Farad

...

Die Bedeutung eines Begriffs in einem Fachtext ist entweder

Fachtext selber festgelegt. Egal, was Du dir bisher bei

was das Lehrbuch, die Monographie oder die Norm sagt.

|gespeichert ist (+Q auf dem einen und -Q auf dem anderen), |und der zwischen ihnen herrschenden elektrischen Spannung U.

Elektronik und Elektrotechnik.

bei den Hasenexperten meint man damit /Ohren/.

eine Menge aufzunehmen:

Dazu stelle man sich einmal eine feste Ladung Q vor, aber verschiedene Kondensatoren, die bei Q unterschiedliche Spannungen U haben. Bei einem bestimmten Kondensator C0, bei dem die Spannung kleiner ist, kann man /leichter/ (d.h. mit

Anders gesagt: Bei einer bestimmten festen Ladung Q

kann man bei C0 /mehr/ Ladung aufbringen - in diesem

durch die Spannung.

Wertesystem. Damit meine ich sind manche Bedeutungen, gerade in den Wissenschaften, durch Akzeptanz und Altertum mehr Wert (im gedachten Kontext) als andere. Da die Menge mit der Mengenlehre eine zentrale Basis der Mathematik ist sollte ein Kontext zu dieser auch mehr Wert sein als

Stromfluss in der Elektronik. Siehe Kombinatorik und

Hier unterscheide ich aber den Unterhaltungsgehalt:

Bedeutungen hat die ich im Kontext denken kann, kann das

in Verwirrung oder schlechten Noten oder als Erwachsene als fehlende Reputation endet. Was dann wiederum, wenn man der Geschichte glaubt, auch im Krieg enden kann. Daher... "Instrument der Macht", nicht im Sinne von 23

definitiv nicht auf eine Zeiteinheit im Kontext denkbar (delta t der As...). Metapher: Eine Textdatei

wieviele Character ich einer Zeitspanne in die Datei hineinpresse (schreibe)...

eine gespeicherte Ladungsmenge.

I(t) = dQ(t)/dt.

Diese Gleichung ist leider unsinnig:

C = Q/U,

zu der dazu angelegten Spannung U.

Ein Dielektrikum im Kondensator nimmt keine Ladung auf, sondern es wird durch das elektrische Feld, das sich beim Laden eines Kondensators zwischen dessen leitenden Elektroden ausbildet, polarisiert. Dies beschreibt man durch eine Materialeigenschaft, die sog. relative

Beispiel Plattenkondensator:

C = eps_0 * eps_r * A / d

Diese Gleichung ist leider auch unsinnig. Wenn du zeitlichen Verlauf der Ladungsmenge auf einem Kondensator beim Laden desselben mit einer Spannung U berechnen willst, ist noch der ohmsche Widerstand des

R S C _____ / | | |----|_____|-->--o |-----| |----| | ---> I(t) | | | | o U_R(t) ---> | U | U_C(t) | v o | | | |--------------------------------|

U_R(t) + U_C(t) = U

R*I(t) + Q(t)/C = U

R*dQ/dt + Q(t)/C = U

dividiert durch R:

dQ/dt + Q(t)/(R*C) = U/R

also Einschalten zum Zeitpunkt t = 0:

Q(t) = C*U*(1 - exp(-t/tau) ; tau = R*C (Zeitkonstante)

t = 0: Q(0) = 0

t --> inf: Q = C*U

Das Produkt "C*U" beschreibt den statischen Endzustand nach Abklingen

der zeitliche Verlauf des Ladestroms:

I(t) = dQ(t)/dt

= C*U*exp(-t/tau)/tau

also

I(t) = (U/R)*exp(-t/tau)

Dieter Heidorn

suggeriert, durch die Begriffbedeutung in der Sprache an sich, in

es mal darum wie man Systeme (z.B. Mathematik, Physik) denkt. Da

oder wie auch immer man das bezeichnet) das es in einem Systemmodell immer einen Gegenstand gibt wie das Element in der Menge und mindestens eine oder viele Funktionen, wie z.B. die Grundrechenarten.

In meiner Vorstellung sind Stoffe chemische

Elektronen gibt. Aber bin mir auch nicht sicher ob das

Dioden...

