Eine akademische Frage? Stromverbrauch von SRAM-Zellen

Sep 29, 2016 44 Replies

Johannes

--

Kosmologen: Die Geheim-Vorhersage.

Ach komm, das ist doch gar nichts. Mein SPICE rechnet mit 64 Bit Floats,

SCNR, Johannes

>> Wo hattest Du das Beben nochmal GENAU vorhergesagt? Kosmologen: Die Geheim-Vorhersage.

Kontrolliert mit einem Femtometer. ;-)

---hdw---

Ralf Kiefer schrieb:

Nein. Solange die Speicherzellen symmetrisch aufgebaut sind, ziehen sie

nicht der sparsamere Zustand sein (EEPROM, Flash...).

Der Aufbau aus 6 (oder mehr) Transistoren ist der Integration geschuldet, bei der Transistoren kleiner und besser reproduzierbar

Stromquelle bilden.

Ob Zellen "ungenutzt" sind, kann man nicht beurteilen, wenn es keinen

abschalten, um Strom zu sparen.

Neben SRAM und DRAM gibt es noch mehr statische Speicherarten, von denen

DoDi

Am 29.09.2016 um 21:18 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Intel 7110

Die Betriebstemperatur duerfte auch einen wichtigen Einfluss haben...

Uwe Bonnes bon@elektron.ikp.physik.tu-darmstadt.de Institut fuer Kernphysik Schlossgartenstrasse 9 64289 Darmstadt --------- Tel. 06151 1623569 ------- Fax. 06151 1623305 ---------

Dieter Wiedmann schrieb:

Das ist ein SAM, kein RAM.

DoDi

Am 29.09.2016 um 22:23 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Stimmt, aber damals gabs auch mindestens Labormuster mit echtem

Bedeutung zu erlangen.

Am 29.09.2016 um 23:13 schrieb Dieter Wiedmann:

randvolle Doppel-Eurokarte), zu langsam als Arbeitsspeicher, und zu teuer pro Bit als Massenspeicher.

Hergen

lagerbar sein.

cu Michael

Board-Hersteller lieferten mit abgeschalteter Uhr aus. Im Falle meiner VMEbus-Karten (MVME167/177) gibt's im Debugger von Motorola den Befehl

liefen hier bei (jetzt) meinen Karten die Uhren munter weiter.

1 Stunde aufwiesen.

Ein billiges DMM und ein Shunt von 100k - 1Mohm sollten reichen, oder?

cu Michael

Ralf Kiefer schrieb:

Die App Note 1012 "Predicting the battery life and data retention period of NVRAMs and serial RTCs" von ST hast Du noch nicht gefunden? Darin beschreibt ST u.a. den Aufbau der SRAM-Zellen inkl. Schaltbild.

smaller than the 6T equivalent. [...] This leads to a net reduction in the device costs. Although the current drawn from the lithium cell is increased, the devices have been specified to outlast the useful life of most equipment in which they are used."

Christian

[1]
Christian Zietz - CHZ-Soft - czietz (at) gmx.net WWW: http://www.chzsoft.de/ PGP/GnuPG-Key-ID: 0x52CB97F66DA025CA / 0x6DA025CA

Am 30.09.2016 um 10:53 schrieb Christian Zietz:

Geiz ist geil! :-(

d

Nett

den

Widerstand. Bei 3V und angenommen 10M sind das immer noch 330nA. Pro Bit!

n.

zbedarf eines integrierten Widerstands ja proportional zum Wert ...

Ich schrieb:

dieses IC irgendwann ein Prozessupgrade erfahren hat, bei dem auch die

In M48T08 aus den 1990ern sollte also noch 6T-SRAM enthalten sein. Aber

Stromverbrauch egal, ob eine "0" oder "1" darin gespeichert ist.

Christian

[1]
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Axel Schwenke schrieb:

"However, the value of the resistor is extremely high (about 3T? at 25

Christian

-- Christian Zietz - CHZ-Soft - czietz (at) gmx.net WWW:

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Am 30.09.2016 um 11:18 schrieb Christian Zietz:

Richtige 6-Transistor-Zellen bestehen aus ordentlichen Invertern mit je

2 Transistoren. Davon ist ein Tr. immer richtig offen und der andere

Bei meinem Core i7 auf dem ich das tippe gilt nicht mal mehr das. Die Transistoren sind dermassen auf Geschwindigkeit und Kleinheit

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