Hallo Leute, bekanntlich redet man bei Bipolartransistoren ja nicht über ein RDSon sondern über eine Sättigungsspannung, die typischerweise zwischen 100mV und 600mV liegen soll. Schaut man sich die Datenblätter genauer an, findet man leider immer nur Angaben bei relativ großen Strömen. Will man aber wie ich nur 100µA schalten, findet man bei Standardtransistoren (BC817, BC846, ...) keine brauchbaren Informationen. Eigene Messungen haben ergeben, dass solche Transistoren durchaus unter
20mV liegen können, was für mich völlig ausreichen würde.Sucht man nach "Low Saturation" Transistoren, wird man natürlich auch fündig, allerdings scheint es da keine Standardteile zu geben und auch die Spezifikation im gewünschten Bereich (1µA bis 1mA) ist oft nicht vorhanden. Allerdings wird oft ein "equivalent on resistance" angegeben.
Hier bin ich mir aber nicht sicher, ob die über den ganzen Strombereich gilt oder ob es nicht doch einen Spannungsoffset gibt.
Beim BC817 habe ich eine geeignete Kurve im Infineon Datenblatt gefunden:
Seite 5 unten rechts. Hier scheint es tatsächlich einen Spannungsoffset von ca. 50mV bei 150°C zu geben. Allerdings sind das wohl auch nur typische Werte, der Max-Wert wäre viel interessanter.
Wie ist das bei den Low-Saturation-Transistoren? Sind die besser, was den Offset angeht? Beim PBSS4120T ist da natürlich nichts angegeben.
Ich könnte mir das Problem natürlich durch einsatz eines FETs vom Halse schaffen. Allerdings macht mir hier in meinem Fall die große Toleranz der Threshold-Spannung wieder zu schaffen. Deshalb würde ich gerne bei Bipolar bleiben, da weiß ich definitiv, dass der zwischen 0,3 und 0,9V Ube einschaltet (über ganzen Temperaturbereich).
Michael