Meinte es eher begriffstheoretisch und nicht auf eine Anwendung

Differentialgleichungen beschreiben auch eine x-koordinate im

wird weggesaugt (gleich / wechselstrom).

- kefko

gleichung C = Q/U kommt die Zeit nicht vor.

die Einheit: [Q] = As.

Im statischen Fall:

Q = C*U.

dQ/dt = C*dU/dt

Kondensators oder sein Verhalten in einem Wechselstromkreis. Dort ist der Betrag des kapazitiven Blindwiderstands eines Kondensators mit der

Halbleiter denkst, zumal du auch noch schreibst:

Halbleiterdioden enthalten keine Dielektrika.

Vielleicht kannst du hier Informationen finden, die dir helfen:

Das ist leider eine fehlerhafte Deutung.

Aufladen eines Kondensators ist es nicht weiter verwunderlich, dass der Vorgang "Aufbringen einer Ladungsmenge auf einen Kondensator durch

b) die auf dem Kondensator befindliche Ladungsmenge sich zeitlich

Anschaulich ist das auch klar: Zum Beginn des Ladevorgangs ist der Kondensator ungeladen, und das Abziehen von freien Elektronen von der einen Elektrode und das Aufbringen von Elektronen auf der anderen erfolgt im ersten Zeitpunkt ohne Behinderung. Sind aber schon Elektronen abgezogen/aufgebracht, so wird das weitere abziehen/aufbringen mit fortschreitender Zeit schwieriger, da die Elektrode, von der Elektronen abgezogen werden, zunehmend positiv geladen wird, also Elektronen, die

Elektrode, auf die Elektronen aufgebracht werden sollen, gilt entsprechendes: je mehr Elektronen schon darauf aufgebracht sind, umso

werden sollen.

Nein; ein materielles Dielektrikum bewirkt durch seine Polarisation eine teilweise Neutralisation von auf den Elektroden befindlicher Ladung, sodass im Vergleich zum Fall "Vakuum zwischen den Elektroden" eine an einen Kondensator angeschlossene Spannungsquelle mehr Ladung aufbringen

C = eps_0 * eps_r * A / d

eps_0: elektrische Feldkonstante des Vakuums

d : Plattenabstand

Aus der Beziehung Q = C*U erkennst du dann, dass Q ~ eps_r ist bei sonst

Dieter Heidorn

Am 27.11.21 um 15:49 schrieb Dieter Heidorn:

Ich halte hier gerade eine BB204B in den Flossen:

pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/philips/BB204B.pdf

, desto

eren Dicke eben durch die angelegte Spannung bestimmt wird. Das an

deshalb funktioniert das.

@Interessierte... &bzgl.Vorstellungs(Phantasie)modellen in Bezug zu einer Theorie: (nicht das ich "alte Hasen" in der newsgroup wieder beleidige...)

des Kodensators(~ Dielektrikum | Raumladungszone) eine Ladung "speichert"...

freien Elektronen (N-Material) die nun verarmte Raumladungszone somit auch

Bezug zu dem "Volumen", da die Raumladungszone mehr Raum von dem Halbleitermaterial einnimmt...

- kefko

Es handelt sich bei Kondensatoren und bei Halbleiter-Dioden um

1. Beispiel: ebener Plattenkondensator;

zwei parallele Metallplatten, die an eine Spannungsquelle mit der Spannung U angeschlossen werden, werden dadurch geladen:

• von der Platte, die an den Plus-Pol der Quelle angeschlossen ist, werden Elektronen bildlich gesprochen "abgesaugt", sodass die Platte dann einen Elektronenmangel aufweist, und positiv geladen ist; * die "abgesaugten" Elektronen werden auf die Platte, die an den Minus-Pol der Quelle angeschlossen ist, "aufgepumpt", sodass die

geladen ist.

