Beistand zu HighSide FET gesucht

Kommt immer drauf an.

Wenn es nicht besonders schnell sein soll, und nicht besonders viel Strom zu schalten ist, dann nimm einen einfachen PMOS. Source an +15 V, Widerstand zwischen Gate und Source und mit Open Collector (oder Open Drain) das Gate zum Einschalten nach Masse ziehen.

PMOS hat bei gleicher Chipflaeche ( und aehnlichen anderen Parametern) einen deutlich hoeheren Einschaltstom.

Ansonsten gibt es auch Highside Schalter fuer NMOS Bausteine mit Ladungspumpen, z,B. den TPS2490

Ulrich Prinz schrieb:

Du solltest auch daran denken, das man eine solche Br=FCcke mit einem schnellen und einem langsamen Teil auslegt. Der schnelle Teil mit den NFETs macht die PWM. und der langsame mit P-Transistoren wird nur zur (meist seltenen) Polarit=E4tsumschaltung verwendet. Gruss Harald

=20

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om

stand

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einen

Hi!

Danke schon mal. Ich muss in diesem Fall keine PWM machen, sondern nur=20 schalten und das recht langsam. Es m=FCssen aber Einschaltstr=F6me von 15= A=20 min. geschaltet werden, Dauerstr=F6me bei 5A. Es ist aber ein Imax von 30= A=20 zu ber=FCcksichtigen.

Wenn ich mir das Datenblatt vom TPS2490 ansehe, dann verwenden die f=FCr =

die HighSide auch ein N-Channel FET. Da frage ich mich nun, warum mein=20 N-Channel FET bei LowSide kalt bleibt und bei HighSide hei=DF wird. Ich=20 verwende ein IRF1404 f=FCr das LowSide Switching. Liegt das daran, dass ich das FET mit einem HPCL3120 Optokoppler=20 FET-Driver falsch beschalte in diesem Aufbau? Oder liegt das daran, dass =

ich den Widerstand zum Gate bzw. den von +15V nach Gate nicht drinn=20 habe?. Der sollte nach der im IRF Datenblatt angegebenen Formel etwa 6R=20 betragen.

Liege ich durch die aktuelle Beschaltung gar noch im Regelbereich des=20 FET, habe es also nicht ganz durchgeschaltet?

Gru=DF, Ulrich

=2E..

Hi Harald!

Ich habe hier keine Br=FCcke. Ich muss lediglich eine Last am positiven=20 Ende schalten. Dazu habe ich das FET mit seinem Source an +12..+18V=20 liegen, das Drain an der Last, Last gegen Masse. Der Optokoppler-Treiber =

(HPCL3120) schaltet das Gate mit einem Transistor gegen +12..+18V und=20 mit einem FET gegen Masse.

Nehem ich ein N-FET und lege die Last zwischen +12V und Source=20 funktioniert der Aufbau einwandfrei ( sogar mit PWM sehr steilflankig).=20 Lege ich die Last zwischen Drain und Masse, wird der N-FET hei=DF. Daher dachte ich, ich muss ein P-FET nehmen. Es gibt aber bei einige=20 Suche keine Optokoppler-Treiber die P-FETs ber=FCcksichtigen. Daher kann =

es sein, dass ich da grunds=E4tzlich einen falschen Gedankengang habe und= =20 mein N-FET nur anders beschalten muss um gl=FCcklich zu sein. Wie gesagt, in diesem Fall braucht es keine schnellen Reaktionszeiten,=20 aber ein m=F6glichst niedriges RDSon ist sehr willkommen. Und ich muss=20 einen Optokoppler dazwischen haben, denn die zu steuernden Lasten=20 erzeugen sehr viel Rotz ( Verzeihung) auf ihrer Versorgung, die ich aus=20 der steuernden Schaltung fern halten muss.

Gru=DF, Ulrich

Ulrich Prinz wrote: ...

Mit Gate an Drain baust Du einen Sourcefolger (aehnlich dem Emitterfolger). Der schaltet nicht vollstaendig durch, sondern er stellt sich so ein, dass UGS=UDS bei dem benoetigtem Drainstrom ist. Fuer einen N-Kanal High Side Switch musst Du an das Gate eine Spannung groesser als die Versorgungsspannung anlegen, daher die benoetigte Ladungspumpe.

Einen P-Mos schaltest Du durch, indem Du Source an V+ legst und Gate nach Masse ziehst. Das geht viel einfacher. Fuer 5A/15 Ampere findest Du auch ohne Probleme auch einen P-Mos. Auf einen ersten Blick finde ich bei Farnell z.B. den FDP4020P Tschuess

ch

rnell

Hi!

Danke, das hilft weiter. Danke auch f=FCr die Grundlagen, werde mich dazu= =20 noch einmal genauer informieren. Aber meinem akuten Patienten hilft es=20 erst einmal weiter. Habe momentan ein P-FET dass 60A/200A kann und denke =

damit auf der sicheren Seite zu sein. Der Preisunterschied von 2E ist=20 nicht weiter wichtig, Langlebigkeit und Zuverl=E4ssigkeit schon.

Allerdings denke ich auch =FCber eine L=F6sung mit dem TPS2490 nach, denn= =20 diese bietet einige interessante Features wie Kurzschluss- und=20 =DCberlastschutz die durch einen uC =FCberwacht werden kann. Das w=FCrde = eine=20 'mechanische' Sicherung =FCberfl=FCssig machen. Das w=FCrde sehr viel Sch= utz=20 und Luxus f=FCr nur wenige Euros mehr ausmachen.

Danke f=FCr Deine Hilfe

Ulrich

Ulrich Prinz schrieb:

Brauchst Du denn überhaupt die galvanische Trennung? Sonst nimm doch einfach einen ProFET von Infineon, z.B. BTS441 (aus'm Kopf; es gibt auch noch viel stärkere).

Tilmann

n=20

Hi!

Danke, wir haben das ganze mal auf einem Steckbrett zusammen gebaut und=20 dabei einen IRF5305 P-Channel und einen BS170 als Treiber nach Masse=20 verwendet. Funktioniert einwandfrei. Die galvanische Trennung ist=20 vermutlich nicht n=F6tig, aber wir schalten in dem Schrank 32=20 Hochspannungskonverter. Das rummst auf der Leistungsversorgung=20 ordentlich und erzeugt aus der Erfahrung bei einem =E4hnlichen Projekt=20 eine Menge St=F6rstrahlung. Der Steckbrettaufbau schaltet eines dieser Hochspannungsnetzteile und=20 kommuniziert dabei mit einem anderen Kontroller, der den ersten=20 =FCberwacht. Wenn der Aufbau keine Fehler in der =DCbertragung produziert= ,=20 dann haben wir also vermutlich 50% Sicherheit. Der finale Aufbau ist=20 dann mit Abschirmung und galvanischer Trennung bei deutlich >100%=20 Sicherheit. Nat=FCrlich wird das ganze auch noch sauber vermessen. Da das ganze eine =

Einzelanfertigung ist, spielen so Kleinigkeiten wie 2=80 f=FCr einen=20 Optokoppler keine Rolle.

Ich werde mir aber die ProFETs mal ansehen.

Gru=DF, Ulrich.