sicher! :-)

Wahrscheinlich waren fuer Schaltzwecke in der UdSSR noch lange Kaltkathodenroehren im Einsatz...

Falls sich jemand fuer dieses Thema interessiert:

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Gruss Thomas

--
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Thomas Schaerer

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