--- --- | | | | |+| |-| | | | | |+| |-| + o---| | | |---o - |+| |-| | | | | |+| |-| | | | | --- --- ||

Zwischen den Platten bildet sich ein elektrisches Feld aus:

E = U/d

Wenn sich zwischen den Platten kein Dielektrikum befindet, dann

elekrischen Flussdichte im Kondensator:

Q/A = eps_0 * E = eps_0 * U/d

==> C = Q/U = eps_0 * A/d ---------------------

Wird ein Dielektrikum zwischen die Platten eingebracht, dann wird dieses durch das elektrische Feld polarisiert. Dadurch wird die Ladung auf den Platten teilweise neutralisiert, sodass die Quelle weitere Elekronen absaugen bzw. aufpumpen kann:

--------- --- | | --- |+| | | |-| |+| |- +| |-| |+| | | |-| |+| |- +| |-| + o---|+| | | |-|---o - |+| |- +| |-| |+| | | |-| |+| |- +| |-| |+| | | |-| --- | | --- ----------

||

C = Q/U = eps_r * eps_0 * A/d -----------------------------

Dabei ist Q immer noch die Ladung auf den Platten. Zur Vertiefung siehe

Dielektrikum keine "Ladung speichert".

Da eps_r > 1 ist, hat die Ladungsmenge im Vergleich zum Aufbau ohne Dielektrikum bei gleich gebliebener Spannung U zugenommen und dadurch

1. In einer Diode ist _kein_ solches Dielekrikum wie beim Platten-

vorstellen mag.

Dielektrikum dazwischen:

p n ---------------------------------------- | | | | | - | | | | | + o---| |[-] | [+]| |---o | | | | | | | | | | ---------------------------------------- |d_p | d_n| (Dicke der Raumladungsschichten im p- bzw. n-Gebiet)

Die Raumladungsschicht entspricht auch nicht dem Dielektrikum, wie es im Plattenkondensator verwendet wird. Dort wird das Dielektrikum

Sperrschicht vor, und die Breite der Sperrschicht kann durch die von

verkleinert.

Die in der Raumladungsschicht gespeicherte Ladung ergibt sich im Schottky-Modell aus

Q_sc = e * N_D * d_n(U) * A

e: Elementarladung N_D: Donatorendichte d_n(U): Dicke der Raumladungsschicht im p-Gebiet

definiert durch

C_sc = |dQ_sc/dU|

Spannung".

C_sc = e * N_D * A * |d(d_n(U))/dU|

Im Schottky-Modell ergibt sich mit der Dicke d_n(U) (die ich hier

C_sc = A/2 * sqrt( ((N_A*N_D/(N_A + N_D))*(2*e*eps_r*eps_0)/(V_D - U) )

-----------------------------------------------------------------------

N_A: Akzeptorendichte

C_sc ~ 1 / sqrt(V_D - U)

zur Spannung, die dazu verwendet wird. Das ist der Rahmen, der beide Anordnungen erfasst: den Kondensator aus zwei metallischen Elektroden mit einem Dielektrikum dazwischen, und auch die Sperrschicht einer pn-Diode.

Nimmst du umgekehrt z.B. das Dielektrikum zwischen Elektroden eines

Dieter Heidorn

Am 16.12.21 um 15:44 schrieb Dieter Heidorn:

Es gibt hier keinen Herrn Bruns. Eine Sperrschicht ist ein Isolator,

nung quasi abgesaugt wurden. Sie hinterlassen also ein mehr oder weniger

Dielektrikum sehen.

Nach

von 11.9 ausgehen.

unterschiedlich

e_ ein

Bei durchlegierten Si-Dioden mag das dann so sein. So, und nun habe ich

Woche noch.

Am 17.12.2021 um 02:37 schrieb Holger Bruns:

Oder als unsichtbares rosa Einhorn.

Und eine Batterie hat 1,5V.

Hast du wieder welche kaputt gemacht?

Sebastin Wolf schrieb:

Dazu eine ernst gemeinte Frage:

ionisierten Donatoren bzw. Akzeptoren ein "polarisiertes Dielektrikum" darstellen? Oder ist das nur Brunssche Verwirrung?

Dieter Heidorn

Dieter Heidorn schrieb:

sich auf MaschIngs. Und selbst welche von der DLR habe da noch nichts von

die hatten da auch Null Ahnung, ETH hin oder her.

Vielleicht kriegt Emma auch PN und PIN-Dioden durcheinander. Eigentlich

Diode, Kondensator und Akkumulator anzuschauen, ist sicher nicht verkehrt, so als Start der Vermutungen.

