Workstation: erste Tests

Jun 07, 2023 Last reply: 2 years ago 293 Replies

Hallo Michael,

Du schriebst am 29 Jul 2023 09:24:10 GMT:

[DRAM]

Ja.

Nein, zumindest nicht nennswert. Einen Leckstrom durch die Transistoren gibt es natürlich auch im Sperrzustand.

Nein, das bedeutet es nicht. Die Übersetzung lautet: "Da die Kapazität der Bit-Leitung typischerweise viel höher ist als die Kapazität der Speicherzelle, erhöht sich die Spannung an der Bit-Leitung nur sehr wenig, wenn der Kondensator der Speicherzelle entladen ist und verringert sich sehr wenig, wenn die Speicherzelle geladen ist."

Da steht nix von Ladungs_verlust_ oder -_änderung_ _in_ der Speicherzelle, nur was von _Spannungsänderung_ auf der _Bit-Leitung_, und die kommt durch den Effekt der Influenz (aka kapazitive Kopplung) zustande. Was da steht ist im wesentlichen, daß die Signale auf der Bit-Leitung aufgrund des recht ungünstigen Kapazitätsverhältnisses nur recht schwach sind

Das _könnte_ gemacht werden, üblicherweise wird aber sowieso regelmäßig aufgefrischt. Das sind Kondensatoren im fF-Bereich, da kann man die Elektronen schon fast "an einer Hand" abzählen. Und da Elektronen nicht gerne dicht aufeinander sitzen, nutzen die halt jede Gelegenheit, sich "aus dem Staub" zu machen und vom Gate zu verduften.

Ob da inzwischen "einige 10 ms" noch reichen? Ich würde eher wenigstens eine Größenordnung schneller vermuten. Einige 10 ms war wohl mal im vorigen Jahrtausend. (Da hab' ich das noch selber gemacht.)

richtig: endtladen *wird*.

richtig: geladen *wird*.

Da steht nichts von kapazitiver Kopplung, sondern daß wegen Q=C*U die aus der Zelle abfließende Ladung Q eine kleinere Spannungsänderung auf der größeren Kapazität der Bitleitung + Zelle erzeugt.

Die von Dir vermutete Influenz scheidet schon deshalb aus, weil es sehr schwer wäre, die Ladungen der vielen benachbarten Zellen zu unterscheiden. Stattdessen wird einfach der Transistor eingeschaltet, der die Zelle bildet und mit der Bitleitung verbindet. Auf diesem Weg kommt die Ladung aus der Zelle auf die Bitleitung und anschließend die Ladung für die Wiederherstellung des Zustands in die Zelle zurück.

DoDi

Doch, so ziemlich komplett. Der Leseverstärker ist deshalb sehr empfindlich um erkennen zu können ob die Zelle geladen war oder nicht.

Kapazitive Kopplung? Bei einem DRAM?

Was da steht

Das _wird_ gemacht, denn das Auslesen einer DRAM-Zelle ist destruktiv.

üblicherweise wird aber sowieso regelmäßig

Vom Gate? Wir reden hier von DRAM, nicht von Flash oder EPROM. Ein DRAM speichert keine Elektronen im Gate sondern in einem Kondensator der zwischen Source (*) und einer Hilfsspannung zu finden ist. Sobald der auf die Bitleitung geschaltet wird ist seine Ladung (fast komplett) weg und muss aufgefrischt werden. Das erledigt der Leseverstärker gleich mit.

(*) Gate hängt an der Wordleitung und Drain an der Bitleitung.

Nein, am Anfang waren das 2ms (bei einem 4116, also 128 Zyklen wenn man RAS-only oder Dummyzugriffe benutzte) und die musste man auch einhalten, sonst waren die Daten weg. Das wurde erst später besser, als man den Prozess besser im Griff hatte. Bei einem 4164 waren es schon 4ms die man Zeit hatte. Allerdings musste man dort oft einen 256 Zyklen-Refresh fahren.

Gerrit

falsch! richtig: *entladen* :P

Saludos (an alle Vernünftigen, Rest sh. sig) Wolfgang

"if the storage cell's capacitor is discharged" bezieht sich auf den Vorgang beim Verbinden mit der Bitleitung, d.h. die Zelle war vorher aufgeladen.

cu Michael

Nein. Du hast eine direkte Verbindung zwischen Zelle und Bitleitung über den Kanal des eingeschalteten FETs, nix Influenz. Nach dem Ausgleichsvorgang hat der Speicherkondensator in der Zelle und die Bitleitung die gleiche Spannung, und aufgrund der Verhältnisse der Kapazitäten liegt die nahe an der Precharge-Spannung der Bitleitung vor dem Verbinden (VCC/2).

formatting link

Nein, das muss zwingend gemacht werden, denn nach dem Aktivieren der row sind die Ladungen auf den Speicherkondensatoren weg.

