Hallo Michael,
Du schriebst am 29 Jul 2023 09:24:10 GMT:
[DRAM]Ja.
Nein, zumindest nicht nennswert. Einen Leckstrom durch die Transistoren gibt es natürlich auch im Sperrzustand.
Nein, das bedeutet es nicht. Die Übersetzung lautet: "Da die Kapazität der Bit-Leitung typischerweise viel höher ist als die Kapazität der Speicherzelle, erhöht sich die Spannung an der Bit-Leitung nur sehr wenig, wenn der Kondensator der Speicherzelle entladen ist und verringert sich sehr wenig, wenn die Speicherzelle geladen ist."
Da steht nix von Ladungs_verlust_ oder -_änderung_ _in_ der Speicherzelle, nur was von _Spannungsänderung_ auf der _Bit-Leitung_, und die kommt durch den Effekt der Influenz (aka kapazitive Kopplung) zustande. Was da steht ist im wesentlichen, daß die Signale auf der Bit-Leitung aufgrund des recht ungünstigen Kapazitätsverhältnisses nur recht schwach sind
Das _könnte_ gemacht werden, üblicherweise wird aber sowieso regelmäßig aufgefrischt. Das sind Kondensatoren im fF-Bereich, da kann man die Elektronen schon fast "an einer Hand" abzählen. Und da Elektronen nicht gerne dicht aufeinander sitzen, nutzen die halt jede Gelegenheit, sich "aus dem Staub" zu machen und vom Gate zu verduften.
Ob da inzwischen "einige 10 ms" noch reichen? Ich würde eher wenigstens eine Größenordnung schneller vermuten. Einige 10 ms war wohl mal im vorigen Jahrtausend. (Da hab' ich das noch selber gemacht.)