Kurz und knapp: Hat hier irgendjemand schon Erfahrungen mit dem DirectFET-Package von IR gemacht? F=C3=BCr mein neues BLDC-Design habe ich auf MOSFETs im D=C2=B2Pak zur=C3=BCckgegriffen. Aber IRs DirectFET gef=C3=A4llt mir von der Idee her. Nur w=C3=BCrde ich halt ge= rne wissen, was andere Leute davon halten.
Gr=C3=BC=C3=9Fe
Wolfgang
Die werden vorallem schwer zu bestücken sein -- ohne Lotpastenmaske und Heissluftkolben wird das nicht zuverlässig gehen.
Guck' dir auch mal die HAT2xxx-Serie von Renesas im LFPAK-Gehäuse an!
Ist ein SO-8 mit Drain-Metallstreifen auf dem Chip. Kann man super kühlen, leicht löten, und reichen wohl an die Direct-FETs ran.
-- Thomas Kindler
Hallo,
ich habe sehr gute Erfahrungen mit den DirectFET gemacht. Parasitäre Induktivitäten sind sehr gering, so dass bei entsprechendem Design deutlich kleinere Schwingungen möglich sind als mit den D-Pak und ähnlichen. Von den sonstigen Kennwerten wie Innenwiderstand/Kapazitäten sind die DirectFET ja auch ganz weit vorn.
Die Kühlung klappt mit einem "thermal interface material" (in meinem Fall Gap-Pad von der Firma Bergquist) zwischen Platine und Kühlkörper sehr gut.
Bei uns ging es nur um Prototypenfertigung, also Löten von Hand. Auf der IRF-Seite hatte ich da ein Video von 4min gefunden (leider nur geringe Auflösung). IRF verschickt die in dem Video gezeigten Schablonen auf Anfrage beim Tech-Support (Gehäuse angeben). Video hier ganz unten:
Da wir wegen 2-seitiger Bestückung auch keinen Reflow-Ofen zum Löten nutzen konnten, habe ich mir noch spezielles Lot besorgt (SN42Bi58, Schmelztemp
160°C oder so), welches aber für ein fertiges Produkt vielleicht lieber nicht genutzt werden sollte. Aber damit waren die Lötungen nach Art des Videos sehr gut (Ergebnisse mit Bleifrei-Lot anfangs waren ziemlich mies, allerdings hatten wir anfangs auch nur einen sehr kleinen Heißluftkolben).Grüße und viel Erfolg,
Hanno
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