read/write eeprom micro

Ehmm... Se viene solo letta dovrai considerare solo il tempo di lettura. Di solito =E8 un accesso I/O senza latenza, contrariamente alla scrittura che normalmente si auto-temporizza e setta un flag (o genera interrupt) quando ha finito.

Piccio.

Penso che Silviellos si riferisse al numero massimo di clicli di scrittura, la cosiddetta endurance. Ogni ciclo di scrittura logora leggermente le celle della eeprom e il numero di cicli di scrittura garantiti e' indicato nel datasheet. La lettura invece non causa nessuno stress alle celle della eeprom e percio' non ci sono limiti al numero di letture.

Detta cos=EC suona meglio, infatti. :)

Tempo fa eseguii test di scrittura EEPROM su un micro AVR garantito per 100000 cicli (centomila). Praticamente scrivevo 0xAA e 0x55 in successione verificando ogni volta. La cella si stress=F2 dopo oltre 5 milioni di cicli, ben al di sopra di quelli dichiarati.

Piccio.

Piccio ha scritto:

il valore "dato" dalla casa è riferito ad un grande numero di micro,non ad uno solo....se percaso nel tuo test avresti trovato che si "rompeva" dopo 10.000 cicli, cosa avresti detto? quindi chi produce si garantisce dando un valore molto ad di sotto dello standard con cui produce, ma il max non è "garantito"

emilio ha scritto:

Un modo per aumentare i cicli di scrittura consiste, quando si puo', nell'usare una EEPROM di dimensioni multiple a quelle che ti servono usando nella scrittura ogni volta un settore diverso. ciao giorgio