Hexfet als Schlter - Problem :(

Guido Speer schrieb:

Du schaltest Batterie-Plus, richtig? Die Schaltspannung am Gate kommt ebenfalls von Batterie-Plus. Wie willst Du damit eine Gate-Source-Spannung von mehreren Volt erreichen, die zum Schalten ausreicht? Die Masseleitung könntest Du so schalten.

CU Christian

Naja, Surce hängt ja nicht einfach in der Luft, liegt ja über die Verbraucher (quasi 1Ohm) direkt an Masse. (Oder deknke ich hier was falsch...?)

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Guido Speer schrieb:

Vermutlich betreibst du die NMOS-FETs als High-Side Schalter und wenn dann die Last nicht auf annähernd Nu liegt, bekommen die MOSFETs nicht die gesamte Gatespannung. Messe mal direkt an einem FET zwischen G und S die Spannung!

Wenn es so ist: Baue irgendeine Mimik, die dir die Gates mind. 5V ÜBER die Batteriespannung bringt. z.B. einfach ein MAX232 oder ein Dioden-Kondensator-Spannungsverdoppler. Die genaue benötigte Spannung kannst du im Datenblatt des MOSFET nachlesen.

Die MOSFETs könnten auch schwingen. Nimmer mal ein Scope. Oder du baust PMOS-FETs ein.

- Henry

Guido Speer schrieb:

Aber überleg mal: Ist der Schalter geschlossen, liegen sowohl Gate als auch Drain auf Batterie Plus. Also sind die Gate-Source- und die Drain-Source-Spannung automatisch gleich. D.h. eine ausreichend hohe Vgs würdest Du nur bei gleich hoher Vds (und damit den beobachteten immensen Verlusten) erreichen.

CU Christian

"Guido Speer" schrieb im Newsbeitrag news:fnfmv7$jp9$03$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Muss man darueber wirklich nachdenken?

Das geht so nicht, gar nicht, nicht mal mit NPN-bipolar-Transistoren (an denen dann 0.7V statt 0.25V Saettigungsspannung abfallen wuerden).

Du hast einen Source-Folger (Emitterfolger) gebaut, keinen gesaettigten Schalter. Bein Source-Folger folgt der Source Anschluss dem Gate Anschluss um Uth versetzt, also mit 3.5V weniger, und diese 3.5V*20A (von Stromverteilungsroblemen der Parallelschaltung abgesehen) sind Verlustleistung.

Und selbst wenn es gehen wuerde (weil man PMOSFETs verwendet und den Schalter auf Masse schalten laesst, oder die NMOSFETs in die Masseleitung tut), stellt sich die Frage, wie lange das die MOSFETs ueberleben wurden.

Induktive Last (ein Motor?). Was passiert mit der Gegen-EMK beim Auschalten? Keine Schutzdioden?

Richtig beschaltet taete es uebrigens einer der teuren MOSFETs.

Naja, manchmal hat man halt ein Brett vorm Kopp Testweise habe ich das jetzt umverdrahtet, die FETs schalten jetzt die Masseseite. Das war übrigens mein erster Gedanke, beim Schaltplanzeichnen habe ich das dann verworfen. Weis auch nicht was mich geritten hat. Bin halt Amateur mit halbem Halbwissen ;-))) So lüppt das zunächst mal, jetzt hängt eine 55W Halogenlampe zum Test dran. Spannungsabfall mit meinem Handmultimeter nicht messbar, klemme ich nachher mal das Tischmultimeter dran. Gegen-EMK ist auch zu beachten (sind Brushlessmotoren mit ihren Reglern davor, ist das dann hinter dem Regler noch ein so großes Thema?), die FETs haben aber schon Dioden drin.

Was meinst Du mit den teueren Morfets? Guido

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"Guido Speer" schrieb im Newsbeitrag news:fnfsmn$ses$02$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Der Regler enthaelt zwar Dioden zu SEINEM Schutz, leitet aber die Spannung an seine Akkuanschluesse weiter. Er enthaelt vermutlich keinen VDR/Transil/Z-Diode.

Nein. Die sind falschrum. Die Diode muss hoehere Spannungen ableiten, in Richtung Akku.

Na, deine IRF1404.

Achso, dann sollte einer einer bedeuten ;) (also ein Stück) Klar, doch ich hatte schon mal an FETs einen Ausfall, da das Gate durch war. D-S blieben dann hochohmig. Damit sowas in der Luft keinen Ärger macht, sind halt 2 drauf. (der A380 hat ja auch vieles doppelt und was die können.... ;) )

Teuer waren die nicht, liefen mir im 20er Pack beim iBäh übern Weg, gibts aber auch ab 1,65 Euronen zu kaufen. Guido

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