Salve, ho bisogno di usare un scr composto da due bjt per accendere velocemente un mosfet.
Al simulatore funziona ma vedo che la corrente deve attraversare, divisa a meta', le due basi.
Al simulatore la corrente dura poche decine di ns e raggiunge i 200mA, immagino che nel mondo reale sara' molto piu bassa.
Usando bjt da 100mA la corrente di base puo' raggiungere i 100mA senza ammazzarlo?
Secondo questo datasheet sembrerebbe di si ma e' l'unico che ho trovato, posso considerare la maxIb uguale alla Ic?
In fondo nel silicio la Ic non attraversa la zona della base?
Un grazie.
mandi
[FIDOCAD] MC 110 45 0 1 310 MC 95 75 0 0 310 MC 110 85 0 1 300 MC 110 85 0 0 115 MC 95 65 0 0 115 MC 110 35 0 0 115 MC 135 65 0 0 445 LI 155 70 155 95 LI 155 95 50 95 SA 110 65 MC 95 55 0 0 300 MC 80 35 0 0 115 TY 115 35 5 3 0 0 0 * 100k TY 115 90 5 3 0 0 0 * 10k MC 155 95 0 0 040 LI 95 65 135 65 TY 70 40 5 3 0 0 0 * 1M LI 80 45 80 75 SA 95 75 SA 80 55 LI 95 55 75 55 MC 60 55 0 0 200 LI 95 75 60 75 LI 35 45 60 45 LI 60 45 60 85 LI 60 85 35 85 LI 35 85 35 45 TY 55 50 5 3 0 0 0 * 3 TY 55 70 5 3 0 0 0 * 7 TY 40 45 5 3 0 0 0 * 555 TY 35 60 5 3 0 0 0 * 0-2.5V TY 80 70 5 3 0 0 0 * 100k LI 110 35 80 35 TY 90 30 5 3 0 0 0 * 4.5V SA 80 75