Nicht vom Gate. Du bist bei EEPROM/Flash, bei DRAM hängt der Speicherkondensator nicht am Gate, s.o. - die Gates sind die word lines, die für die Aktivierung benutzt werden.

Ich habe für DDR3/DDR3L immer noch 64ms pro Zelle im Kopf (für normalen Temperaturbereich, industrial hat üblicherweise verschärfte Refresh-Anforderungen).

Micron meint für MT60B4G4HB-48B (DDR5, 16Gb) 32ms.

cu Michael

Am 28.07.23 um 20:21 schrieb Helmut Schellong:

[memtest]

Du schriebst auch nicht, daß da mehrere (wie viele?) eingestellt werden sollen. Und ich schrieb nicht, daß das nur 1 Pass war.

Wenn aber nicht klar, ist, wie lange man warten muß, ist die Aussage "Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM." mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommener Schellongscher Bullshit.

Hanno

Am 31.07.2023 um 00:32 schrieb Hanno Foest:

Deine Argumentation ist Bullshit.

Wie komme ich dazu, irgendeine angeblich ideale Anzahl Passes anzugeben?! Diese Anzahl muß frei gewählt werden, bis man die Messung in Abhängigkeit von der Hardware und deren Verhalten für sicher hält.

Das Tool hat ein manual.pdf mit 99 Seiten in seiner .zip. Soll ich das abschreiben und hierin posten?

Meine Aussage ist neutral und vollkommen korrekt.

|Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit |ein vollkommen intaktes RAM. (Voreingestellt sind 4 Pass.)

Ich stehe zu dieser Aussage und werde sie nicht ändern. Habe ich das Wort 'Wahrscheinlichkeit' in meiner Aussage geschrieben?

Hingegen Deine Aussage mit '18 h und 72 h oder mehr' betrifft eine seltene Sonder-Situation. Ich verwende memtest-Tools seit Jahrzehnten und habe ohne Ausnahme Fehler-Ergebnisse nach längstens 30 Minuten vorliegen gehabt. Und wenn ein Lauf über bis zu etwa 5 Stunden keinen Fehler brachte, hatte dasjenige RAM lange Zeit nachfolgend niemals einen Fehler gezeigt. Das ist die Normal-Situation.

Du willst diese Normal-Situation umdrehen und verfälschen, so daß sich 'Schellongscher Bullshit' (als Behauptung) ergibt.

Am 31.07.23 um 13:18 schrieb Helmut Schellong:

[...]

Also wenn man eine nicht angegebene, "frei gewählte" Anzahl Passes wählt, hat man mit "extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM"?

Sie ist vielmehr völlig sinnlos, wenn nicht klar ist, ob man 1 oder 1 Mio. Passes braucht, um mit "extrem hoher Wahrscheinlichkeit" (welcher?) heiles RAM zu haben. Das ist nur Schellongsches Geschwurbel, bar jeglicher Präzision des Denkens.

Kann nicht so selten sein, ich kenne von anderen ähnliche Berichte.

Du wirst einfach nicht merken, wenn dein Rechner Fehler macht.

Hanno

Am 29.07.23 um 12:07 schrieb Thomas Prufer:

Warmwerden ist ein Faktor, aber man darf nicht vergessen, daß reale Auslastung eines Rechners eh was komplett anderes ist als memtest. Wenn deine Grafikkarte rödelt und ein paar hundert Watt zieht, ist völlig unklar, weil von Qualität und Alter des Netzteils abhängig, wie das andere Spannungen beeinflußt. Mit etwas Pech gehen dann Spannungen von "knapp" auf "nicht mehr ausreichend".

Nur mal so als Beispiel. Es sind eine Menge Wechselwirkungen zwischen Komponenten denkbar, die bei einem völlig gesunden Rechner nicht auftreten.

Hanno

Am 31.07.23 um 13:18 schrieb Helmut Schellong:

Hallo,

den User Guide zu MemTest86 kann man auch einzeln herunterladen:

formatting link

Bernd Mayer

Am 31.07.2023 um 13:33 schrieb Hanno Foest:

Ja, jeder Anwender muß die Pass-Anzahl selbst wählen. Der Hersteller hat 4 Pass voreingestellt. Auch die Tests sind einzeln wählbar. Auch Konfigurations-Dateien werden berücksichtigt.