Rolf Bombach schrieb:

Dass diese Verarmungszone

sehe ich aber als falsch an.

Dieter Heidorn

Am 19.12.21 um 20:08 schrieb Dieter Heidorn:

in Isolator? Ich kenne keine intakte Gleichrichterdiode, die in

d darf

korrekt,

s es im elektrischen Feld polarisiert wird? Die dielektrische Polarisation

ber sowas hat mit Physik nichts zu tun.

Holger Bruns schrieb:

freie Elektronen des n-Gebiets diffundieren in das p-Gebiet, und

• Dadurch entsteht eine positive Raumladungszone aus ionisierten Donatoren im n-Gebiet und eine negative Raumladungszone aus ionisierten Akzeptoren im p-Gebiet.

• Zwischen diesen beiden Raumladungen bildet sich ein elektrisches Feld

• Im thermischen Gleichgewicht kompensieren sich Diffisonsstrom und Feldstrom.

Es ist also nicht die von dir vermutete "Isolator-Eigenschaft", die zu

betraglich unterscheiden.

In der Sperrschicht liegt kein "reines Silizium" vor, sondern Silizium mit ionisierten Donatoren bzw. Akzeptoren.

Das elektrische Feld in der Sperrschicht ist das Feld, das sich

kein Dielektrikum so wie im Plattenkondensator vorliegt. Dann kam dein Auftritt mit dem Versuch, dem zu widersprechen. Und das ist immer noch unsinnig. Zwischen der Raumladungszone mit ionisierten Donatoren und der Raumladungszone mit ionisierten Akzeptoren befindet sich kein neutrales

Kannst du aber nicht wissen, steht ja nicht im Tietze Schenk. Und wenn

sondern spulst gleich wieder deine auf Unkenntnis beruhenden Vorurteile ab.

Dieter Heidorn

Am 20.12.21 um 20:42 schrieb Dieter Heidorn:

Da werden wir uns nicht einig. Die Sperrschicht ist in Sperrichtung von

der Anode.

Ich will den Rest jetzt einfach mal ignorieren, denn es ist mir jetzt

tand

meine Zeit mit sowas nicht verzetteln will.

oder nicht, schau ich mir das Datenblatt an. Und da ist es mir auch egal, ob sich Elektronen vom Minus-Pol einer Spannungsquelle aus

meiner Welt

Tante Emma schrieb:

stammen aus den p- und n-Gebieten und nicht aus der Sperrschicht.

Die Diffusionsspannung bewirkt einen Feldstrom dieser

auch Generationsstrom.

Rekombination in dieser wird jedes Elektron, das, vom p-Gebiet her

Spannung.

sich ein Diffusionsstrom dieser Elektronen vom n-Gebiet in das p-Gebiet. Dieser Strom wird auch Rekombinationsstrom genannt.

der Diffusionsspannung anlaufen. Der Bruchteil der Elektronen, der

benannten Sachverhalte seit langer Zeit bekannt und experimentell

Das reicht ja auch aus, um mit Dioden praktisch zu arbeiten. Und dazu

Andererseits haben aber erst Grundlagenforschung an Halbleitern die

Es war auch nie die Rede davon, dass sich "Elektronen sich vom Minus-Pol

Fazit: Du magst gut in Halbleiter-Schaltungstechnik sein, aber in Halbleiter-Physik sind deine Kenntnisse eher als sehr gering einzustufen.

Dieter Heidorn

Am 21.12.21 um 20:31 schrieb Dieter Heidorn:

Mal dies, mal das, mal jenes. Die Raumladungszone ist unterhalb der

und wird auch Sperrschicht genannt.

tung

Ich will mich jetzt nicht nochmals mit den Details deiner Darstellung befassen, zumal ich hier schon so viele Beleidigungen allein in diesem Faden gelesen habe, dass es mich schaudert. Ich wehre mich gegen diese Umgangsformen.

mich nichts wirklich neues.

Sorry.

On 23.12.21 near 03:38, Tante Emma aka Holger Bruns deppilierte:

Niemand hat dich gerufen nun auch dsp mit deinen pseudo-technischen

Dort wartet eh dein 'Freund im Gheiste' Hartmut Kraus auf dich!

fup2 de.sci.electronics