Je vois que tu as la réponse. On a toujours Vgs + Vs. Donc quand Vs =
0..............Vgs suffit.
"Emile" a écrit dans le message de news: snipped-for-privacy@t20g2000yqa.googlegroups.com... > Emile, pour le mos soit conducteur, il faut que la gate soit a une tension
FAB merci pour ta réponse , ta démonstration est valable dans le cas ou la charge est entre la source et la masse ? ou dans tous les cas ?
Car actuellement ma charge est entre + VCC et le drain et cela fonctionne avec Vgs = 4 V pour une tension Vds de 24 V
Emile
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E
Emile
Une autre question ,
Est ce possible de multiplexer des transistors ? En gros avec 8 sorties d'un PIC en obtenir 16 ( 4 X 4 ) ? Est ce possible techniquement pour toujours des ampoules par exemple avec des transistors pour l'allumage
Merci
ion
). Si
est
ent il
IC
l de
=E2blage de
nt
L
LeLapin
Emile a tapoté du bout de ses petites papattes :
Tu peux toujours faire un montage simple avec un demux et des latches, ou des bascules R/S même. Genre deux 74xx154, et des Nand pour faire les bascules. Donc à une adresse tu éteins, à l'autre tu allumes, bit par bit. Mais ça existe même certainement tout fait de nos jours.
LeLapin
E
Emile
Et monter des transistors en cascade ? pour que le jus passe les 2 grilles doivent etre aliment=E9es par exemple ?
=3D
nsion
5V). Si
s est
quent il
r
PIC
l de
=E2blage de
ant
as
e
J
jj
quelle puissance tes lampes ?
JJ
J
jj
de plus, tu fais tout pour que ça oscille bien, tu t'approches d'un oscillateur ECO.
et en plus, comme l'a bien expliqué FAB, les lampes ont peu de chance de s'allumer correctement...
JJ
E
Emile
12 V 25 W
e
E
Emile
J'ai encore une question.
je faisais un test ce soir et je me suis apercu d'une chose , en fait je poss=E8de 2 types de MOSFET N , un IRF540 et un IRF540N , le marchand ma fourni les 2 types alors que j'ai command=E9 un mod=E8le bien particulier mais bon passons ...
J'ai aliment=E9 la grille avec du 4 V , cela fonctionne l=E0 n'est pas le soucis , ma lampe s'allume (celle ci est reli=E9 =E0 du 12 V).
Je me suis juste apercu d'une chose .
Avec le mod=E8le de mos IRF540 , la luminosit=E9 est 3 fois plus importantes ( plus de courant semble passer dans IDS) Avec le mod=E8le IRF540N , la luminosit=E9 est feblarde , ( moins de courant visiblement ).
Comment cela est il possible pour une meme tension de grille ?
J'ai beau regarder dans le datasheet et je ne trouve rien qui explique cette chose !
Merci =E0 vous !
Emile
tie
e,
messages pr=E9c=E9dents -
F
FAB
Comme je te l'ai dit, l'IRF540 n'est pas du tout fait adapté à la commande par microcontroleur. Ce MOS à besoin d'une tension Vgs de 10V pour atteindre son Rdson minimum. Un MOS fonctionne parfaitement en linéaire, dans ton cas la conduction commence à 3V (1mA) et est a peu près linéaire jusqu'à 6V. Donc d'un MOS à l'autre autour de 4V pour de très petite différence de tension la conduction va changer fortement. A 4V fait attention tu peux le cramer, Rdson étant élevé, il chauffe. Pour fonctionner avec un PIC, il faut des MOS à commande logique, c'est à dire début de conduction vers 1,5V et Rdson à son mini dès 4 ou 5V. Souvant des MOS avec la lettre L (logique) chez IRF par exemple le IRLZ44N.
"Emile" a écrit dans le message de news: snipped-for-privacy@t13g2000yqm.googlegroups.com... J'ai encore une question.
je faisais un test ce soir et je me suis apercu d'une chose , en fait je possède 2 types de MOSFET N , un IRF540 et un IRF540N , le marchand ma fourni les 2 types alors que j'ai commandé un modèle bien particulier mais bon passons ...
J'ai alimenté la grille avec du 4 V , cela fonctionne là n'est pas le soucis , ma lampe s'allume (celle ci est relié à du 12 V).
Je me suis juste apercu d'une chose .
Avec le modèle de mos IRF540 , la luminosité est 3 fois plus importantes ( plus de courant semble passer dans IDS) Avec le modèle IRF540N , la luminosité est feblarde , ( moins de courant visiblement ).
Comment cela est il possible pour une meme tension de grille ?
J'ai beau regarder dans le datasheet et je ne trouve rien qui explique cette chose !
Merci à vous !
Emile
E
Emile
Merci pour ta r=C3=A9ponse tr=C3=A8s claire FAB , dans tous les cas les datasheet ne sont pas tr=C3=A8s lisible du moins pour un non sp=C3=A9cialis= te. On trouve cela sur la datasheet , je l'avais compris ainsi ; pour que le transistor soit satur=C3=A9 la tension Vgs doit =C3=AAtre entre 2 et 4 Volts.
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Gate to Threshold Voltage VGS(TH) VGS =3D VDS, ID =3D
250=CE=BCA 2 - 4 V
Merci
Emile
la commande
tteindre
on
=A0 6V.
=C3=A9rence de
e
est =C3=A0
4 ou 5V. Souvant
nd
pas le
e
r un
commande,
me un
.
exte des
te des messages pr=C3=A9c=C3=A9dents -
F
FAB
C'est pas tout à fait ça, La tension Vgs indiquée en tre 2 et 4V c'est la tension qui va permettre de voir apparaite un courant d'au moins 1mA, c'est à dire le début de la conduction. Maintenant pour exploiter au mieux le MOS, par exemple avec un courant de 50A, il faut que Vgs dépasse 8,5V. Avec Vgs
4V ton montage aurrai pus ne pas fonctionner. Tu trouveras les courbes dans les datasheet sur le site
formatting link
Pour l'IRF540, il y a sur ce site 6 datasheets, celle de NXP par exemple est assez compléte.
"Emile" a écrit dans le message de news: snipped-for-privacy@p26g2000yqb.googlegroups.com...
Merci pour ta réponse très claire FAB , dans tous les cas les datasheet ne sont pas très lisible du moins pour un non spécialiste. On trouve cela sur la datasheet , je l'avais compris ainsi ; pour que le transistor soit saturé la tension Vgs doit être entre 2 et 4 Volts.
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Gate to Threshold Voltage VGS(TH) VGS = VDS, ID =
250?A 2 - 4 V
Merci
Emile
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