Ich hab leider keine genaueren Angaben zur Schaltung. Die in der Zeichnung angegebenen Flanken der FET-Ansteuerung sind ja heftig und ohne
Was aber bei der Schaltung ohne Induktivitaet leicht abflachbar waere, falls nicht zulaessig.
geht ja nicht, da die Schaltung de-facto eine Kaskode ist, da die Last in erster Ordnung eine konstante Spannung hat. Da ist eben meine Schaltung schlecht, da kann man das nicht dosieren.
offenbar nicht darum...
(allerdings auch neuere Dioden betreffend) je tiefer dieser Strom angegeben ist.
1 Amp:
formatting link
Seite 1, features. Seite 8, absolute maximum ratings, Note 11. Das gleiche in:
Ah, jetzt ja. In DEINEM posting, grr, hab alle von Timm durchsucht...
Danke, gespeichert.
Ja, sieht gut aus. Dir ist sicher klar, dass ein 5 V-Puls, ganz
Kennlinie des FET redet dann mit.
langsamen Ansteuerung.
D oder I-Pack, egal. Da kommen doch sicher noch 10 nH an
widerstand geht das gerade noch so, bei 10 R wird das dann so schnell, dass zumindest in der Simulation "ungute" Sachen passiern. Ist da Panik angesagt?
Ich hatte in meiner Simulation einen IRF6681-Flachmann angenommen.
Siehe obigen Kommentar. Ich denke, die Zentimeter-lange Zuleitung zur Diode wird wohl die Anstiegszeit gebremst haben. Ein bisschen sieht man das schon im publizierten Oszillogramm. Insbesondere beim Ausschalten, aber eventuell konnten die nicht richtig messen...
Zum Budget: Dir ist aber schon klar, das ein wesentlicher Anteil der Verkabelung
den Synchrotron-Heinis noch als Kleinbestellung durchgeht, ist bei
Mit der Stromanstiegsgeschwindigkeit denke ich, dass man das hinkriegt, siehe deine Schaltung.
gewaltig, 2 kA/us oder so, obwohl Miller-behaftet. Und viel Spass mit
Wenn das Richtung linear gehen soll, dann noch 10ohm oder so von den Basen (sagt man das so?) zu den Emittern. Je nachdem wieviel der Opam treiben kann. Das gibt weniger Cross-Over Distortion. Auch nichtlinear ist das besser, weil man bei CMOS Ansteuerung auf diese Art weiterhin bis 0V kommt.
Mit 5V sollte man in dieser Leistungsklasse nie arbeiten. Das ist einer der Kardinalfehler von IC Designern im SMPS Bereich. Die haben locker flockig LDOs drin mit 5V, 7V oder so. Dabei sind viele MOSFETs im Rdson dort unten nicht per min-max Tabelle definiert und wenn, dann schalten sie wie Sirup. In manchen Designs duerfte ich sowas gar nicht verwenden und da muss jedesmal ein externer Treiber hinter. Worauf man wiederum Probleme mit Leading Edge Blanking und ... nein, ich reg mich HEUTE NICHT AUF!
Wenn ich kann, umgehe ich die internen LDOs immer und gehe beinhart mit
12-15V aufs Gate, manchmal auch noch negativ zum besseren Abschalten. Amplitude ist durch nichts zu ersetzen, ausser durch noch mehr Amplitude.
Die Safe Operating Area (SOA, figure 8) im Datenblatt sieht gut aus.
formatting link
Ich wuerde wohl zwei davon nehmen, u.a. weil ich keine 60A ueber solch winzige Beinchen schicken mag. Ansonstenlieber ein fetteres Gehaeuse oder wenigstes mehr Pins fuer Source und Drain.
Noe, das fluppt. Ich reisse FETs in aehnlichen Gehaeusen in 10-30nsec rum. D-Pak ist SMT. Aber eben was klein in den Beinchen fuer so viel Strom.
Was die Leitungen zur LED angeht, sollte man die sehr nahe zusammen und fett halten. Ist das laenger als ein paar Zentimeter, dann z.B. Flex doppellagig. Habe ich bei uns superbreit als Lautsprecherleitung zum Verlegen unter Teppich gesehen (Teppiche werden hier in Wohnraeumen nucht verklebt), allerdings zu Audiophool-Preisen. Ansonsten muss da eine Diode nach VCC rein, wo die Flyback Energie aus der Leitung abgefackelt wird.
Das sollte man alle im layout kurz halten, allein schon wegen der EMV.
2cm geht, 1cm waere besser. Oder Flyback-Diode.
