Liebe Leute,
Reagier ein EPROM auf einen Zugriff schneller, wenn man CS auf GND legt und OE nimmt, um die Daten auf den Bus zu legen?
Holger
Liebe Leute,
Reagier ein EPROM auf einen Zugriff schneller, wenn man CS auf GND legt und OE nimmt, um die Daten auf den Bus zu legen?
Holger
Was sagt denn das Datenblatt dazu?
-- Uwe Bonnes snipped-for-privacy@elektron.ikp.physik.tu-darmstadt.de
Institut fuer Kernphysik Schlossgartenstrasse 9 64289 Darmstadt
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Am 11.12.2012 07:22, schrieb Holger:
Üblicherweise tut es das.Gruß Gunther
Und ebenso üblicherweise ist bei /CS=H die Stromaufnahme deutlich geringer. Man erkauft die höhere Geschwindigkeit also mit erhöhtem Strombedarf.
Details weiß wie immer das Datenblatt.
XL
Um mal ein paar Zahlen in den Ring zu werfen:
27512: 125mA vs. 40mA 27C512: 35mA vs. 100µAjeweils active (/CS=L) vs. standby (/CS=H)
wobei der Wert für CMOS mit Vorsicht zu genießen ist, weil für Lesezugriffe im 5MHz Takt. Die statische Stromaufnahme dürfte wiederum geringer sein.
Ebenfalls zu bedenken ist, daß ein EPROM natürlich auch eine Address-Zugriffszeit hat, die bei allen von mir überflogenen Datenblättern mit der CE-Zugriffszeit übereinstimmte. Die kürzere OE-Zugriffszeit kommt also nur zum Tragen, wenn die Adressen schon hinreichend lange vor OE stabil anliegen. Wenn man hingegen ein Signal hat, das zeitgleich mit der Gültigkeit der Adresse auf L geht, dann kann man das auch als /CE nehmen ohne Geschwindigkeit einzubüßen.
XL
Das ist der entscheidende Punkt.
Die Leseverstärker für die Speicherzellen brauchen eine gewisse "Precharge" Zeit, d.h. jedesmal wenn die neu angesetzt werden wird es langsam (egal ob via /CS oder Ax getriggert).
Micha
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