Hallo liebe Experten, ich habe Verständnisschierigkeiten zu EEPROM-Angaben in einem Datenblatt.
In dem Datenblatt des PIC12F629/675 habe ich einen Hinweis zum internen EE-Datenspeicher gefunden, der nicht zu meinem bisherigen Verständnis von der EE-Funktion passt. Im Dokument
8.5.1 USING THE DATA EEPROM
> The Data EEPROM is a high-endurance, byte addressable
> array that has been optimized for the storage of
> frequently changing information (e.g., program
> variables or other data that are updated often).
> Frequently changing values will typically be updated
> more often than specifications D120 or D120A. If this is
> not the case, an array refresh must be performed. For
> this reason, variables that change infrequently (such as
> constants, IDs, calibration, etc.) should be stored in
> FLASH program memory.
Dazu auf Seite 94 die zugehörigen Daten (Auszug):
12.7 DC Characteristics:
> Data EEPROM Memory
>
> Param
> No. Sym Characteristic Min Typ Max Units Conditions
>
> D120 ED Byte Endurance 100K 1M - E/W -40°C are violated
> D124 TREF Number of Total 1M 10M - E/W -40°C = TA = +85°C
> Erase/Write Cycles before Refresh
(Für folgendes beziehe ich mich auf D120 bis 85°C) Bisher dachte ich, dass nach 100.000 Schreibzyklen die Speicherzelle möglicherweise nicht mehr ihren Inhalt behält. Nun steht da, ich soll vor 1 Mio. Schreibzyklen einen Refresh durchführen (was auch immer ein Refresh sein soll). Was ist damit gemeint? Warum steht da, die Daten bleiben 40 Jahre erhalten, wenn ich keine Konstanten speichern soll? Habe ich das falsch verstanden oder ist das nur ungünstig formuliert? Könnte es sein, dass die Daten für Einzelzellen und dem Gesammtarray vermischt wurden? Ist es möglich, dass beim Beschreiben einer Zelle die Nachbarzelle an Information verliert?
Wer kann mir dazu den Text interpretieren helfen?
MfG Horst