Resistenza di "fuga"

Salve vedendo alcuni schemi in cui montano un MOSFET di potenza (pilotato ad esempio da un PWM in uscita da un micro) per pilotare ad esempio un motore in DC ho notato due cose, con relativi dubbi :

1 - Una resistenza tra la porta di uscita del micro e il Gate del MOSFET; Sevre per caso per adattare il livello di tensione della Vgs in moto da far lavorare meglio il MOSFET in saturazione ?

2 - Una resistenza che dice sia di "fuga" tra il Gate e massa. Serve per impedire che la corrente in uscita dalla porta del micro non entri nel Gate ?

Non ho molto chiari questi aspetti, spero di non aver grosse stupidagini Pasquale.

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Pasquale
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Pasquale ha scritto:

No, in teoria serve come resistenza di protezione per la porta del micro. Ricorda che li, sempre in teoria, la corrente è nulla!

No, dovrebbe servire per velocizzare la commutazione del mosfet.

Ciao

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MrRipple

"MrRipple" ha scritto nel messaggio news:47d41ff7$0$16020$ snipped-for-privacy@news.tiscali.it...

ni, la capacità di ingresso del mos non è trascurabile, soprattutto se si usa PWM. La resistenza certo serve a limitare i picchi di corrente verso il gate...ma può servire in alcune applicazioni a rallentare le commutazioni di mos per questioni EMI

bisognerebbe vedere il circuito di pilotaggio dove ha il riferimento: mi spiego meglio....se il micro ha lo 0 dove c'è il source (immagino un n-mos), se il micro esce in push-pull gestisce lui accensione e spegnimento e la resistenza potrebbe essere utile quando il micro è in reset per non avere il gate flottante.

se invece i riferimenti sono diversi la resistenza potrebbe servire a garantire lo spegnimento del mos

Sarebbe utile vedere uno schema (nota per Pascquale)

Scappo in Qatar ;-) (Vale ha appena infilato Pedrosa)

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

Ok compreso, grazie mille.

Hai ragione per lo schema, ma sono alle prime armi nell'elettronica pratica ed i miei circuiti sono, per ora, carta e penna. Comunque i riferimenti tra source e 0V sono gli stessi. Cosa intendi più presisamente per riferimenti diversi ? Ci sono dei links dove magari posso trovare maggiori informazioni in merito, magari anche riguardo il primo quesito ?

Grazie in anticipo, Pasquale.

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Pasquale

ni, serve per smorzare le oscillazioni che si creano quando si inietta la corrente nella capacità. :-) [Il che ha implicazioni oltre che sulle EMI anche sulla vita del MOSFET stesso]

A.D.

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A.D.

Non in questo caso. La resistenza in serie al gate smorza le risonanze del risonatore LC formato dall'induttanza dei collegamenti e dalla capacita` di ingresso del mos, quando il driver ha una bassa impedenza di uscita. Nel caso di mos pilotato da un microcontrollore, non si hanno risonanze perche' la resistenza di uscita del micro smorza ampiamente tutto, anzi normalmente genera delle commutazioni lente.

--
Franco

Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
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Franco

Pasquale wrote: [...]

cerca Fidocad su guggggle, disegni il crt, salvi e aprendo il file .fcd con un text editor puoi incollarlo qui sul NG.

ok, in questo caso è probabile che la resistenza gate-source tenga fermo il gate durante il reset del micro.

vedila così, in modo brutale: il micro lo alimenti tra 0 e 5V, il gate del mos lo alimenti tra 0 e 7V, ecco, non è obbligatorio che i due "0" coincidano, potrebbero essere a livelli divverenti tra di loro...ovviamente è molto comodo averli uguali...ma non avendo sottomano lo schema di cui parliamo ho generalizzato (forse anche troppo!)

cioè la resistenza sul gate? guarda, qui ne ho già discusso (e chiesto lumi) in passato...se spulci tra i miei vecchi post qualcosa trovi.

Ciao Ste

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[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

;-)

(vita del mosfer a parte) ma dal quel che dici assumi che le oscillazioni sul gate sono la causa delle EMI? Ho capito male? Io la vedo come una necessità di fare una rampa morbida sul gate in modo da avere un passaggio da interdizione a zona lineare del mos passando un po' per la saturazione in modo da addolcire le commutazioni sulla Id (dissipando sul mos in saturazione).

Stiamo forse descrivendo lo stesso fenomeno in due modi?

Ste

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PeSte

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