Dann ist ja grundsätzlich jede Information über solch ein Tool von vornherein sinnlos, weil man die individuellen Anwendungsfälle derer, die die Information lesen, nicht hellsehen kann.

Warum kann das Tool eigentlich in sehr weiten Grenzen konfiguriert werden? Und ich soll die einzige, für alle gleichzeitig ideale Einstellung, vorab nennen?

Natürlich gibt es Fälle wie Deinen mehrfach. Der Normalfall ist jedenfalls wesentlich häufiger.

Meine Workstation mit zwei verschachtelten ECC-Systemen wird mir keine Fehler verheimlichen. Das wurde doch hier mehrfach von anderen Postern berichtet.

Am 31.07.2023 um 15:28 schrieb Bernd Mayer:

Es ist nicht überraschend, daß es das auch außerhalb der .zip gibt. Darin befindet sich auch die Test-Liste (als Grafik), die ich hier postete.

Am 31.07.23 um 15:30 schrieb Helmut Schellong:

Der Anwendungsfall ist, zu testen, ob das RAM heil ist. Das ist eine klare und übersichtliche Aufgabenstellung ohne viele Freiheitsgrade.

Damit Leute wie du was zum Spielen haben?

Wenn du sagen kannst "Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM." dann solltest du auch sagen können, wie das geht. Wenn das RAM dann trotz Test kaputt ist, einfach sagen zu können "dann war der Test wohl falsch eingestellt" ist etwas billig.

Dann brauchst du auch kein memtest.

Hanno

Andreas Fecht, 2023-07-29 14:34:

Ja, "Locale names" sind keine Ordnernamen sondern nur die übersetzten (locale) Namen, die der Windows Explorer in der Adressleiste anzeigt. Beispiel:

"Dieser PC > System (C:) > Programme"

statt:

"C:\Program Files"

Da der Explorer aber ohnehin grundsätzlich nur eine virtuelle Welt in Form von Shell Namespaces darstellt, die mit dem echten Dateisystem nur bedingt zu tun hat, ist das jetzt so überraschend. Da gibt es auch noch andere vermeintliche "Ordner" wie "Dieser PC > Desktop" für den Desktop des angemeldeten Benutzers und Programme wie OnDrive oder Nextcloud können eigene Namespaces hinzufügen, über die man Zugriff auf die jeweiligen Dateiablagen auf den jeweiligen Servern bekommt. Auch WebDAV oder FTP kann so eingebunden werden.

Helmut Schellong, 2023-07-28 21:10:

[...]

Das ändert nichts daran, dass ein Hash, der *weniger* Bits hat, als die zu prüfenden Datei, zwangsläufig nicht *jede* mögliche Quelldatei

*eindeutig* abbilden kann.

Das ist simpel: 2^n ist die theoretisch maximale Anzahl von Hash-Werten für eine Länge von n Bits. Sobald eine Datei aber mehr als n Bits hat, gibt es automatisch mehr verschiedene Dateien als Hashes.

Warum also zweifelst Du an der Aussage, dass bei einem Hash, der kürzer ist, als die zu prüfende Datei, theoretisch bei zwei verschiedene Dateien der selbe Hash entstehen kann?

Ist "Hash-Algorithmen implementieren" eine besondere Leistung oder wieso erwähnst Du das hier merfach?

Helmut Schellong, 2023-07-29 16:10:

[...]

Ja, und? Ich sehe das nur als schlechten Stil an und nicht als Zeichen besonder hohe Ingenieurskunst. Bei einem Code-Review würde ich das ablehnen.

Helmut Schellong, 2023-07-29 13:07:

Verwechselst Du da nicht etwas? Je größer der Luftdurchsatz, desto

*länger* dauert es, bis die maximal mögliche Temperatur erreicht ist.

Helmut Schellong, 2023-07-28 21:40:

Das ist aber völlig irrelevant in Bezug auf "Daten sind korrekt".

Genau das sagte ich doch! Lies doch einfach was ich schrieb zu 10 Minuten und 100 Stunden im Vergleich.

Helmut Schellong, 2023-07-28 22:13:

Wenn Du mit die Softare bereitstellst, messe ich gerne nach.

[...]

Dann brauchst Du das ganze Thema hier nicht erwähnen. Oder ging es am Ende nur um Schwanzvergleich?

Join the Discussion

Have something to add? Share your thoughts — no account required.

Didn't find your answer?

Ask the community — no account required