Bremsen nicht, aber ausschwingen. Das muss man in den Griff bekommen. Entweder mit Matching, Snubber oder Diode. Ihr braucht dort einen HF-Lurch :-)
Die Induktivitaeten sind es doch gerade, die den Job so schoen prickelnd machen. Aehnlich wie felsige Abfahrten beim mountain Biking. Ab und zu kracht es mal.
Manchmal kann man die auch ausnutzen, z.B. als Gate Peaker.
im linearen Bereich geht. Die lokale Gegenkopplung ist mit dem Source- Widerstand gegeben. Ich meinte, deine Stromregelung weglassen und direkt einen 5 V-Impuls via Widerstand an das Gate geben. Genau das macht dein linearer Opamp ja auch. Je nach Mosfet muss man halt 4.8 V oder 5.3 oder dergleichen, oder den Sourcewiderstand anpassen.
Macht dein Opamp ja auch nicht. Wie gesagt, es geht hier doch gar nicht um den Schaltbetrieb.
tiefe Betriebsspannungen, andere wollen mehr U_DS sehen, um in den "Pentodenbereich" zu kommen. Da reichen offenbar schon 0.8 V, der Fortschritt ist enorm. Aus Fig. 11 entnehme ich, dass der Chip selber 7us thermische Zeitkonstante hat, sodass bei niederem duty cylcle da keine Ableitprobleme entstehen.
Kann das sein, dass das Teil im Einzelhandel nur ca. 1 $/?/CHF
Nach Foto im Artikel zu urteilen sind das aber schon so 5 cm bis zu den FET-Beinchen. Die Diode hat ja AMP-Stecker. Aber Paralleldiode direkt beim FET haben die Jungs eingebaut (vielleicht nicht in
Diode weiss ich jetzt auch noch nicht. Fette Schottkys haben leider
Kann man in der Praxis zumindest fuer Serienfertigung vergessen. FETs haben in Sachen Threshold prozessbedingt schonmal locker +/-30% Schwankung. Bei einer hart an der Klippe gefahrenen LED ist das nicht so der Hit.
Auch hier sollte man Toleranzreservern haben. Einmal wegen Vth Streuung, dann wegen Opamp Drop-out. Selbst RR gehen nie ganz bis an den Poller und werden da auch langsam.
M.W. stammt der Vorschlag dieses FETs von Timm.
In Stueckzahlen eher $0.30. Bei Euch kostet vermutlich ein einziges Broetchen schon ueber 50 Rappen :-)
Die Leitungen sollte man sehr kurz halten oder eben versuchen, einigermassen anzupassen. Hier hilft LTSpice enorm. Mache ich oft, haufenweise Leitermaterial besorgen, per TDR den Wellenwiderstand rausfinden und dann mit LTSpice sehen, ob man es damit irgendwie hinzimmern kann. Dabei kamen oft verblueffend billige Loesungen mit Parallelschaltung raus.
Wo kommen diese Modelle bzw. deren Modellparameter denn her,
Auf Luminus selber findet sich kein einziges elektrisches SPICE Modell.
Ich nutze eigentlich PSPICE und nicht LT. Also habe ich jetzt LT runtergeladen und installiert und finde
das Modell der PT-121-B.
Eine Osram ist in der LT standards lib auch gelistet: LUW-W5AP, jedoch diese Type findet sich wiederum nicht auf Osram selber
formatting link
Dort ist eine Dragon mit LUW-W5SM vorhanden hat jedoch auf Osram nur CJO=1.5n und nicht 5n wie in LT-SPICE angegeben :-O
--
Steinbecker Muehlenweg 95, 21244 Buchholz idN, Germany
UST-IDNR.: DE 231373311, phone: +49 4181 290913, fax: +49 4181 350504
This electronic transmission (and any attached document) may contain
confidential and/or privileged information. It is intended only for
the person or entity to whom it is adressed.
If you are not the intended recipient (or have received this e-mail in
error) please notify the sender and destroy this e-mail or any
attached document immediatly. Any unauthorized copying, disclosure or
distribution of the material in this e-mail is strictly forbidden.
--- news://freenews.netfront.net/ - complaints: news@netfront.net ---
30nsec, das ist ja beinahe eine Ewigkeit und bei 1usec kann man fast noch einen Kaffee holen :-)
Aber bei mehreren hundert Watt ist das schon ordentlich, soviel Power haben meine Laser-Kunden noch nicht gebraucht. Dann sind eGaN FETs oder Transistoren fuer Fernsehsender angesagt. Wobei bei letzteren die Hersteller (bis auf einen) leider nicht kapieren, dass man fuer solche Designs Time Domain Simulation machen muss und damit SPICE Models braucht.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.