Labornetzteil

Hi!

Sind denn noch andere Schutzmaßnahmen (wie zum Beispiel Damper-Diode am Ausgang) erforderlich? Oder ist das Netzteil mit seiner Strombegrenzung von außen her unverwüstlich?

Gruß Thomas

Thomas Stegemann schrieb im Beitrag ...

Ausgang)

Kein Netzteil ist unverwuestlich, wie es schnell bewiesen wird, wenn man 230V~ in den Ausgang stopft. Eine 1N5401 Diode 'verkehrtherum' parallel am Ausgang stoert bei normalen Betrieb nicht und verhindert Verpolung von aussen. Eine 1N5402 Diode vom Ausgang zum Ladeelkeo verhindert Probleme mit Ueberspannungsspitzen. Mehr ist nicht sinnvoll/noetig.

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Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
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Apropos FET's! Die sind für meine Anwendung wohl zu unlinear, oder?

Gruß Thomas

Thomas Stegemann schrieb im Beitrag ...

Welche Anwendung ? 33V/3A Netzteil ? Dafuer sind MOSFETs durchaus geeignet, schliesslich wird geregelt. 'Art of Electronics' Horowitz/Hill hat einen Vorschlag. MOSFETs haben einen iel besseren SOA Bereich. Allerdings ist das Parallelschalten von MOSFETs im Linearbetrieb nicht so einfach. Entweder man muss sehr gut selektieren und braucht dann immer noch groessere Stromverteilungswiderstaende als bei Bipolartransistoren (mit entsprechend hoeherem Verlust) oder man muss sie enzelen per OpAmp ansteuern, und den Strom per einzelShunt messen oder MOSFETs mit Stromkontrollausgang verwenden. Siehe de.sci.electronics FAQ:

"Kann man MOSFETs zur Leistungssteigerung parallelschalten ?" Auch eignet sich als Schaltung eher Conrad's 190180 als deine, wegen der mehr als 10V Gate-Ansteuerspannung (die bei deinem Schaltungsprinzip als DropOut Spannungsverlust ebtsteht, bei der anderen Schaltungsweiseist).

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Müsste ich denn dann überhaupt welche parallelschalten? MOSFETs erhitzen sich doch nicht so stark wie bipolare Transistoren, oder? Muss die Schaltung in dem Fall stark abgeändert werden?

Gruß Thomas

Thomas Stegemann schrieb im Beitrag ...

Es gibt zwar etwas dickere, z.B. STE180N10 (von ST, bei Farnell), aber die willst du nicht wirklich bezahlen. Und ein einzelner ist selbst im TO247-Gehaeuse etwas wenig fuer

105 Watt, wenn du nicht einen Kompressorkuehlschrank als Kuehlkoerper haben willst sondern mit Konvektion auskommen willst.

Doch, natuerlich. Exakt gleich. Wenn dein Netzgeraet 3A bei 5V liefern soll, dann muss es von den 40V am Ladeelko halt 35V verbrauchen, bei 3A also 105 Watt, egal ob MOSFET oder bipolarer Transistor.

Im Schaltberieb kann manchmal ein MOSFET die bessere Wahl sein, wann anders ein bipolarer. Muss man im Einzelfall ausrechnen.

Ja.

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Ich glaube dann bleib ich lieber bei den bipolaren. Werde mir dann nächste Woche mal Transistoren besorgen. Hältst du den 2N3772 (falls ich den bekommen kann) für die bessere Wahl? Der kann mehr ab bei höheren Temperaturen, oder?

Gruß Thomas

TO3 ist aufwendiger zu montieren. Vor allem, wenn man *isoliert* montieren will. Oder magst du +40V am Kühlkörper?

Wie kommst du darauf? Der BD249 ist eigentlich besser zu kühlen, weil a) das Gehäuse leichter zu handlen ist b) der innere thermische Widerstand (R_th_j_c) kleiner ist

Beispiel, du willst 100W Verlustwärme loswerden. Die Umgebungstemperatur sei maximal 50C, Sperrschichttemperatur max. 150C. Die Kühlkonstruktion darf also von Chip zu Umgebung einen thermischen Widerstand von höchstens 1K/W haben (das ist (150C - 50C) / 100W).

2x 2N3055: R_th_j_c = 1.5K/W, plus 0.1K/W für isolierte Montage, zweimal parallel macht 0.8K/W, bleiben 0.2K/W für den Kühlkörper. 2x BD249: R_th_j_c = 1K/W, plus 0.1K/W für isolierte Montage, zweimal parallel macht 0.55K/W, bleiben 0.45K/W für den Kühlkörper. 3x BD249: 0.63K/W für den Kühlkörper.

Und jetzt guckst du mal, wie groß/teuer Kühlkörper mit 0.2K/W und

0.6K/W jeweils sind.

XL

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Das ist halt der Unterschied: Unix ist ein Betriebssystem mit Tradition,
die anderen sind einfach von sich aus unlogisch. -- Anselm Lingnau

snipped-for-privacy@jobpilot.de (Axel Schwenke) schrieb:

Die wenigen Löcher für TO3 bohrt man doch auch nur einmal.

Ich finde, die Transitorwahl sollte anhand anderer Kriterien erfolgen. Bei der Temperaturbilanz sehe ich keinen Vorteil für den BD249. Ich würde die Transistoren nicht isoliert montieren (kommen doch in ein Gehäuse und 40V ist auch nicht so bedrohlich), aber bleiben wir bei der bisherigen Rechnung.

2x BD249: Rechnung wie oben, 0.45K/W für den Kühlkörper.

Die 3055 habe eine zulässige Sperrschichttemperatur von 200C°.

2x 2N3055: R_th_j_c = 1.5K/W, plus 0.1K/W für isolierte Montage, zweimal parallel macht 0.8K/W, bleiben 1.5 -0.8 =0.7K/W für den Kühlkörper. Bei den 3772 wäre es noch günstiger. 2x 2N3772: R_th_j_c = 1.17K/W, plus 0.1K/W für isolierte Montage, zweimal parallel macht 0.635K/W, bleiben 1.5 -0.635 =0.865K/W für den Kühlkörper.

Bei 2x3772 würde ein Strangkühlkörper SK 34 (125x65x100) mit 0,75K/W ausreichen.Vorausgesetzt, die Verlustleistung übersteigt nicht 100W.

Erich

...

Wenn man 100W verheizen will, bringt man den Kühlkörper besser außerhalb des Gehäuses an. Mit TO-3 braucht man dann Isoliersscheibe, Isolierbuchsen und Abdeckung für das Transistor-Gehäuse selber. Und der Kollektor muß über die Schraube kontaktiert werden. Wenn es wenigstens was bringen würde. Ein KD503 (beliebter Endstufen- Transistor in der DDR) hat z.B. 0.8 K/W im TO-3. Damals weit besser als TO-220 (andere Bauformen gabs eigentlich nicht).

Ein alter Verstärker von mir hat die komplementären Endstufentransis in TO-3 auf einem Kühlkörper (der Teil der Rückwand ist). Da hat man dann +30V und -30V in wenigen mm Abstand. Im Endeffekt habe ich das mit Gießharz vergossen.

Ich habe da echte Zweifel. Wahrscheinlich mal wieder maßloße Über- treibung hier und etwas Untertreibung beim BD249. "Grobes" Silizium rechne ich mit 150 - 175 Grad C. Wie ich es gelernt habe.

XL

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Das ist halt der Unterschied: Unix ist ein Betriebssystem mit Tradition,
die anderen sind einfach von sich aus unlogisch. -- Anselm Lingnau

Moin Thomas,

100W kannst Du mit /einem/ Transistor dieser Leistungsklasse eh nicht verbraten.

Rainer

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Darüber hinaus ist er Österreicher (spricht also Deutsch)
(Der Rotstift in: z-netz.alt.esoterik)

snipped-for-privacy@jobpilot.de (Axel Schwenke) schrieb:

Ja, wenn es ein stationäres Gerät ist. Man muss ihn aber umbauen um ihn selbst und andere Gegenstände vor ihm zu schützen. Denn ein Kühlkörper deutlich kleiner 1K/W ist schon ein Brocken. Da 100W Verlustleistung in den meisten Anwendungsfällen nicht auftreten, neige ich dazu, den Kühlkörper in das Gehäuse zu nehmen und eine temperaturgesteuerte Zwangslüftung einzubauen.

Erich

Les dir doch mal den ganzen Thread durch. Bei zwei parallelgeschalteten Transistoren waren wir bereits angelangt.

Ich neige dazu den Kühlkörper nach Altvätersitte in die Rückwand zu integrieren. Ich auch einfach zu machen, wenn man eh das ganze Gehäuse selbst baut. Weiß bloß noch nicht wo ich Abdeckungen für die 2N3055 oder 2N3772 herbekommen soll :-(

Gruß Thomas

Ich weiß wirklich nicht, wofür man so etwas braucht, aber wenn du unbedingt eine Abdeckung willst, ein Tipp: Viele Rippenkühlkörper für diese Transistoren haben in den beiden Rippen neben der Aussparung für den Transistor eine Rille, in die man bequem einen Streifen aus Alublech oder ähnliches einschieben kann.

Gruß Lars

Thomas Stegemann schrieb:

Conrad #187453

Gruß Dieter

Moin Thomas,

selbst das wird noch sehr eng. Passiv gekühlt sollte man nicht viel mehr als etwa 30W pro Transistor (T=-3 oder TO-218) einplanen.

Rainer

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Allerdings sparen die Firmen dann doch lieber an Klopapier
und anderen Dingen, wovon die Führungsetage etwas versteht.
(Jakob Krieger in dchm)